НАЛОГИ И ПРАВО
НАЛОГОВОЕ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВО КОММЕНТАРИИ И СУДЕБНАЯ ПРАКТИКА ИЗМЕНЕНИЯ В ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВЕ
Налоговый кодекс
Минфин РФ

ФНС РФ

Кодексы РФ

Популярные материалы

Подборки

Постановление Правительства РФ от 08.09.2011 N 763 "О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы"

"О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы"
ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ПОСТАНОВЛЕНИЕ
от 8 сентября 2011 г. N 763
О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ
В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ
КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ
Правительство Российской Федерации постановляет:
Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы, утвержденную Постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. N 809 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, N 51, ст. 6361; 2009, N 9, ст. 1130).
Председатель Правительства
Российской Федерации
В.ПУТИН
Утверждены
Постановлением Правительства
Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. N 763
ИЗМЕНЕНИЯ,
КОТОРЫЕ ВНОСЯТСЯ В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ
"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ
1. В паспорте Программы:
а) позицию, касающуюся государственных заказчиков Программы, изложить в следующей редакции:
"Государственные        - Министерство промышленности и торговли
заказчики Программы       Российской Федерации,
                          Федеральное космическое агентство,
                          Министерство образования и науки
                          Российской Федерации,
                          Федеральная служба по техническому и
                          экспортному контролю, Государственная
                          корпорация по атомной энергии "Росатом";
б) в позиции, касающейся важнейших целевых индикатора и показателей:
в абзаце втором слова "Ожидается, что в 2008 году в организациях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит" заменить словами "В организациях микроэлектроники в 2008 году освоен технологический уровень 0,18 мкм, что позволило обеспечить";
в абзаце третьем цифры "0,09" заменить цифрами "0,13";
в абзаце пятом цифры "64" заменить цифрами "62", цифры "117" заменить цифрами "114";
в) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы:
в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366";
в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71", цифры "66000" заменить цифрами "63908,3", цифры "44000" заменить цифрами "42936,41";
в абзаце третьем цифры "77000" заменить цифрами "72379,656;
г) в позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности:
в абзаце тринадцатом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640";
в абзаце четырнадцатом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".
2. Предложения третье и четвертое абзаца четвертого подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II заменить текстом следующего содержания: "В результате реализации Программы в 41 организации электронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации будут созданы центры проектирования, а в 96 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Кроме того, техническое перевооружение будет осуществлено в одной организации, подведомственной Федеральной службе по техническому и экспортному контролю. Также к 2015 году центры проектирования будут созданы в 21 организации Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", Федерального космического агентства и Министерства образования и науки Российской Федерации, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, а в 17 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.".
3. В разделе IV:
а) в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366";
б) в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71";
в) в абзаце третьем цифры "66000" заменить цифрами "63908,3";
г) в абзаце четвертом цифры "44000" заменить цифрами "42936,41";
д) в абзаце пятом цифры "77000" заменить цифрами "72379,656";
е) в абзаце седьмом цифры "33000" заменить цифрами "32500".
4. В абзаце десятом раздела V слова "Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию" заменить словами "Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная служба по техническому и экспортному контролю".
5. В разделе VI:
а) в абзаце пятом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4";
б) в абзаце шестом цифры "64374,4" заменить цифрами "64554,9";
в) в абзаце седьмом цифры "125045,9" заменить цифрами "131640";
г) в абзаце девятом цифры "1,52" заменить цифрами "1,54";
д) в абзаце десятом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".
6. Приложения N 1 - 4 к указанной Программе изложить в следующей редакции:
Приложение N 1
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы
(в редакции Постановления
Правительства Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. N 763)
ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ
РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ
"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ
─────────────────────────────────┬─────────────┬──────────┬──────────┬─────────┬──────────┬──────────┬──────────┬──────────┬──────────┬───────────
                                 │   Единица   │ 2007 год │ 2008 год │2009 год │ 2010 год │ 2011 год │ 2012 год │ 2013 год │ 2014 год │ 2015 год
                                 │  измерения  │          │          │         │          │          │          │          │          │
─────────────────────────────────┴─────────────┴──────────┴──────────┴─────────┴──────────┴──────────┴──────────┴──────────┴──────────┴───────────
                                                   Индикатор

 Достигаемый технологический           мкм         0,18       0,18       0,13       0,13       0,09      0,09       0,09       0,09       0,045
 уровень электроники

                                                  Показатели

 Увеличение объемов продаж        млрд. рублей      19         58         70         95        130       170        210         250        300
 изделий электронной и
 радиоэлектронной техники

 Количество разработанных               -          3 - 5     16 - 20    80 - 90  125 - 135  179 - 185    210        230         250     260 - 270
 базовых технологий в области
 электронной компонентной базы и
 радиоэлектроники (нарастающим
 итогом)

 Количество объектов                    -           1           8         10        14         30         30         31          31        42
 реконструкции и технического
 перевооружения производств для
 создания базовых центров
 системного проектирования в
 организациях Минпромторга
 России (нарастающим итогом)

 Количество объектов                    -           -           -          -         -          1          1          1           4        4
 реконструкции и технического
 перевооружения производств для
 создания базовых центров
 системного проектирования в
 организациях Росатома,
 производящих продукцию
 в интересах радиоэлектронного
 комплекса (нарастающим итогом)

 Количество объектов                    -           -           -          -         -          -          1          3           3        10
 реконструкции и технического
 перевооружения производств для
 создания базовых центров
 системного проектирования в
 организациях Роскосмоса,
 производящих продукцию в
 интересах радиоэлектронного
 комплекса (нарастающим итогом)

 Количество объектов                    -           -           1          1         2          2          3          5           5        7
 реконструкции и технического
 перевооружения производств для
 создания базовых центров
 системного проектирования в
 организациях Минобрнауки России,
 производящих продукцию в
 интересах радиоэлектронного
 комплекса (нарастающим итогом)

 Количество объектов                    -           -           1          5         8         18         21         25          25        96
 реконструкции и технического
 перевооружения радиоэлектронных
 производств в организациях
 Минпромторга России
 (нарастающим итогом)

 Количество объектов                    -           -           -          -         -          -          1          1           1        1
 реконструкции и технического
 перевооружения радиоэлектронных
 производств в организациях
 ФСТЭК России
 (нарастающим итогом)

 Количество объектов                    -           -           -          -         -          -          -          1           1        9
 реконструкции и технического
 перевооружения радиоэлектронных
 производств в организациях
 Росатома, производящих
 продукцию в интересах
 радиоэлектронного комплекса
 (нарастающим итогом)

 Количество объектов                    -           -           -          -         -          -          -          1            1       8
 реконструкции и технического
 перевооружения радиоэлектронных
 производств в организациях
 Роскосмоса, производящих
 продукцию в интересах
 радиоэлектронного комплекса
 (нарастающим итогом)

 Количество завершенных                 -           1           3          9       9 - 10    10 - 12    12 - 14   14 - 16    16 - 18    20 - 22
 поисковых технологических
 научно-исследовательских работ
 (нарастающим итогом)

 Количество реализованных               -           4        11 - 12    16 - 20   22 - 25    36 - 40    41 - 45   45 - 50    50 - 55    55 - 60
 мероприятий по созданию
 электронной компонентной базы,
 соответствующей мировому уровню
 (типов, классов новой
 электронной компонентной базы)
 (нарастающим итогом)

 Количество создаваемых                 -           450       1020 -     1800 -    3000 -     3800 -     4100 -     4400 -    4700 -       5000 -
 рабочих мест (нарастающим                                     1050       2200      3800       4100       4400       4700      5000         6000
 итогом)
──────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────
Приложение N 2
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы
(в редакции Постановления
Правительства Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. N 763
ПЕРЕЧЕНЬ
МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
────────────────────────────────┬──────────┬──────────────────────────────────────────────────────────────────────────┬──────────────────────────────
           Мероприятия          │  2008 -  │                               В том числе                                │    Ожидаемые результаты
                                │2015 годы ├────────┬──────────┬─────────┬─────────┬────────┬───────┬─────────┬───────┤
                                │ - всего  │  2008  │   2009   │  2010   │  2011   │  2012  │ 2013  │  2014   │ 2015  │
                                │          │  год   │   год    │   год   │   год   │  год   │  год  │   год   │  год  │
────────────────────────────────┴──────────┴────────┴──────────┴─────────┴─────────┴────────┴───────┴─────────┴───────┴──────────────────────────────
                                                I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

