┌────────────────┐
│ 26 │
└────────────────┘
Регистрационный
номер
Производство интегральных схем, микросборок и ┌──────────────┐ микромодулей │ 40.007 │ _________________________________________________________ └──────────────┘ (наименование вида профессиональной деятельности) Код
┌─────────────────────────────────────────────────────────────────────────┐ │Производство наногетероструктурных сверхвысокочастотных (СВЧ) монолитных │ │интегральных схем (МИС СВЧ) с использованием нанотехнологий │ └─────────────────────────────────────────────────────────────────────────┘
2111 | Физики | 2113 | Химики |
(код ОКЗ <1>) | (наименование) | (код ОКЗ) | (наименование) |
26.11.3 | Производство интегральных электронных схем |
(код ОКВЭД <2>) | (наименование вида экономической деятельности) |
Обобщенные трудовые функции | Трудовые функции | ||||
код | наименование | уровень квалификации | наименование | код | уровень (подуровень) квалификации |
A | Моделирование, разработка и внедрение новых технологических процессов производства наногетероструктурных МИС СВЧ | 7 | Анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной электроники СВЧ | A/01.7 | 7 |
Разработка планов создания и модернизации технологических линий для освоения новых направлений в наногетероструктурной электронике СВЧ | A/02.7 | ||||
Подготовка технического задания (ТЗ) на проведение опытно-технологических работ (ОТР) по разработке новых технологических процессов производства МИС СВЧ | A/03.7 | ||||
Моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых ИС, в том числе МИС СВЧ, изготавливаемых на основе гетероструктур (TCAD) | A/04.7 | ||||
Подготовка технического задания (ТЗ) на разработку маршрутных и операционных карт производства МИС СВЧ на основе разработанной конструкторской документации (КД), документации на отработанные технологические процессы (ТП) и данных моделирования | A/05.7 | ||||
B | Подготовка комплекта технологической документации (ТД) производства наногетероструктурных МИС СВЧ, организация и сопровождение технологического процесса производства | 7 | Разработка комплекта технологической документации для производства МИС СВЧ на основе ТЗ и нормативной документации | B/01.7 | 7 |
Планирование и организация сопровождения технологического процесса производства МИС СВЧ | B/02.7 | ||||
Разработка методики входного, межоперационного и выходного контроля при производстве наногетероструктурных МИС СВЧ | B/03.7 | ||||
Реализация технологии на основе электронной литографии | B/04.7 | ||||
Реализация технологии на основе проекционной литографии | B/5.7 | ||||
Организация работы по повышению выхода годных МИС, разработка ТЗ для корректировки технологических операций | B/6.7 | ||||
C | Осуществление проектирования и изготовления методами эпитаксии наногетероструктур для ОТР и производства МИС СВЧ | 7 | Проведение расчета параметров технологического процесса эпитаксиального выращивания наногетероструктур на подложках, применяемых в СВЧ-электронике | C/1.7 | 7 |
Подготовка и квалификация машин к росту продукции | C/2.7 | ||||
Определение методик тестирования качества эпитаксиальных слоев | C/3.7 | ||||
Проведение статистического анализа поведения установки во время исследования, статистическое сопровождение по группам продукции и контроль качества по спецификации заказчика | C/4.7 | ||||
D | Проведение ОТР по разработке базовых технологических процессов МИС СВЧ | 7 | Анализ КД и ТЗ на проведение ОТР, оценка достижимости заданных параметров МИС СВЧ по выбираемой или заданной технологии | D/1.7 | 7 |
Определение базовых технологических процессов, применяемых материалов и оборудования для изготовления опытных образцов МИС СВЧ | D/2.7 | ||||
Согласование принимаемых решений с представителями заказчика, конструкторскими подразделениями, метрологической службой и другими смежными структурами организации | D/3.7 | ||||
Управление командой по реализации ОРТ | D/4.7 | ||||
Наименование | Моделирование, разработка и внедрение новых технологических процессов производства наногетероструктурных МИС СВЧ | Код | A | Уровень квалификации | 7 |
Происхождение обобщенной трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Возможные наименования должностей | Ведущий инженер-технолог Инженер-технолог |
Требования к образованию и обучению | Высшее образование - специалитет, магистратура |
