┌─────────────────┐
│ 21 │
└─────────────────┘
Регистрационный
номер
┌──────────┐
Производство интегральных схем, микросборок и микромодулей │ 40.003 │
─────────────────────────────────────────────────────────── └──────────┘
(наименование вида профессиональной деятельности) Код
┌─────────────────────────────────────────────────────────────────────────┐ │Производство наногетероструктурных сверхвысокочастотных (СВЧ) монолитных │ │интегральных схем (МИС СВЧ) с использованием нанотехнологий │ └─────────────────────────────────────────────────────────────────────────┘
2111 | Физики и астрономы | 2113 | Химики |
(код ОКЗ <1>) | (наименование) | (код ОКЗ) | (наименование) |
26.11.3 | Производство интегральных электронных схем |
(код ОКВЭД <2>) | (наименование вида экономической деятельности) |
Обобщенные трудовые функции | Трудовые функции | ||||
код | наименование | уровень квалификации | наименование | код | уровень (подуровень) квалификации |
A | Подготовка конструкторской документации для запуска в производство и разработка методик испытаний, контроля и отбраковки наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем (МИС СВЧ) | 6 | Разработка топологии тестовых структур и топологии МИС СВЧ, разработка файлов для электронной литографии и изготовления фотошаблонов | A/01.6 | 6 |
Подготовка конструкторской документации для запуска МИС СВЧ в производство | A/02.6 | ||||
Разработка методики испытаний, контроля и отбраковки наногетероструктурных МИС СВЧ | A/03.6 | ||||
B | Выполнение опытно-конструкторских работ полного цикла по созданию наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральным схем (МИС СВЧ), руководство их конструированием и испытанием | 7 | Конструирование наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем в соответствии с техническим заданием для выбираемой технологии | B/01.7 | 7 |
Подготовка конструкторской документации для запуска МИС СВЧ в производство | B/02.7 | ||||
Разработка методики испытаний, контроля и отбраковки наногетероструктурных МИС СВЧ | B/03.7 | ||||
Руководство опытно-конструкторской работой (ОКР) | B/04.7 | ||||
Наименование | Подготовка конструкторской документации для запуска в производство и разработка методик испытаний, контроля и отбраковки наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем (МИС СВЧ) | Код | A | Уровень квалификации | 6 |
Происхождение обобщенной трудовой функции | Оригинал X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта |
Возможные наименования должностей | Инженер-конструктор |
Требования к образованию и обучению | Высшее образование - бакалавриат |
Требования к опыту практической работы | Не менее одного года в должности инженера-конструктора |
Особые условия допуска к работе | Прохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке <3>; инструктаж по безопасному ведению работ |
Наименование документа | Код | Наименование базовой группы, должности (профессии) или специальности |
ОКЗ | 2111 | Физики и астрономы |
2113 | Химики | |
ЕКС <4> | - | Инженер-конструктор |
ОКСО <5> | 21010 | Электроника и микроэлектроника |
Наименование | Разработка топологии тестовых структур и топологии МИС СВЧ, разработка файлов для электронной литографии и изготовления фотошаблонов | Код | A/01.6 | Уровень (подуровень) квалификации | 6 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта |
Трудовые действия | Разработка топологии тестовых структур для характеризации параметров элементов монолитных интегральных схем (МИС) |
Разработка топологии МИС СВЧ, согласование их с технологами, внесение необходимых изменений | |
Разработка и подготовка файлов для электронной литографии с предъявлением их для технического контроля, внесение необходимых изменений | |
Разработка и подготовка файлов для изготовления фотошаблонов с предъявлением их для технического контроля, внесение необходимых изменений | |
Необходимые умения | Применять метод декомпозиции при анализе тестовых структур и МИС СВЧ |
Оценивать допуски на элементы при межоперационном контроле параметров | |
Переходить от схемы принципиальной электрической к топологии МИС СВЧ, используя систему автоматизации проектирования (САПР) | |
Планировать и оптимизировать контрольные операции в процессе прохождения пластин по технологическому маршруту | |
Осуществлять разработку топологии тестовых структур на пластине для проведения межоперационного контроля совместно с технологами | |
Выбирать методики измерения параметров тестовых структур при межоперационном контроле технологического процесса | |
Выбирать оборудование для межоперационного контроля | |
Анализировать статистическими методами результаты измерения параметров тестовых структур и делать заключение об их нахождении в пределах заданных допусков, приемлемых для достижения технических требований на МИС | |
Рассчитывать параметры МИС с учетом особенностей топологии | |
Разрабатывать техническое задание на изменение технологии | |
Взаимодействовать с технологическими подразделениями при передаче топологии в производство | |
Подготавливать файлы необходимых форматов для электронных шаблонов проекционной литографии | |
Работать на установке изготовления фотошаблонов | |
Необходимые знания | Основы технологии производства МИС СВЧ |
Основы статистического анализа | |
Методы статистической обработки данных и теории чувствительности устройств к разбросам параметров компонент | |
Теория и методы планирования эксперимента | |
Методики межоперационного контроля | |
Параметры гетероструктур и материалов, применяемых в технологии МИС СВЧ | |
Теория допусков применительно к наноэлектронике СВЧ | |
Методы разработки библиотек моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ | |
Современные системы проектирования топологии СВЧ-устройств и МИС СВЧ | |
Топологические библиотеки моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ | |
Оборудование для измерения и контроля параметров тестовых структур и МИС СВЧ | |
Методология системы менеджмента качества | |
Основы технологии электронной литографии | |
Методики и нормативная документация на подготовку конструкторской документации (КД) для электронной литографии | |
Основы технологии изготовления фотошаблонов для проекционной литографии | |
Методики и нормативная документация на подготовку КД для изготовления фотошаблонов | |
Другие характеристики | Деятельность, направленная на создание топологий МИС СВЧ, являющихся интеллектуальным продуктом, защищаемым авторами как "Топология ИС" |