                                                      Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника

  1.   Разработка технологии      128,624      66      62,624                                                          создание базовой технологии
       производства мощных        -------      --      ------                                                          производства мощных
       сверхвысокочастотных          84        44        40                                                            сверхвысокочастотных
       транзисторов на основе                                                                                          транзисторов на основе
       гетероструктур                                                                                                  гетероструктур материалов
       материалов группы A B                                                                                           группы A B  для бортовой и
                          3 5                                                                                                  3 5
                                                                                                                       наземной аппаратуры (2009
                                                                                                                       год), разработка комплектов
                                                                                                                       документации в стандартах
                                                                                                                       единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  2.   Разработка базовой          208,25               30,5      39,5      53,25     31,8    53,2                     создание базовой технологии
       технологии производства     ------               ----      ----      -----     ----    ----                     производства монолитных
       монолитных                  137,7                 20        26       35,5      21,2     35                      сверхвысокочастотных
       сверхвысокочастотных                                                                                            микросхем и объемных приемо-
       микросхем и объемных                                                                                            передающих
       приемо-передающих                                                                                               сверхвысокочастотных
       сверхвысокочастотных                                                                                            субмодулей X-диапазона на
       субмодулей X-диапазона                                                                                          основе гетероструктур
                                                                                                                       материалов группы A B  для
                                                                                                                                          3 5
                                                                                                                       бортовой и наземной
                                                                                                                       аппаратуры радиолокации,
                                                                                                                       средств связи (2013 год),
                                                                                                                       разработка комплектов
                                                                                                                       документации в стандартах
                                                                                                                       единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  3.   Разработка базовой          212,75    141,75      71                                                            создание технологии
       технологии производства    -------    ------      --                                                            производства мощных
       мощных                      134,75    87,75       47                                                            транзисторов
       сверхвысокочастотных                                                                                            сверхвысокочастотного
       полупроводниковых                                                                                               диапазона на основе
       приборов на основе                                                                                              нитридных
       нитридных гетеро-                                                                                               гетероэпитаксиальных
       эпитаксиальных структур                                                                                         структур для техники связи,
                                                                                                                       радиолокации (2009 год)

  4.   Разработка базовой           531                  20       77,5      163,5     118      152                     создание технологии
       технологии и библиотеки      ---                  --       ----      ----      ---      ---                     производства на основе
       элементов для                375                  17        65        109       80      104                     нитридных
       проектирования и                                                                                                гетероэпитаксиальных
       производства монолитных                                                                                         структур мощных
       интегральных схем                                                                                               сверхвысокочастотных
       сверхвысокочастотного                                                                                           монолитных интегральных схем
       диапазона на основе                                                                                             с рабочими частотами до 20
       нитридных                                                                                                       ГГц для техники связи,
       гетероэпитаксиальных                                                                                            радиолокации (2013 год),
       структур                                                                                                        разработка комплектов
                                                                                                                       документации в стандартах
                                                                                                                       единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  5.   Разработка базовой         149,257    85,757     63,5                                                           создание базовой технологии
       технологии производства    -------    -----      ----                                                           производства компонентов для
       сверхвысокочастотных        101,7      59,7       42                                                            сверхвысокочастотных
       компонентов и                                                                                                   интегральных схем диапазона
       сложнофункциональных                                                                                            2 - 12 ГГц с высокой
       блоков для                                                                                                      степенью интеграции для
       сверхвысокочастотных                                                                                            аппаратуры радиолокации и
       интегральных схем                                                                                               связи бортового и наземного
       высокой степени                                                                                                 применения, а также бытовой
       интеграции на основе                                                                                            и автомобильной электроники
       гетероструктур "кремний                                                                                         (2009 год), разработка
       - германий"                                                                                                     комплектов документации в
                                                                                                                       стандартах единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  6.   Разработка базовой          248,55               5,6       65,8     177,15                                      создание базовой технологии
       технологии производства     ------               ---       ----      -----                                      производства
       сверхвысокочастотных        158,1                 5         35       118,1                                      сверхвысокочастотных
       интегральных схем                                                                                               интегральных схем диапазона
       высокой степени                                                                                                 2 - 12 ГГц с высокой
       интеграции на основе                                                                                            степенью интеграции для
       гетероструктур                                                                                                  аппаратуры радиолокации и
       "кремний - германий"                                                                                            связи бортового и наземного
                                                                                                                       применения, а также бытовой
                                                                                                                       и автомобильной электроники
                                                                                                                       (2011 год), разработка
                                                                                                                       комплектов документации в
                                                                                                                       стандартах единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  7.   Разработка аттестованных   448,408     253     195,408                                                          разработка аттестованных
       библиотек                   ------     ---     -------                                                          библиотек
       сложнофункциональных        308,75     169      139,75                                                          сложнофункциональных блоков
       блоков для                                                                                                      для проектирования широкого
       проектирования                                                                                                  спектра сверхвысокочастотных
       сверхвысокочастотных и                                                                                          интегральных схем на SiGe с
       радиочастотных                                                                                                  рабочими частотами до 150
       интегральных                                                                                                    ГГц, разработка комплектов
       схем на основе                                                                                                  документации в стандартах
       гетероструктур "кремний                                                                                         единой системы
       - германий"                                                                                                     конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации,
                                                                                                                       ввод в эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  8.   Разработка базовых          217,44                47       80,09     58,95      17     14,4                     создание базовых технологий
       технологий                  ------                --       -----     -----     ----    ----                     проектирования на основе
       проектирования кремний-      142                  30        52       39,3      11,3     9,4                     библиотеки
       германиевых                                                                                                     сложнофункциональных блоков
       сверхвысокочастотных и                                                                                          широкого спектра
       радиочастотных                                                                                                  сверхвысокочастотных
       интегральных схем на                                                                                            интегральных схем на SiGe с
       основе аттестованной                                                                                            рабочими частотами до 150
       библиотеки                                                                                                      ГГц (2013 год), разработка
       сложнофункциональных                                                                                            комплектов документации в
       блоков                                                                                                          стандартах единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  9.   Разработка базовых          114,9       60       54,9                                                           создание базовых технологий
       технологий производства     -----       --       ----                                                           производства элементной базы
       элементной базы для ряда      74        40        34                                                            для высокоплотных источников
       силовых герметичных                                                                                             вторичного электропитания
       модулей высокоплотных                                                                                           сверхвысокочастотных
       источников вторичного                                                                                           приборов и узлов аппаратуры
       электропитания вакуумных                                                                                        (2009 год), разработка
       и твердотельных                                                                                                 комплектов документации в
       сверхвысокочастотных                                                                                            стандартах единой системы
       приборов и узлов                                                                                                конструкторской,
       аппаратуры                                                                                                      технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  10.  Разработка базовых         126,913                        79,513     47,4                                       создание базовых конструкций
       технологий производства    -------                        ------     ----                                       и технологии производства
       ряда силовых герметичных     73,1                          41,5      31,6                                       высокоэффективных,
       модулей высокоплотных                                                                                           высокоплотных источников
       источников вторичного                                                                                           вторичного электропитания
       электропитания вакуумных                                                                                        сверхвысокочастотных
       и твердотельных                                                                                                 приборов и узлов аппаратуры
       сверхвысокочастотных                                                                                            на основе гибридно-пленочной
       приборов и узлов                                                                                                технологии с применением
       аппаратуры                                                                                                      бескорпусной элементной базы
                                                                                                                       (2011 год), разработка
                                                                                                                       комплектов документации в
                                                                                                                       стандартах единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  11.  Разработка базовых           226      151,2      74,8                                                           создание технологии
       конструкций и технологии     ---      -----      ----                                                           массового производства ряда
       производства корпусов        152       102        50                                                            корпусов мощных
       мощных                                                                                                          сверхвысокочастотных
       сверхвысокочастотных                                                                                            приборов для "бессвинцовой"
       транзисторов X- , C-, S-,                                                                                       сборки (2009 год),
       L- и P-диапазонов из                                                                                            разработка комплектов
       малотоксичных материалов                                                                                        документации в стандартах
       с высокой                                                                                                       единой системы
       теплопроводностью                                                                                               конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  12.  Разработка базовых           83,5                 13       40,5       30                                        создание базовых
       конструкций                  ----                 --       ----       --                                        конструктивных рядов
       теплоотводящих элементов      55                  8         27        20                                        элементов систем охлаждения
       систем охлаждения                                                                                               аппаратуры X- и C-диапазонов
       сверхвысокочастотных                                                                                            наземных, корабельных и
       приборов X- и C-                                                                                                воздушно-космических
       диапазонов на основе                                                                                            комплексов
       новых материалов