Требования к опыту практической работы | Не менее одного года работы в должности инженера-технолога |
Особые условия допуска к работе | Прохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке <1>; инструктаж по безопасному ведению работ |
Наименование документа | Код | Наименование базовой группы, должности (профессии) или специальности |
ОКЗ | 2111 | Физики, химики и специалисты родственных профессий. Физики |
2113 | Физики, химики и специалисты родственных профессий. Химики | |
ЕКС <2> | - | Инженер-технолог |
ОКСО <3> | 5507002 | Электроника и микроэлектроника |
01.04.04 | Физическая электроника |
Наименование | Анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной электроники СВЧ | Код | A/01.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ применения материалов в интегральной электронике СВЧ, основанной на гетероэпитаксиальных структурах |
Анализ физических и технологических принципов разработки и изготовления активных элементов с применением новых и традиционных материалов СВЧ (гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов, низкобарьерных диодов и др.) | |
Прогноз применения материалов в наногетероструктурной электронике для определения политики организации в области производства наногетероструктурных МИС СВЧ | |
Необходимые умения | Делать обзоры по отечественным и иностранным источникам информации |
Необходимые знания | Технический английский язык |
Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур | |
Технология наногетероструктурных МИС СВЧ | |
Технологическое оборудование для производства МИС СВЧ | |
Технико-экономические и прогнозные исследования в отрасли | |
Другие характеристики | Ответственность за прогнозные оценки развития производства |
Деятельность, направленная на решение нетиповых задач технологического характера |
Наименование | Разработка планов создания и модернизации технологических линий для освоения новых направлений в наногетероструктурной электронике СВЧ | Код | A/02.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ тенденций развития технологии, технологического оборудования в области наногетероструктурной электроники СВЧ |
Разработка технически и экономически обоснованных планов развития новых производств или модернизации существующих для освоения новых направлений в производстве МИС СВЧ | |
Представление планов развития для обсуждения и принятия на научно-техническом совете (НТС) | |
Необходимые умения | Делать обзоры по отечественным и иностранным источникам информации |
Готовить планы развития | |
Готовить презентации | |
Необходимые знания | Технический английский язык |
Технология наногетероструктурных МИС СВЧ, исследования в новых направлениях | |
Технологическое оборудование для производства МИС СВЧ | |
Технико-экономические и прогнозные исследования в отрасли | |
Другие характеристики | Ответственность за прогнозные оценки развития производства |
Деятельность, направленная на решение новых задач технологического характера |
Наименование | Подготовка технического задания (ТЗ) на проведение опытно-технологических работ (ОТР) по разработке новых технологических процессов производства МИС СВЧ | Код | A/03.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ прогнозных оценок тенденций развития технологии, технологического оборудования в области наногетероструктурной электроники СВЧ |
Постановка целей и задач проведения опытно-технологических работ по разработке новых ТП производства МИС СВЧ | |
Декомпозиция задач ОТР, выделение базовых ТП и установление временных рамок и последовательности их разработки | |
Представление планов развития для обсуждения и принятия на НТС | |
Формулирование ТЗ для определенной последовательности разработки базовых технологических процессов | |
Оформление ТЗ на ОТР | |
Представление и защита разработанных ТЗ на НТС | |
Необходимые умения | Формулировать цели, задачи, разрабатывать и согласовывать ТЗ на проведение связанных системно ОТР |
Необходимые знания | Физика и технология наногетероструктурных МИС СВЧ, исследования в новых направлениях |
Системный анализ | |
Методы декомпозиции сложных задач | |
Технологическое оборудование для производства МИС СВЧ | |
Технико-экономическое обоснование развития отрасли | |
Стандарты на проведение опытно-технологических работ | |
Другие характеристики | Ответственность за развитие производства |
Деятельность, направленная на решение новых задач технологического характера |