Наименование | Подготовка конструкторской документации для запуска МИС СВЧ в производство | Код | A/02.6 | Уровень (подуровень) квалификации | 6 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта |
Трудовые действия | Разработка методик измерений параметров тестовых структур и МИС СВЧ на пластине в соответствии с требованиями технического задания |
Проведение измерений тестовых структур и МИС СВЧ, анализ данных измерений | |
Необходимые умения | Разрабатывать нормативную документацию на методики измерений тестовых структур и СВЧ МИС |
Проводить измерение параметров на постоянном токе, в импульсном режиме и на СВЧ на современном оборудовании | |
Формировать базы данных измерений | |
Проводить статистическую обработку данных | |
Проводить метрологическую экспертизу измерений параметров | |
Составлять акты и протоколы о проведении измерений | |
Готовить и согласовывать проекты технических условий | |
Необходимые знания | Способы и методы измерений параметров тестовых структур и МИС СВЧ на пластине в соответствии с требованиями пунктов технического задания |
Статистический анализ результатов проведения измерений | |
Метрологическое обеспечение измерений | |
Нормативная документация на разработку технических условий | |
Другие характеристики | Деятельность, направленная на обеспечение производства методиками и средствами измерения параметров элементов и МИС СВЧ |
Наименование | Разработка методики испытаний, контроля и отбраковки наногетероструктурных МИС СВЧ | Код | A/03.6 | Уровень (подуровень) квалификации | 6 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта |
Трудовые действия | Разработка методик испытания параметров МИС СВЧ |
Разработка методик и критериев контроля и отбраковки МИС СВЧ | |
Необходимые умения | Проводить и контролировать процедуры приемо-сдаточных испытаний |
Согласовывать технические условия | |
Составлять протоколы приемо-сдаточных испытаний | |
Измерять вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики, частотные и динамические характеристики, устанавливать критерии их контроля | |
Необходимые знания | Методы проведения испытаний на электрические и эксплуатационные параметры |
Методы контроля параметров по постоянному току | |
Методы контроля параметров на СВЧ | |
Автоматизация зондовых измерений | |
Метрологическое обеспечение испытаний | |
Другие характеристики | Деятельность, направленная на обеспечение надежности СВЧ МИС |
Наименование | Выполнение опытно-конструкторских работ полного цикла по созданию наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральным схем (МИС СВЧ), руководство их конструированием и испытанием | Код | B | Уровень квалификации | 7 |
Происхождение обобщенной трудовой функции | Оригинал X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта |
Возможные наименования должностей | Ведущий инженер-конструктор |
Требования к образованию и обучению | Высшее образование - специалитет, магистратура |
Требования к опыту практической работы | Не менее одного года в должности инженера-конструктора |
Особые условия допуска к работе | Прохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке; инструктаж по безопасному ведению работ |
Наименование документа | Код | Наименование базовой группы, должности (профессии) или специальности |
ОКЗ | 2111 | Физики и астрономы |
2113 | Химики | |
ЕКС | Инженер-конструктор | |
ОКСО | 210100 | Электроника и микроэлектроника |
Наименование | Конструирование наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем в соответствии с техническим заданием для выбираемой технологии | Код | B/01.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта |
Трудовые действия | Разработка структурных схем и схем принципиальных МИС СВЧ, оптимизация их параметров с учетом существующих технологических маршрутов производства и технологических ограничений |
Разработка моделей элементов МИС СВЧ. Моделирование характеристик наногетероструктурных МИС СВЧ. Выбор программного обеспечения для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ | |
Выбор и обоснование типа гетероструктур и активных элементов (транзисторов, диодов), необходимых для достижения заданных основных электрических и эксплуатационных параметров МИС СВЧ | |
Необходимые умения | Проводить анализ технической литературы на русском и английском языках |
Разрабатывать конструкторскую документацию на стадии технического предложения | |
Составлять согласно стандартам технические задания на конструирование МИС СВЧ | |
Проводить оптимизацию структурных и принципиальных схем МИС СВЧ | |
Составлять планы проведения экспериментальных работ | |
Составлять математические модели анализируемых элементов МИС СВЧ | |
Рассчитывать параметры на основе математических моделей | |
Использовать результаты моделирования в проектировании МИС СВЧ | |
Встраивать модели элементов в системы автоматизации проектирования | |
Верифицировать созданные модели на основе численных и натурных экспериментов | |
Анализировать результаты измерений и методы электромагнитного и схемотехнического моделирования для разработки математических моделей элементов МИС СВЧ | |
Разрабатывать недостающие в библиотеках модели элементов МИС СВЧ на основе анализа и экспериментальных измерений тестовых пассивных и активных элементов | |
Выбирать программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ | |
Разрабатывать специальное программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ | |
Разрабатывать модели МИС СВЧ, учитывающие параметры гетероструктурных подложек, применяемых пассивных и активных элементов с помощью систем моделирования и автоматизированного проектирования, включая системы технологического проектирования (TCAD) | |
Оценивать технические и экономические риски при выборе направления конструирования МИС СВЧ | |
Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при конструировании МИС СВЧ | |
Составлять отчет по результатам моделирования и экспериментальных измерений, включающий описание полученных моделей | |
Необходимые знания | Технический английский язык |
Основы физики гетеро-эпитаксиальных структур, гетероструктурных приборов | |
Параметры полупроводниковых материалов | |
Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ | |
Основы технологии МИС СВЧ | |
Методы сквозного проектирования МИС СВЧ | |
Физические основы применения полупроводниковых соединений типа |