  13.  Разработка базовой           109                            64        45                                        создание технологии
       технологии производства      ---                            --        --                                        массового производства
       теплоотводящих элементов      62                            32        30                                        конструктивного ряда
       систем охлаждения                                                                                               элементов систем охлаждения
       сверхвысокочастотных                                                                                            аппаратуры X- и C-диапазонов
       приборов X- и C-                                                                                                наземных, корабельных и
       диапазонов на основе                                                                                            воздушно-космических
       новых материалов                                                                                                комплексов (2011 год),
                                                                                                                       разработка комплектов
                                                                                                                       документации в стандартах
                                                                                                                       единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  14.  Разработка базовых            13                  13                                                            создание технологии
       технологий производства       --                  --                                                            массового производства
       суперлинейных кремниевых      8                   8                                                             конструктивного ряда
       сверхвысокочастотных                                                                                            сверхвысокочастотных
       транзисторов S- и L-                                                                                            транзисторов S- и L-
       диапазонов                                                                                                      диапазонов для техники
                                                                                                                       связи, локации и контрольной
                                                                                                                       аппаратуры (2009 год),
                                                                                                                       разработка комплектов
                                                                                                                       документации в стандартах
                                                                                                                       единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  15.  Разработка                  208,9                          139,9      69                                        создание конструктивно-
       конструктивно-              -----                          -----      --                                        параметрического ряда
       параметрического ряда       115,9                          69,9       46                                        сверхвысокочастотных
       суперлинейных                                                                                                   транзисторов S- и L-
       кремниевых                                                                                                      диапазонов для техники
       сверхвысокочастотных                                                                                            связи, локации и контрольной
       транзисторов S- и L-                                                                                            аппаратуры, разработка
       диапазонов                                                                                                      комплектов документации в
                                                                                                                       стандартах единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  16.  Разработка технологии         32        18        14                                                            разработка метрологической
       измерений и базовых           --        --        --                                                            аппаратуры нового поколения
       конструкций установок         22        12        10                                                            для исследования и контроля
       автоматизированного                                                                                             параметров полупроводниковых
       измерения параметров                                                                                            структур, активных элементов
       нелинейных моделей                                                                                              и сверхвысокочастотных
       сверхвысокочастотных                                                                                            монолитных интегральных схем
       полупроводниковых                                                                                               в производстве и при их
       структур, мощных                                                                                                использовании
       транзисторов и
       сверхвысокочастотных
       монолитных интегральных
       схем X-, C-, S-, L- и P-
       диапазонов для их
       массового производства

  17.  Исследование и             149,416    84,916     64,5                                                           создание технологии
       разработка базовых         -------    ------     ----                                                           унифицированных
       технологий для создания      102        59        43                                                            сверхширокополосных приборов
       нового поколения мощных                                                                                         среднего и большого уровня
       вакуумно-твердотельных                                                                                          мощности сантиметрового
       сверхвысокочастотных                                                                                            диапазона длин волн и
       приборов и гибридных                                                                                            сверхвысокочастотных
       малогабаритных                                                                                                  магнитоэлектрических
       сверхвысокочастотных                                                                                            приборов для перспективных
       модулей с улучшенными                                                                                           радиоэлектронных систем и
       массогабаритными                                                                                                аппаратуры связи
       характеристиками,                                                                                               космического базирования
       магнитоэлектрических                                                                                            (2009 год), разработка
       приборов                                                                                                        комплектов документации в
       сверхвысокочастотного                                                                                           стандартах единой системы
       диапазона, в том числе                                                                                          конструкторской,
       циркуляторов и                                                                                                  технологической и
       фазовращателей,                                                                                                 производственной
       вентилей,                                                                                                       документации, ввод в
       высокодобротных                                                                                                 эксплуатацию
       резонаторов,                                                                                                    производственной линии
       перестраиваемых
       фильтров, микроволновых
       приборов со спиновым
       управлением для
       перспективных
       радиоэлектронных систем
       двойного назначения

  18.  Разработка базовых          118,45                         77,5      40,95                                      разработка конструктивных
       конструкций и технологии    ------                         ----      -----                                      рядов и базовых технологий
       производства нового          85,3                           58       27,3                                       производства
       поколения мощных                                                                                                сверхширокополосных приборов
       вакуумно-твердотельных                                                                                          среднего и большого уровня
       сверхвысокочастотных                                                                                            мощности сантиметрового
       приборов и гибридных                                                                                            диапазона длин волн и
       малогабаритных                                                                                                  сверхвысокочастотных
       сверхвысокочастотных                                                                                            магнитоэлектрических
       модулей с улучшенными                                                                                           приборов для перспективных
       массогабаритными                                                                                                радиоэлектронных систем и
       характеристиками,                                                                                               аппаратуры связи
       магнитоэлектрических                                                                                            космического базирования
       приборов                                                                                                        (2011 год), разработка
       сверхвысокочастотного                                                                                           комплектов документации в
       диапазона, в том числе                                                                                          стандартах единой системы
       циркуляторов и                                                                                                  конструкторской,
       фазовращателей,                                                                                                 технологической и
       вентилей,                                                                                                       производственной
       высокодобротных                                                                                                 документации, ввод в
       резонаторов,                                                                                                    эксплуатацию
       перестраиваемых                                                                                                 производственной линии
       фильтров, микроволновых
       приборов со спиновым
       управлением для
       перспективных
       радиоэлектронных систем
       двойного назначения