Наименование | Моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых ИС, в том числе МИС СВЧ, изготавливаемых на основе гетероструктур (TCAD) | Код | A/04.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ требований КД на МИС СВЧ |
Выбор на основе опыта и в соответствии с ТЗ и КД материалов и типа наногетероструктуры | |
Моделирование наногетероструктур, определение их параметров, необходимых для расчета активных элементов (СВЧ-транзисторов, диодов) с использованием TCAD и других программных продуктов | |
Моделирование технологического процесса изготовления активных элементов, определение параметров ТП на основе данных моделирования | |
Моделирование технологических операций изготовления пассивных элементов - линий передачи, конденсаторов, резисторов, мостов и др. | |
Отчет о результатах моделирования, согласование его с руководителем и передача технологу для использования при разработке ТД | |
Необходимые умения | Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ |
Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ | |
Необходимые знания | Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов |
Параметры полупроводниковых материалов | |
Современные системы моделирования и проектирования СВЧ-устройств и МИС СВЧ | |
Основы технологии МИС СВЧ | |
Методы сквозного проектирования МИС СВЧ | |
Единая система технологической документации (ЕСТД), нормативная документация, регламенты, принятые в организации | |
ГОСТ по постановке продукции на производство | |
Другие характеристики | Самостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работ |
Деятельность, направленная на подготовку заданий на конструирование МИС СВЧ |
Наименование | Подготовка технического задания (ТЗ) на разработку маршрутных и операционных карт производства МИС СВЧ на основе разработанной конструкторской документации (КД), документации на отработанные технологические процессы (ТП) и данных моделирования | Код | A/05.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ требований КД на МИС СВЧ, а также данных моделирования наногетероструктур, активных и пассивных элементов |
Оценка на основе опыта и экспериментальных данных реализуемости технологии изготовления на МИС СВЧ и возможных рисков | |
Выбор на основе нормативных документов ТП, в наиболее полном виде обеспечивающих требования к параметрам МИС СВЧ | |
Составление ТЗ на разработку ТД с учетом требований КД | |
Согласование ТЗ в соответствии с регламентом, принятым в организации | |
Необходимые умения | Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ |
Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ | |
Составлять согласно стандартам технические задания на разработку ТД МИС СВЧ | |
Оформлять ТД для сопровождения производства МИС СВЧ | |
Взаимодействовать с коллективами цехов, участков | |
Необходимые знания | Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов |
Параметры полупроводниковых материалов | |
Современные системы моделирования и проектирования СВЧ-устройств и МИС СВЧ | |
Основы технологии МИС СВЧ | |
Методы сквозного проектирования МИС СВЧ | |
ЕСТД, нормативная документация, регламенты, принятые в организации | |
Стандарты по постановке продукции на производство | |
Другие характеристики | Самостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работ |
Деятельность, направленная на подготовку заданий на разработку технологических процессов МИС СВЧ |
Наименование | Подготовка комплекта технологической документации (ТД) производства наногетероструктурных МИС СВЧ, организация и сопровождение технологического процесса производства | Код | B | Уровень квалификации | 7 |
Происхождение обобщенной трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Возможные наименования должностей | Ведущий инженер-технолог Инженер-технолог |
Требования к образованию и обучению | Высшее образование - специалитет, магистратура |
Требования к опыту практической работы | Не менее одного года работы в должности инженера-технолога |
Особые условия допуска к работе | Прохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке; инструктаж по безопасному ведению работ |
Наименование документа | Код | Наименование базовой группы, должности (профессии) или специальности |
ОКЗ | 2111 | Физики, химики и специалисты родственных профессий. Физики |
2113 | Физики, химики и специалисты родственных профессий. Химики | |
ЕКС | - | Инженер-технолог |