  19.  Исследование и              110,5      65,5       45                                                            создание технологических
       разработка процессов и      -----      ----       --                                                            процессов производства
       базовых технологий           75,5      45,5       30                                                            нанопленочных малогабаритных
       нанопленочных                                                                                                   сверхвысокочастотных
       малогабаритных                                                                                                  резисторно-индуктивно-
       сверхвысокочастотных                                                                                            емкостных матриц
       резисторно-индуктивно-                                                                                          многофункционального
       емкостных матриц                                                                                                назначения для печатного
       многофункционального                                                                                            монтажа (2008 год), создание
       назначения для печатного                                                                                        базовой технологии получения
       монтажа и                                                                                                       сверхбыстродействующих (до
       сверхбыстродействующих                                                                                          150 ГГц) приборов на
       (до 150 ГГц) приборов на                                                                                        наногетероструктурах с
       наногетероструктурах с                                                                                          квантовыми эффектами (2009
       квантовыми дефектами                                                                                            год), разработка комплектов
                                                                                                                       документации в стандартах
                                                                                                                       единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации,
                                                                                                                       ввод в эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  20.  Разработка базовых           84,5                           50       34,5                                       создание конструктивных
       конструкций и технологии     ----                           --       ----                                       рядов и базовых технологий
       производства                  53                            30        23                                        производства нанопленочных
       нанопленочных                                                                                                   малогабаритных
       малогабаритных                                                                                                  сверхвысокочастотных
       сверхвысокочастотных                                                                                            резисторно-индуктивно-
       резисторно-индуктивно-                                                                                          емкостных матриц
       емкостных матриц                                                                                                многофункционального
       многофункционального                                                                                            назначения для печатного
       назначения для печатного                                                                                        монтажа (2011 год),
       монтажа                                                                                                         разработка комплектов
                                                                                                                       документации в стандартах
                                                                                                                       единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  21.  Разработка базовой         133,314    63,447    69,867                                                          создание базовой технологии
       технологии                 -------    ------    ------                                                          производства элементов и
       сверхвысокочастотных          88        42        46                                                            специальных элементов и
       p-i-n диодов, матриц,                                                                                           блоков портативной
       узлов управления и                                                                                              аппаратуры миллиметрового
       портативных фазированных                                                                                        диапазона длин волн для
       блоков аппаратуры                                                                                               нового поколения средств
       миллиметрового диапазона                                                                                        связи, радиолокационных
       длин волн на основе                                                                                             станций, радионавигации,
       магнитоэлектронных                                                                                              измерительной техники,
       твердотельных и                                                                                                 автомобильных радаров,
       высокоскоростных                                                                                                охранных и сигнальных
       цифровых приборов и                                                                                             устройств (2009 год),
       устройств с функциями                                                                                           разработка комплектов
       адаптации и цифрового                                                                                           документации в стандартах
       диаграммообразования                                                                                            единой системы
                                                                                                                       конструкторской,
                                                                                                                       технологической и
                                                                                                                       производственной
                                                                                                                       документации, ввод в
                                                                                                                       эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  22.  Разработка базовых         2342,933    338      295,11    364,823   380,85     320     189,8   218,35     236   создание конструктивных
       технологий создания        --------    ---      ------    -------   ------     ---     -----   ------     ---   рядов и базовых технологий
       мощных вакуумных           1540,66     230      193,1     226,98     253,9     210     124,8   145,88     156   проектирования и
       сверхвысокочастотных                                                                                            производства мощных и
       устройств                                                                                                       сверхмощных вакуумных
                                                                                                                       сверхвысокочастотных
                                                                                                                       приборов для аппаратуры
                                                                                                                       широкого назначения нового
                                                                                                                       поколения (2009 год, 2011
                                                                                                                       год), включая разработку:
                                                                                                                       конструкций многолучевых
                                                                                                                       электронно-оптических
                                                                                                                       систем, включая
                                                                                                                       автоэмиссионные катоды
                                                                                                                       повышенной мощности и
                                                                                                                       долговечности (2012 год);
                                                                                                                       мощных широкополосных ламп
                                                                                                                       бегущей волны импульсного и
                                                                                                                       непрерывного действия,
                                                                                                                       магнетронов, тетродов
                                                                                                                       миллиметрового диапазона
                                                                                                                       (2013 год);
                                                                                                                       малогабаритных ускорителей
                                                                                                                       электронов с энергией до 10
                                                                                                                       МЭВ для терапевтических и
                                                                                                                       технических приложений (2014
                                                                                                                       год)

  23.  Разработка базовых         1661,182  158,001   253,012    296,269   293,55    287,35    118      112      143   создание базовых конструкций
       технологий создания        --------  -------   -------    -------   ------    ------   -----     ---      ---   и технологий изготовления
       мощных твердотельных        1096,4     103      166,5      192,4     195,7    189,9    78,9      75       95    сверхвысокочастотных мощных
       сверхвысокочастотных                                                                                            приборов на структурах с
       устройств на базе                                                                                               использованием нитрида
       нитрида галлия                                                                                                  галлия (2008 год, 2010 год),
                                                                                                                       включая:
                                                                                                                       создание гетеропереходных
                                                                                                                       полевых транзисторов с
                                                                                                                       диодом Шоттки с удельной
                                                                                                                       мощностью до 30 - 40 Вт/мм и
                                                                                                                       рабочими напряжениями до
                                                                                                                       100 В;
                                                                                                                       исследования и разработку
                                                                                                                       технологий получения
                                                                                                                       гетероструктур на основе
                                                                                                                       слоев нитрида галлия на
                                                                                                                       изоляторе и высокоомных
                                                                                                                       подложках (2013 год);
                                                                                                                       разработка технологии
                                                                                                                       получения интегральных схем,
                                                                                                                       работающих в экстремальных
                                                                                                                       условиях (2015 год)

  24.  Исследование                1085,2                                   160,2     99,5     300      308     217,5  исследование технологических
       перспективных типов         ------                                   -----    -----    -----     ---     -----  принципов формирования
       сверхвысокочастотных        724,12                                   106,8    67,02    200,3     205      145   перспективных
       приборов и структур,                                                                                            сверхвысокочастотных
       разработка                                                                                                      приборов и структур, включая
       технологических                                                                                                 создание наногетероструктур,
       принципов их                                                                                                    использование
       изготовления                                                                                                    комбинированных (электронных
                                                                                                                       и оптических методов
                                                                                                                       передачи и преобразования
                                                                                                                       сигналов), определение
                                                                                                                       перспективных методов
                                                                                                                       формирования приборных
                                                                                                                       структур, работающих в
                                                                                                                       частотных диапазонах до
                                                                                                                       200 ГГц

  25.  Разработка перспективных    1043,3                                   49,2     331,7    221,4     255      186   создание полного состава
       методов проектирования и    ------                                   ----     -----    -----     ---      ---   прикладных программ
       моделирования               699,1                                    32,8     224,7    147,6     170      124   проектирования и оптимизации
       сложнофункциональной                                                                                            сверхвысокочастотной
       сверхвысокочастотной                                                                                            электронной компонентной
       электронной компонентной                                                                                        базы, включая проектирование
       базы                                                                                                            активных приборов,
                                                                                                                       полосковых линий передачи,
                                                                                                                       согласующих компонентов,
                                                                                                                       формируемых в едином
                                                                                                                       технологическом процессе

       Всего по направлению 1     9787,287  1485,57   1392,821  1375,395   1603,5   1205,35  1048,8   893,35    782,5
                                  --------  -------   --------   -------   ------    ------  ------   ------    -----
                                  6468,08    993,95    929,35    855,78     1069     804,12    700    595,88     520

                                             Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

  26.  Разработка базовой          106,65      60      46,65                                                           создание технологии
       технологии радиационно      ------      --      -----                                                           изготовления микросхем с
       стойких сверхбольших        79,65       38      41,65                                                           размерами элементов 0,5 мкм
       интегральных схем уровня                                                                                        на структурах "кремний на
       0,5 мкм на структурах                                                                                           сапфире" диаметром 150 мм
       "кремний на сапфире"                                                                                            (2009 год), разработка
       диаметром                                                                                                       правил проектирования
       150 мм                                                                                                          базовых библиотек элементов
                                                                                                                       и блоков цифровых и
                                                                                                                       аналоговых сверхбольших
                                                                                                                       интегральных схем
                                                                                                                       расширенной номенклатуры для
                                                                                                                       организации производства
                                                                                                                       радиационно стойкой
                                                                                                                       элементной базы,
                                                                                                                       обеспечивающей выпуск
                                                                                                                       специальной аппаратуры и
                                                                                                                       систем, работающих в
                                                                                                                       экстремальных условиях
                                                                                                                       (атомная энергетика, космос,
                                                                                                                       военная техника)

  27.  Разработка базовой          286,65                         39,2     170,25     53,2     24                      создание технологии
       технологии радиационно      ------                         ----     ------     ----    ----                     изготовления микросхем с
       стойких сверхбольших        188,1                          19,6      113,5     37,2    17,8                     размерами элементов
       интегральных схем уровня                                                                                        0,35 мкм на структурах
       0,35 мкм на структурах                                                                                          "кремний на сапфире"
       "кремний на сапфире"                                                                                            диаметром 150 мм (2013 год),
       диаметром                                                                                                       разработка правил
       150 мм                                                                                                          проектирования базовых
                                                                                                                       библиотек элементов и блоков
                                                                                                                       цифровых и аналоговых
                                                                                                                       сверхбольших интегральных
                                                                                                                       схем, обеспечивающих
                                                                                                                       создание расширенной
                                                                                                                       номенклатуры
                                                                                                                       быстродействующей и
                                                                                                                       высокоинтегрированной
                                                                                                                       радиационно стойкой
                                                                                                                       элементной базы

  28.  Разработка технологии      245,904     130     115,904                                                          создание технологического
       проектирования и            ------     ---     -------                                                          базиса (технология
       конструктивно-               164        87        77                                                            проектирования, базовые
       технологических решений                                                                                         технологии), позволяющего
       библиотеки логических и                                                                                         разрабатывать радиационно
       аналоговых элементов,                                                                                           стойкие сверхбольшие
       оперативных запоминающих                                                                                        интегральные схемы на
       устройств, постоянных                                                                                           структурах "кремний на
       запоминающих устройств,                                                                                         изоляторе" с проектной
       сложнофункциональных                                                                                            нормой до 0,25 мкм
       радиационно стойких                                                                                             (2009 год)
       блоков контроллеров по
       технологии "кремний на
       изоляторе" с проектными
       нормами до 0,25 мкм

  29.  Разработка технологии       365,35                         108,6    166,05     67,7     23                      создание технологического
       проектирования и            -----                          -----    ------     ----    ----                     базиса (технология
       конструктивно-               235                           54,3      110,7     52,6    17,4                     проектирования, базовые
       технологических решений                                                                                         технологии), позволяющего
       библиотеки логических и                                                                                         разрабатывать радиационно
       аналоговых элементов,                                                                                           стойкие сверхбольшие
       оперативных запоминающих                                                                                        интегральные схемы на
       устройств, постоянных                                                                                           структурах "кремний на
       запоминающих устройств,                                                                                         изоляторе" с проектной
       сложнофункциональных                                                                                            нормой до 0,18 мкм
       радиационно стойких
       блоков контроллеров по
       технологии "кремний на
       изоляторе" с проектными
       нормами до 0,18 мкм

  30.  Разработка базовых          141,75      92      49,75                                                           создание технологического
       технологических             ------      --      -----                                                           процесса изготовления
       процессов изготовления      97,65       63      34,65                                                           сверхбольших интегральных
       радиационно стойкой                                                                                             схем энергонезависимой,
       элементной базы для                                                                                             радиационно стойкой
       сверхбольших                                                                                                    сегнетоэлектрической памяти
       интегральных схем                                                                                               уровня 0,35 мкм и базовой
       энергозависимой                                                                                                 технологии создания,
       пьезоэлектрической и                                                                                            изготовления и аттестации
       магниторезистивной                                                                                              радиационно стойкой
       памяти с проектными                                                                                             пассивной электронной
       нормами 0,35 мкм и                                                                                              компонентной базы (2009 год)
       пассивной радиационно
       стойкой элементной базы

  31.  Разработка базовых          257,45                         74,6     130,35     42,3    10,2                     создание технологического
       технологических             ------                         ----     -----      ----    ----                     процесса изготовления
       процессов изготовления      159,2                          37,3      86,9      28,2     6,8                     сверхбольших интегральных
       радиационно стойкой                                                                                             схем энергонезависимой
       элементной базы для                                                                                             радиационно стойкой
       сверхбольших                                                                                                    сегнетоэлектрической памяти
       интегральных схем                                                                                               уровня 0,18 мкм (2010 год) и
       энергозависимой                                                                                                 создания, изготовления и
       пьезоэлектрической и                                                                                            аттестации радиационно
       магниторезистивной                                                                                              стойкой пассивной
       памяти с проектными                                                                                             электронной компонентной
       нормами 0,18 мкм и                                                                                              базы (2013 год)
       пассивной радиационно
       стойкой элементной базы

  32.  Разработка технологии      110,736    58,609    52,127                                                          разработка расширенного ряда
       "кремний на сапфире"       -------    ------    ------                                                          цифровых процессоров,
       изготовления ряда             73        38        35                                                            микроконтроллеров,
       лицензионно-независимых                                                                                         оперативных запоминающих
       радиационно стойких                                                                                             программируемых и
       комплементарных полевых                                                                                         перепрограммируемых
       полупроводниковых                                                                                               устройств, аналого-цифровых
       сверхбольших                                                                                                    преобразователей в
       интегральных схем                                                                                               радиационно стойком
       цифровых процессоров                                                                                            исполнении для создания
       обработки сигналов,                                                                                             специальной аппаратуры
       микроконтроллеров и схем                                                                                        нового поколения
       интерфейса

  33.  Разработка технологии      370,802                        82,952    190,35     72,6    24,9                     создание технологии
       структур с ультратонким     ------                         -----    ------     ----    ----                     проектирования и
       слоем кремния на сапфире    231,7                          39,8      126,9     48,4    16,6                     изготовления микросхем и
                                                                                                                       сложнофункциональных блоков
                                                                                                                       на основе ультратонких слоев
                                                                                                                       на структуре "кремний на
                                                                                                                       сапфире", позволяющей
                                                                                                                       разрабатывать радиационно
                                                                                                                       стойкие сверхбольшие
                                                                                                                       интегральные схемы с высоким
                                                                                                                       уровнем радиационной
                                                                                                                       стойкости (2013 год)

  34.  Разработка базовой          92,669      51      41,669                                                          разработка конструкции и
       технологии и приборно-      ------      --      ------                                                          модели интегральных
       технологического базиса     73,15       40      33,15                                                           элементов и технологического
       производства радиационно                                                                                        маршрута изготовления
       стойких сверхбольших                                                                                            радиационно стойких
       интегральных схем                                                                                               сверхбольших интегральных
       "система на кристалле",                                                                                         схем типа "система на
       радиационно стойкой                                                                                             кристалле" с расширенным
       силовой электроники для                                                                                         температурным диапазоном,
       аппаратуры питания и                                                                                            силовых транзисторов и
       управления                                                                                                      модулей для бортовых и
                                                                                                                       промышленных систем
                                                                                                                       управления с пробивными
                                                                                                                       напряжениями до 75 В и
                                                                                                                       рабочими токами коммутации
                                                                                                                       до 10 А (2009 год)

  35.  Разработка элементной       74,471     36,2     38,271                                                          создание ряда
       базы радиационно стойких    ------     ----     ------                                                          микронанотриодов и
       интегральных схем на         50,6      26,1      24,5                                                           микронанодиодов с наивысшей
       основе полевых                                                                                                  радиационной стойкостью для
       эмиссионных                                                                                                     долговечной аппаратуры
       микронанотриодов                                                                                                космического базирования

  36.  Создание информационной     256,6                          21,4       25       92,4    117,8                    разработка комплекса моделей
       базы радиационно стойкой    -----                          ----      ----      ----    -----                    расчета радиационной
       электронной компонентной    167,3                          10,7      16,6      61,6    78,4                     стойкости электронной
       базы, содержащей модели                                                                                         компонентной базы для
       интегральных                                                                                                    определения технически
       компонентов,                                                                                                    обоснованных норм испытаний
       функционирующих в
       условиях радиационных
       воздействий, создание
       математических моделей
       стойкости электронной
       компонентной базы,
       создание методик
       испытаний и аттестации
       электронной компонентной
       базы

  37.  Разработка библиотек        975,5                                     105     184,5    281,5    209,5     195   создание технологии
       стандартных элементов и     -----                                     ---     -----    -----    -----     ---   проектирования и
       сложнофункциональных         650                                      70       123     187,5    139,5     130   изготовления микросхем и
       блоков для создания                                                                                             сложнофункциональных блоков
       радиационно стойких                                                                                             на основе ультратонких слоев
       сверхбольших                                                                                                    на структуре "кремний на
       интегральных схем                                                                                               сапфире", позволяющей
                                                                                                                       разрабатывать радиационно
                                                                                                                       стойкие сверхбольшие
                                                                                                                       интегральные схемы с высоким
                                                                                                                       уровнем радиационной
                                                                                                                       стойкости (2012 год,
                                                                                                                       2015 год)