ОКСО | 5507002 | Электроника и микроэлектроника |
01.04.04 | Физическая электроника |
Наименование | Разработка комплекта технологической документации для производства МИС СВЧ на основе ТЗ и нормативной документации | Код | B/01.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ КД и ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к технологии производства |
Обоснование выбора маршрутной технологии | |
Разработка маршрутных карт ТП изготовления МИС СВЧ | |
Расчет технологических режимов операций | |
Разработка операционных карт ТП | |
Оформление технологической документации на ТП, согласование ее в соответствии с установленными регламентами | |
Необходимые умения | Работать с нормативной документацией |
Работать в системе автоматизации проектирования (САПР) подготовки ТД для производства МИС СВЧ | |
Необходимые знания | Технология производства МИС СВЧ |
Стандарты для подготовки технологической документации | |
САПР подготовки ТД | |
Другие характеристики | Ответственность за качество технологической документации на производство МИС СВЧ |
Наименование | Планирование и организация сопровождения технологического процесса производства МИС СВЧ | Код | B/02.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Тестовый запуск, сопровождение и контроль выполнения технологических операций в ходе изготовления экспериментальной партии МИС СВЧ |
Анализ данных измерения параметров тестовых структур МИС СВЧ, внесение предложений по коррекции режимов в технологическую документацию | |
Сопровождение установившегося технологического процесса производства МИС СВЧ: формирование баз данных измерения и контроля, составление протоколов и актов контроля параметров МИС | |
Анализ данных измерений и контроля, предложения об изменении параметров ТП | |
Необходимые умения | Проводить анализ технологической документации |
Работать на части технологического оборудования | |
Необходимые знания | Стандарты на ТД: нормативная документация отрасли, организации на технологические процессы |
Основы технологии МИС СВЧ | |
Система менеджмента качества (СМК) | |
Другие характеристики | Профессиональная деятельность, направленная на согласование работ группы инженеров-конструкторов и инженеров-технологов |
Наименование | Разработка методики входного, межоперационного и выходного контроля при производстве наногетероструктурных МИС СВЧ | Код | B/03.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ ТЗ в части требований к параметрам исходных материалов и выполнения отдельных операций при изготовлении МИС СВЧ |
Разработка методик, выбор оборудования входного контроля материалов, используемых в производстве МИС СВЧ: подложек, металлов, диэлектриков и др. | |
Разработка методик, выбор оборудования межоперационного контроля на тестовых структурах и элементах МИС СВЧ | |
Разработка методик, выбор оборудования выходного контроля на тестовых структурах и МИС СВЧ | |
Руководство проведением всех видов контроля | |
Формирование базы данных всех видов контроля | |
Статистическая обработка данных контроля с оформлением протоколов и заключений | |
Необходимые умения | Работать на оборудовании входного, межоперационного и выходного контроля при производстве наногетероструктурных МИС СВЧ |
Необходимые знания | Методы контроля параметров МИС СВЧ и технологических процессов |
Другие характеристики | Ответственность за контроль качества МИС СВЧ |
Наименование | Реализация технологии на основе электронной литографии | Код | B/04.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ КД и ТЗ в части требований к реализации ТП на основе электронной литографии |
Техническая проверка исходных файлов топологии МИС СВЧ для проведения электронной литографии | |
Руководство подготовкой подложек для проведения операций экспонирования фоторезистов на установке электронной литографии | |
Подготовка установки электронной литографии к проведению операций прорисовки топологии | |
Руководство реализацией операций резист-процессинга после экспонирования подложек | |
Измерение параметров тестовых структур и элементов МИС СВЧ на подложке, оформление протокола и внесение данных в базу данных участка электронной литографии | |
Передача подложки на следующий участок в соответствии с маршрутной картой | |
Регламентные работы по тестированию установки электронной литографии | |
Необходимые умения | Работать с нормативной документацией |