  38.  Разработка расширенного     978,75                                   187,5     185      163    242,75    200,5  разработка расширенного ряда
       ряда радиационно стойких    ------                                   -----     ---     -----   ------    -----  цифровых процессоров,
       сверхбольших                 650                                      125      123     108,5     160     133,5  микроконтроллеров,
       интегральных схем для                                                                                           оперативных запоминающих
       специальной аппаратуры                                                                                          программируемых и
       связи, обработки и                                                                                              перепрограммируемых
       передачи информации,                                                                                            устройств, аналого-цифровых
       систем управления                                                                                               преобразователей в
                                                                                                                       радиационно стойком
                                                                                                                       исполнении для создания
                                                                                                                       специальной аппаратуры
                                                                                                                       нового поколения, разработка
                                                                                                                       конструкции и модели
                                                                                                                       интегральных элементов и
                                                                                                                       технологического маршрута
                                                                                                                       изготовления радиационно
                                                                                                                       стойких сверхбольших
                                                                                                                       интегральных схем типа
                                                                                                                       "система на кристалле" с
                                                                                                                       расширенным температурным
                                                                                                                       диапазоном, силовых
                                                                                                                       транзисторов и модулей для
                                                                                                                       бортовых и промышленных
                                                                                                                       систем управления с пробивными
                                                                                                                       напряжениями до 75 В и
                                                                                                                       рабочими токами коммутации
                                                                                                                       до 10 А, создание ряда
                                                                                                                       микронанотриодов и
                                                                                                                       микронанотриодов с наивысшей
                                                                                                                       радиационной стойкостью для
                                                                                                                       долговечной аппаратуры
                                                                                                                       космического базирования

  39.  Разработка и                 953                                      75       275      230      196      177   разработка комплекса моделей
       совершенствование            ---                                      --       ---     -----    -----     ---   расчета радиационной
       методов моделирования и      634                                      50       183     153,5    130,5     117   стойкости электронной
       проектирования                                                                                                  компонентной базы для
       радиационно стойкой                                                                                             определения технически
       элементной базы                                                                                                 обоснованных норм испытаний

  40.  Разработка и                988,15                                    180      191     177,5   233,65     206   создание технологического
       совершенствование           ------                                    ---      ---     -----   ------    -----  базиса (технология
       базовых технологий и         650                                      120      123     113,5     160     133,5  проектирования, базовые
       конструкций радиационно                                                                                         технологии), позволяющего
       стойких сверхбольших                                                                                            разрабатывать радиационно
       интегральных схем на                                                                                            стойкие сверхбольшие
       структурах "кремний на                                                                                          интегральные схемы на
       сапфире" и "кремний на                                                                                          структурах "кремний на
       изоляторе" с                                                                                                    изоляторе" с проектной
       топологическими нормами                                                                                         нормой не менее
       не менее 0,18 мкм                                                                                               0,18 мкм (2014 год),
                                                                                                                       создание технологического
                                                                                                                       базиса (технология
                                                                                                                       проектирования, базовые
                                                                                                                       технологии), позволяющего
                                                                                                                       разрабатывать радиационно
                                                                                                                       стойкие сверхбольшие
                                                                                                                       интегральные схемы на
                                                                                                                       структурах "кремний на
                                                                                                                       изоляторе" с проектной
                                                                                                                       нормой не менее
                                                                                                                       0,18 мкм (2015 год)

       Всего по направлению 2     6204,432  427,809   344,371    326,752   1229,5    1163,7  1051,9    881,9    778,5
                                  --------  -------   -------    -------    -----    -----    -----    -----    -----
                                  4103,35    292,1     245,95     161,7     819,6     780      700      590      514

                                                        Направление 3. Микросистемная техника

  41.  Разработка базовых         184,215   165,053    19,162                                                          создание базовых технологий
       технологий микро-          -------   -------    ------                                                          (2009 год) и комплектов
       электромеханических         117,9     105,9       12                                                            технологической документации
       систем                                                                                                          на изготовление
                                                                                                                       микроэлектромеханических
                                                                                                                       систем контроля давления,
                                                                                                                       микроакселерометров с
                                                                                                                       чувствительностью по двум и
                                                                                                                       трем осям, микромеханических
                                                                                                                       датчиков угловых скоростей,
                                                                                                                       микроактюаторов

  42.  Разработка базовых         433,712              87,239    73,473      108      82,5    82,5                     разработка базовых
       конструкций                -------              ------    ------      ---      ----    ----                     конструкций и комплектов
       микроэлектромеханических    273,8                42,1      49,7       72        55      55                      необходимой конструкторской
       систем                                                                                                          документации на изготовление
                                                                                                                       чувствительных элементов и
                                                                                                                       микросистем контроля
                                                                                                                       давления,
                                                                                                                       микроакселерометров,
                                                                                                                       микромеханических датчиков
                                                                                                                       угловых скоростей,
                                                                                                                       микроактюаторов с
                                                                                                                       напряжением управления,
                                                                                                                       предназначенных для
                                                                                                                       использования в транспортных
                                                                                                                       средствах, оборудовании
                                                                                                                       топливно-энергетического
                                                                                                                       комплекса, машиностроении,
                                                                                                                       медицинской технике,
                                                                                                                       робототехнике, бытовой
                                                                                                                       технике

  43.  Разработка базовых         166,784   122,356    44,428                                                          создание базовых технологий
       технологий микроакусто-    -------   -------    ------                                                          (2009 год) и комплектов
       электромеханических         108,15    78,55      29,6                                                           необходимой технологической
       систем                                                                                                          документации на изготовление
                                                                                                                       микроакустоэлектромеханических
                                                                                                                       систем, основанных на
                                                                                                                       использовании поверхностных
                                                                                                                       акустических волн (диапазон
                                                                                                                       частот до 2 ГГц) и объемно-
                                                                                                                       акустических волн (диапазон
                                                                                                                       частот до 8 ГГц),
                                                                                                                       пьезокерамических элементов,
                                                                                                                       совместимых с интегральной
                                                                                                                       технологией микроэлектроники

  44.  Разработка базовых         244,325                52      103,825    88,5                                       разработка базовых
       конструкций микро-         -------                --      ------     ----                                       конструкций и комплектов
       акустоэлектромеханических   147,3                 28       60,3       59                                        необходимой конструкторской
       систем                                                                                                          документации на изготовление
                                                                                                                       пассивных датчиков
                                                                                                                       физических величин
                                                                                                                       микроакселерометров,
                                                                                                                       микрогироскопов на
                                                                                                                       поверхностных акустических
                                                                                                                       волнах, датчиков давления и
                                                                                                                       температуры, датчиков
                                                                                                                       деформации, крутящего
                                                                                                                       момента и микроперемещений,
                                                                                                                       резонаторов

  45.  Разработка базовых            37        37                                                                      создание базовых технологий
       технологий                    --        --                                                                      изготовления элементов
       микроаналитических            25        25                                                                      микроаналитических систем,
       систем                                                                                                          чувствительных к газовым,
                                                                                                                       химическим и биологическим
                                                                                                                       компонентам внешней среды,
                                                                                                                       предназначенных для
                                                                                                                       использования в аппаратуре
                                                                                                                       жилищно-коммунального
                                                                                                                       хозяйства, в медицинской и
                                                                                                                       биомедицинской технике для
                                                                                                                       обнаружения токсичных,
                                                                                                                       горючих и взрывчатых
                                                                                                                       материалов