Работать в САПР подготовки ТД для производства МИС СВЧ | |
Необходимые знания | Методы электронной литографии |
Технология производства МИС СВЧ на основе электронной литографии | |
Стандарты для подготовки технологической документации | |
САПР подготовки файлов топологии для электронной литографии | |
Другие характеристики | Ответственность за качество ТП, основанного на электронной литографии |
Наименование | Реализация технологии на основе проекционной литографии | Код | B/05.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ КД и ТЗ в части требований к реализации ТП на основе проекционной литографии |
Техническая проверка исходных файлов топологии МИС СВЧ для изготовления фотошаблонов | |
Руководство изготовлением комплекта фотошаблонов в соответствии с ТЗ | |
Руководство подготовкой подложек для проведения последовательности операций ТП, основанного на проекционной литографии (фотолитографии) | |
Подготовка установки проекционной литографии к проведению операций | |
Руководство реализацией последовательности операций изготовления МИС СВЧ после экспонирования подложек | |
Измерение параметров тестовых структур и элементов МИС СВЧ на подложке, оформление протокола и внесение данных в базу данных участка проекционной литографии | |
Передача подложки на следующий участок в соответствии с маршрутной картой | |
Регламентные работы по тестированию установок проекционной литографии | |
Необходимые умения | Работать с нормативной документацией |
Работать в САПР подготовки ТД для производства МИС СВЧ | |
Необходимые знания | Технология производства МИС СВЧ на основе проекционной литографии |
Стандарты для подготовки технологической документации | |
САПР подготовки файлов топологии для проекционной литографии | |
Другие характеристики | Ответственность за качество ТП проекционной литографии |
Наименование | Организация работы по повышению выхода годных МИС, разработка ТЗ для корректировки технологических операций | Код | B/06.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Разработка методик статистической обработки данных по уровню отклонений параметров и брака на пластинах наногетероструктурных МИС СВЧ |
Анализ причин отклонений, отказов и связывание их с исходными параметрами материалов гетероструктур, технологических операций, топологии | |
Составление программы дополнительных исследований и измерений | |
Подготовка рекомендации по устранению причин отклонений параметров и брака МИС СВЧ | |
Разработка ТЗ для корректировки технологических операций и других мероприятий на основе анализа причин отклонений параметров и отказов | |
Необходимые умения | Разрабатывать и владеть методиками статистической обработки данных |
Владеть методиками межоперационного контроля | |
Анализировать результаты экспериментов | |
Разрабатывать ТЗ | |
Владеть методологией СМК | |
Необходимые знания | Методы планирования эксперимента |
Методы и методики статистического анализа | |
Теория допусков и теория чувствительности | |
Другие характеристики | Ответственность за процент выхода годных МИС |
Деятельность, направленная на решение задач повышения эффективности организации |
Наименование | Осуществление проектирования и изготовления методами эпитаксии наногетероструктур для ОТР и производства МИС СВЧ | Код | C | Уровень квалификации | 7 |
Происхождение обобщенной трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Возможные наименования должностей | Ведущий инженер-технолог Инженер-технолог |
Требования к образованию и обучению | Высшее образование - специалитет, магистратура |
Требования к опыту практической работы | Не менее одного года работы в должности инженера-технолога |
Особые условия допуска к работе | Прохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке; инструктаж по безопасному ведению работ |
Наименование документа | Код | Наименование базовой группы, должности (профессии) или специальности |
ОКЗ | 2111 | Физики, химики и специалисты родственных профессий. Физики |
2113 | Физики, химики и специалисты родственных профессий. Химики | |
ЕКС | - | Инженер-технолог |
ОКСО | 5507002 | Электроника и микроэлектроника |
01.04.04 | Физическая электроника, технические науки |
Наименование | Проведение расчета параметров технологического процесса эпитаксиального выращивания наногетероструктур на подложках, применяемых в СВЧ-электронике | Код | C/01.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к материалам и типу наногетероструктуры |
Обоснование выбора машины для проведения эпитаксии | |
Расчет технологических режимов выращивания эпитаксиальных слоев | |
Моделирование роста гетероструктур с применением TCAD | |
Разработка технологической документации на изготовление гетероструктур | |
Необходимые умения | Работать на машинах молекулярно-лучевой эпитаксии |
Необходимые знания | Технический английский язык |
Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур | |
Методы эпитаксии для производства гетероструктур, применяемых в наноэлектронике СВЧ | |
Работа с установками сверхвысокого вакуума | |
Другие характеристики | Ответственность за качество исходных материалов для МИС СВЧ |
Наименование | Подготовка и квалификация машин к росту продукции | Код | C/02.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Выполнение регламента подготовки машины к проведению ТП выращивания наногетероструктуры |
Подготовка материалов для проведения эпитаксии | |
Проведение роста наногетероструктур в соответствии с ТП | |
Необходимые умения | Работать на машинах молекулярно-лучевой эпитаксии |
Необходимые знания | Технический английский язык |
Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур | |
Технология молекулярно-лучевой эпитаксии | |
Работа с установками сверхвысокого вакуума | |
Другие характеристики | Ответственность за качество исходных материалов для МИС СВЧ |
Наименование | Определение методик тестирования качества эпитаксиальных слоев | Код | C/03.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Выбор методов и технических средств для тестирования эпитаксиальных слоев наногетероструктур |
Измерение основных параметров в процессе эпитаксии | |
Измерение параметров выращенных структур при завершении процесса эпитаксии | |
Формирование базы данных результатов тестирования и измерения | |
Необходимые умения | Работать с приборами и установками измерения параметров наногетероструктур |
Необходимые знания | Методы измерения и тестирования параметров наногетероструктур |
Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур | |
Другие характеристики | Ответственность за качество исходных материалов для МИС СВЧ |
Наименование | Проведение статистического анализа поведения установки во время исследования, статистическое сопровождение по группам продукции и контроль качества по спецификации заказчика | Код | C/04.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Формирование базы данных параметров установки во время реализации процесса роста |
Анализ путем статистической обработки точности выполнения операций и результаты роста | |
Анализ данных статистической обработки об отклонениях в реализации роста и выработка корректирующих действий в следующей загрузке | |
Оформление сдаточных документов с сертификатом наногетероструктур для заказчика | |
Необходимые умения | Проводить статистический анализ |
Оформлять протоколы и сертификаты (паспорта) продукции | |
Необходимые знания | Методы статистической обработки данных |
Теория и практика управления технологическими процессами | |
Другие характеристики | Ответственность за качество исходных материалов для МИС СВЧ |
Наименование | Проведение ОТР по разработке базовых технологических процессов МИС СВЧ | Код | D | Уровень квалификации | 7 |
Происхождение обобщенной трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Возможные наименования должностей | Ведущий инженер-технолог |
Требования к образованию и обучению | Высшее образование - специалитет, магистратура |
Требования к опыту практической работы | Не менее одного года работы в должности инженера-технолога |
Особые условия допуска к работе | Прохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке; инструктаж по безопасному ведению работ |
Наименование документа | Код | Наименование базовой группы, должности (профессии) или специальности |
ОКЗ | 2111 | Физики, химики и специалисты родственных профессий. Физики |
2113 | Физики, химики и специалисты родственных профессий. Химики | |
ЕКС | - | Инженер-технолог |
ОКСО | 5507002 | Электроника и микроэлектроника |
01.04.04 | Физическая электроника |
Наименование | Анализ КД и ТЗ на проведение ОТР, оценка достижимости заданных параметров МИС СВЧ по выбираемой или заданной технологии | Код | D/01.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ экспериментальных данных предыдущих разработок |