  46.  Разработка базовых           134                  47        60        27                                        создание базовых конструкций
       конструкций                  ---                  --        --        --                                        микроаналитических систем,
       микроаналитических            78                  20        40        18                                        предназначенных для
       систем                                                                                                          аппаратуры жилищно-
                                                                                                                       коммунального хозяйства,
                                                                                                                       медицинской и биомедицинской
                                                                                                                       техники;
                                                                                                                       разработка датчиков и
                                                                                                                       аналитических систем
                                                                                                                       миниатюрных размеров с
                                                                                                                       высокой чувствительностью к
                                                                                                                       сверхмалым концентрациям
                                                                                                                       химических веществ для
                                                                                                                       осуществления мониторинга
                                                                                                                       окружающей среды, контроля
                                                                                                                       качества пищевых продуктов и
                                                                                                                       контроля утечек опасных и
                                                                                                                       вредных веществ в
                                                                                                                       технологических процессах

  47.  Разработка базовых          42,444    15,358    27,086                                                          создание базовых технологий
       технологий микро-           -----     -----     ------                                                          выпуска трехмерных
       оптоэлектромеханических       27       10,2      16,8                                                           оптических и
       систем                                                                                                          акустооптических
                                                                                                                       функциональных элементов,
                                                                                                                       микрооптоэлектромеханических
                                                                                                                       систем для коммутации и
                                                                                                                       модуляции оптического
                                                                                                                       излучения, акустооптических
                                                                                                                       перестраиваемых фильтров,
                                                                                                                       двухмерных управляемых
                                                                                                                       матриц микрозеркал,
                                                                                                                       микропереключателей и
                                                                                                                       фазовращателей (2009 год)

  48.  Разработка базовых         109,278              33,95     48,328      27                                        разработка базовых
       конструкций микро-         -------              -----     ------      --                                        конструкций и комплектов
       оптоэлектромеханических       70                  21        31        18                                        конструкторской документации
       систем                                                                                                          на изготовление
                                                                                                                       микрооптоэлектромеханических
                                                                                                                       систем коммутации и
                                                                                                                       модуляции оптического
                                                                                                                       излучения

  49.  Разработка базовых          55,008    55,008                                                                    создание базовых технологий
       технологий микросистем      ------    ------                                                                    изготовления микросистем
       анализа магнитных полей       36        36                                                                      анализа магнитных полей на
                                                                                                                       основе анизотропного и
                                                                                                                       гигантского
                                                                                                                       магниторезистивного
                                                                                                                       эффектов, квазимонолитных и
                                                                                                                       монолитных гетеромагнитных
                                                                                                                       пленочных структур (2008
                                                                                                                       год)

  50.  Разработка базовых         153,518              39,518      93        21                                        разработка базовых
       конструкций микросистем    -------              ------      --        --                                        конструкций и комплектов
       анализа магнитных полей     98,018              22,018      62        14                                        конструкторской документации
                                                                                                                       на магниточувствительные
                                                                                                                       микросистемы для применения
                                                                                                                       в электронных системах
                                                                                                                       управления приводами, в
                                                                                                                       датчиках положения и
                                                                                                                       потребления, бесконтактных
                                                                                                                       переключателях

  51.  Разработка базовых         123,525    43,274    80,251                                                          разработка и освоение в
       технологий                 -------    ------    ------                                                          производстве базовых
       радиочастотных              80,662    28,45     52,212                                                          технологий изготовления
       микроэлектро-                                                                                                   радиочастотных
       механических систем                                                                                             микроэлектромеханических
                                                                                                                       систем и компонентов,
                                                                                                                       включающих микрореле,
                                                                                                                       коммутаторы,
                                                                                                                       микропереключатели
                                                                                                                       (2009 год)

  52.  Разработка базовых         142,577               35,6     63,477     43,5                                       разработка базовых
       конструкций                -------               ----     ------     ----                                       конструкций и комплектов
       радиочастотных                96                  25        42        29                                        конструкторской документации
       микроэлектромеханических                                                                                        на изготовление
       систем                                                                                                          радиочастотных
                                                                                                                       микроэлектромеханических
                                                                                                                       систем - компонентов,
                                                                                                                       позволяющих получить резкое
                                                                                                                       улучшение массогабаритных
                                                                                                                       характеристик, повышение
                                                                                                                       технологичности и снижение
                                                                                                                       стоимости изделий

  53.  Разработка методов и        38,915    38,915                                                                    создание методов и средств
       средств обеспечения         ------    ------                                                                    контроля и измерения
       создания и производства      22,8      22,8                                                                     параметров и характеристик
       изделий микросистемной                                                                                          изделий микросистемотехники,
       техники                                                                                                         разработка комплектов
                                                                                                                       стандартов и нормативных
                                                                                                                       документов по безопасности и
                                                                                                                       экологии

  54.  Разработка перспективных     1155                                              345      315      270      225   создание базовых технологий
       технологий и конструкций     ----                                              ---      ---      ---      ---   выпуска трехмерных
       микро-                       770                                               230      210      180      150   оптических и
       оптоэлектромеханических                                                                                         акустооптических
       систем для оптической                                                                                           функциональных элементов,
       аппаратуры, систем                                                                                              микрооптоэлектромеханических
       отображения изображений,                                                                                        систем для коммутации и
       научных исследований и                                                                                          модуляции оптического
       специальной техники                                                                                             излучения (2012 год),
                                                                                                                       акустооптических
                                                                                                                       перестраиваемых фильтров
                                                                                                                       (2012 год), двухмерных
                                                                                                                       управляемых матриц
                                                                                                                       микрозеркал
                                                                                                                       микропереключателей и
                                                                                                                       фазовращателей (2013 год),
                                                                                                                       разработка базовых
                                                                                                                       технологий, конструкций и
                                                                                                                       комплектов, конструкторской
                                                                                                                       документации на изготовление
                                                                                                                       микрооптоэлектромеханических
                                                                                                                       систем коммутации и
                                                                                                                       модуляции оптического
                                                                                                                       излучения (2015 год)

  55.  Разработка и                 1140                                     150     262,5    232,5     270      225   создание методов и средств
       совершенствование            ----                                     ---     -----    -----     ---      ---   контроля и измерения
       методов и средств            760                                      100      175      155      180      150   параметров и характеристик
       контроля, испытаний и                                                                                           изделий микросистемотехники,
       аттестации изделий                                                                                              разработка комплектов
       микросистемотехники                                                                                             стандартов и нормативных
                                                                                                                       документов по безопасности и
                                                                                                                       экологии

  56.  Разработка перспективных     1170                                              360      315      255      240   создание перспективных
       технологий и конструкций     ----                                              ---      ---      ---      ---   технологий изготовления
       микроаналитических           780                                               240      210      170      160   элементов микроаналитических
       систем для аппаратуры                                                                                           систем, чувствительных к
       контроля и обнаружения                                                                                          газовым, химическим и
       токсичных, горючих,                                                                                             биологическим компонентам
       взрывчатых и                                                                                                    внешней среды,
       наркотических веществ                                                                                           предназначенных для
                                                                                                                       использования в аппаратуре
                                                                                                                       жилищно-коммунального
                                                                                                                       хозяйства (2012 год,
                                                                                                                       2013 год, 2014 год)

       Всего по направлению 3     5330,301  476,964   466,233    442,103     465      1050     945      795      690
                                  --------  -------   -------    -------     ---      ---      ---      ---      ---
                                  3490,63    306,9     268,73      285       310      700      630      530      460