Оценка достижимости параметров путем моделирования основных электрических и эксплуатационных параметров, а также технологии изготовления активных и пассивных элементов МИС СВЧ | |
Организация проведения экспертных оценок достижимости заданных параметров по ТЗ | |
Разработка предложений о коррекции ТЗ на ОТР (в случае критичности достижения отдельных параметров) | |
Необходимые умения | Разрабатывать и владеть методами моделирования элементов и МИС в СВЧ-диапазоне |
Владеть методиками экспертных оценок | |
Владеть методологией СМК | |
Необходимые знания | Методы моделирования активных и пассивных элементов МИС СВЧ |
Методики экспертных оценок | |
Другие характеристики | Ответственность за корректность оценки ТЗ на реализуемость |
Наименование | Определение базовых технологических процессов, применяемых материалов и оборудования для изготовления опытных образцов МИС СВЧ | Код | D/02.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Анализ технического задания на ОТР, определение базовых технологических процессов для реализации целей ОТР |
Обоснование применения материалов, используемых при производстве МИС СВЧ | |
Разработка перечня оборудования для реализации технологического процесса производства МИС | |
Разработка технико-экономического обоснования выбранных решений | |
Защита на НТС обоснованных технологических решений реализации ОТР | |
Необходимые умения | Оформлять технические решения в виде пояснительной записки, презентации, согласовывать их в соответствии с установленным регламентом и представлять на НТС |
Необходимые знания | Системный анализ |
Нормативная документация и описания базовых технологических процессов | |
Основы материаловедения применительно к электронике СВЧ | |
Методики проведения технико-экономических исследований при производстве высокотехнологичной продукции | |
Другие характеристики | Профессиональная деятельность, направленная на развитие инновационных разработок |
Наименование | Согласование принимаемых решений с представителями заказчика, конструкторскими подразделениями, метрологической службой и другими смежными структурами организации | Код | D/03.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Разработка комплекса согласованных мероприятий по улучшению параметров технологического процесса и МИС СВЧ |
Системный анализ влияния принимаемых согласованных решений на качественное и количественное улучшение основных параметров технологического процесса и МИС СВЧ | |
Необходимые умения | Принимать согласованные решения |
Владеть методологией СМК | |
Необходимые знания | Системный анализ |
Теория и практика принятия оптимальных решений | |
Процессный метод системы менеджмента качества | |
Другие характеристики | Ответственность за конечный результат, удовлетворяющий заказчика и имеющий перспективу производства электронных компонент СВЧ-техники |
Наименование | Управление командой по реализации ОТР | Код | D/04.7 | Уровень (подуровень) квалификации | 7 |
Происхождение трудовой функции | Оригинал | X | Заимствовано из оригинала | ||
Код оригинала | Регистрационный номер профессионального стандарта | ||||
Трудовые действия | Постановка частных задач исследовательским и производственным коллективам для достижения основного результата |
Контроль и оценка достижений заданных результатов | |
Необходимые умения | Декомпозировать ТЗ без потери системности |
Принимать согласованные решения | |
Владеть методологией СМК | |
Необходимые знания | Системный анализ |
Теория и практика принятия оптимальных решений | |
Процессный метод системы менеджмента качества | |
Другие характеристики | Ответственность за выполнение всех требований ТЗ на ОТР |
┌─────────────────────────────────────────────────────────────────────────┐ │ Фонд инфраструктурных и образовательных программ (РОСНАНО) │ │ │ │ Генеральный директор Свинаренко Андрей Геннадьевич │ └─────────────────────────────────────────────────────────────────────────┘
1. | Автономная некоммерческая организация "Национальное агентство развития квалификаций", город Москва |
2. | ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран", город Томск |
3. | ОАО НИИ Полупроводниковых приборов, город Томск |
4. | ООО "НПФ "Сенсерия", город Томск |
5. | ООО "НПФ "Сибтроника", город Томск |
6. | ООО "РИД", город Томск |
7. | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР), город Томск |