                                                              Направление 4. Микроэлектроника

  57.  Разработка технологии и    308,667    219,3     89,367                                                          разработка комплекта
       развитие методологии       -------    -----     ------                                                          нормативно-технической
       проектирования изделий      178,4     129,5      48,9                                                           документации по
       микроэлектроники:                                                                                               проектированию изделий
       разработка и освоение                                                                                           микроэлектроники, создание
       современной технологии                                                                                          отраслевой базы данных с
       проектирования                                                                                                  каталогами библиотечных
       универсальных                                                                                                   элементов и
       микропроцессоров,                                                                                               сложнофункциональных блоков
       процессоров обработки                                                                                           с каталогизированными
       сигналов, микро-                                                                                                результатами аттестации на
       контроллеров и "системы                                                                                         физическом уровне,
       на кристалле" на основе                                                                                         разработка комплекта
       каталогизированных                                                                                              нормативно-технической и
       сложнофункциональных                                                                                            технологической документации
       блоков и библиотечных                                                                                           по взаимодействию центров
       элементов, в том числе                                                                                          проектирования в сетевом
       создание отраслевой базы                                                                                        режиме
       данных и технологических
       файлов для
       автоматизированных
       систем проектирования;
       освоение и развитие
       технологии
       проектирования для
       обеспечения
       технологичности
       производства и
       стабильного выхода
       годных изделий с целью
       размещения заказов на
       современной базе
       контрактного
       производства с
       технологическим уровнем
       до 0,13 мкм

  58.  Разработка и освоение       34,569     22,7     11,869                                                          разработка комплекта
       базовой технологии          ------     ----     -----                                                           технологической документации
       производства                 22,7      14,7       8                                                             и организационно-
       фотошаблонов с                                                                                                  распорядительной
       технологическим уровнем                                                                                         документации по
       до 0,13 мкм с целью                                                                                             взаимодействию центров
       обеспечения                                                                                                     проектирования и центра
       информационной защиты                                                                                           изготовления фотошаблонов
       проектов изделий
       микроэлектроники при
       использовании
       контрактного
       производства
       (отечественного и
       зарубежного)

  59.  Разработка семейств и      852,723   350,836   501,887                                                          разработка комплектов
       серий изделий              -------   -------   -------                                                          документации в стандартах
       микроэлектроники:           490,2     190,1     300,1                                                           единой системы
       универсальных                                                                                                   конструкторской,
       микропроцессоров для                                                                                            технологической и
       встроенных применений;                                                                                          производственной
       универсальных                                                                                                   документации, изготовление
       микропроцессоров для                                                                                            опытных образцов изделий и
       серверов и рабочих                                                                                              организация серийного
       станций; цифровых                                                                                               производства
       процессоров обработки
       сигналов; сверхбольших
       интегральных схем,
       программируемых
       логических интегральных
       схем; сверхбольших
       интегральных схем
       быстродействующей
       динамической и
       статической памяти;
       микроконтроллеров со
       встроенной
       энергонезависимой
       электрически
       программируемой памятью;
       схем интерфейса
       дискретного
       ввода/вывода; схем
       аналогового интерфейса;
       цифроаналоговых и
       аналого-цифровых
       преобразователей на
       частотах выше 100 МГц с
       разрядностью более
       8 - 12 бит; схем
       приемопередатчиков
       шинных интерфейсов;
       изделий интеллектуальной
       силовой микро-
       электроники для
       применения в аппаратуре
       промышленного и бытового
       назначения; встроенных
       интегральных источников
       питания

  60.  Разработка базовых         2236,828                      1129,878   971,95     135                              разработка комплектов
       серийных технологий        --------                       -------   ------     ---                              документации в стандартах
       изделий                      1299                          592,3     616,7      90                              единой системы
       микроэлектроники:                                                                                               конструкторской,
       цифроаналоговых и                                                                                               технологической и
       аналого-цифровых                                                                                                производственной
       преобразователей на                                                                                             документации, изготовление
       частотах выше 100 МГц с                                                                                         опытных образцов изделий и
       разрядностью более                                                                                              организация серийного
       14 - 16 бит;                                                                                                    производства
       микроэлектронных
       устройств различных
       типов, включая сенсоры с
       применением наноструктур
       и биосенсоров; сенсоров
       на основе магнито-
       электрических и
       пьезоматериалов;
       встроенных интегральных
       антенных элементов для
       диапазонов частот 5 ГГц,
       10 - 12 ГГц; систем на
       кристалле, в том числе в
       гетероинтеграции
       сенсорных и
       исполнительных элементов
       методом беспроводной
       сборки с применением
       технологии матричных
       жестких выводов

  61.  Разработка технологии и    545,397    304,9    240,497                                                          разработка комплектов
       освоение производства      -------    -----    -------                                                          документации в стандартах
       изделий микроэлектроники    308,8     168,3     140,5                                                           единой системы
       с технологическим                                                                                               конструкторской,
       уровнем 0,13 мкм                                                                                                технологической документации
                                                                                                                       и ввод в эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  62.  Разработка базовой          939,45                          196       360      154    229,45                    разработка комплектов
       технологии формирования     ------                          ---       ---      ---    ------                    документации в стандартах
       многослойной разводки       587,3                           102       240       99     146,3                    единой системы
       (7 - 8 уровней)                                                                                                 конструкторской,
       сверхбольших                                                                                                    технологической и
       интегральных схем на                                                                                            производственной
       основе Al и Cu                                                                                                  документации,
                                                                                                                       ввод в эксплуатацию
                                                                                                                       производственной линии

  63.  Разработка технологии и    519,525             235,513    168,512    115,5                                      разработка комплектов
       организация производства   -------             -------    -------    ----                                       документации в стандартах
       многокристальных            288,9                101       110,9      77                                        единой системы
       микроэлектронных модулей                                                                                        конструкторской,
       для мобильных применений                                                                                        технологической и
       с использованием                                                                                                производственной
       полимерных и                                                                                                    документации,
       металлополимерных                                                                                               ввод в эксплуатацию
       микроплат и носителей                                                                                           производственной линии

  64.  Разработка новых методов    133,8       67       66,8                                                           разработка технологической и
       технологических             -----       --       ----                                                           производственной
       испытаний изделий           133,8       67       66,8                                                           документации, ввод в
       микроэлектроники,                                                                                               эксплуатацию
       гарантирующих их                                                                                                специализированных участков
       повышенную надежность в
       процессе долговременной
       (более 100 000 часов)
       эксплуатации, на основе
       использования типовых
       оценочных схем и
       тестовых кристаллов

  65.  Разработка современных      243,77    131,9     111,87                                                          разработка комплектов
       методов анализа отказов     ------    -----     ------                                                          документации, включая
       изделий микроэлектроники    243,77    131,9     111,87                                                          утвержденные отраслевые
       с применением                                                                                                   методики, ввод в
       ультраразрешающих                                                                                               эксплуатацию
       методов (ультразвуковая                                                                                         модернизированных участков и
       гигагерцовая                                                                                                    лабораторий анализа отказов
       микроскопия,
       сканирование
       синхротронным
       излучением, атомная и
       туннельная силовая
       микроскопия, электронно-
       и ионно-лучевое
       зондирование и другие)

  66.  Разработка базовых          1240,5                                             310      380      310     240,5  создание технологии
       субмикронных технологий     ------                                             ---      ---      ---     -----  сверхбольших интегральных
       уровней                      800                                               200      245      200      155   схем;
       0,065 - 0,045 мкм                                                                                               создание базовой технологии
                                                                                                                       формирования многослойной
                                                                                                                       разводки сверхбольших
                                                                                                                       интегральных схем
                                                                                                                       топологического уровня
                                                                                                                       0,065 - 0,045 мкм (2015 год),
                                                                                                                       освоение и развитие
                                                                                                                       технологии проектирования и
                                                                                                                       изготовления для обеспечения
                                                                                                                       технологичности производства
                                                                                                                       и стабильного выхода годных
                                                                                                                       изделий, а также с целью
                                                                                                                       размещения заказов на
                                                                                                                       современной базе
                                                                                                                       контрактного производства с
                                                                                                                       технологическим уровнем до
                                                                                                                       0,045 мкм, разработка
                                                                                                                       комплекта технологической
                                                                                                                       документации и
                                                                                                                       организационно-
                                                                                                                       распорядительной
                                                                                                                       документации по
                                                                                                                       взаимодействию центров

  67.  Исследование               1424,45                                             383    383,45     368      290   создание технологии
       технологических            -------                                             ---    ------     ---      ---   сверхбольших интегральных
       процессов и структур  для   915,7                                              245     245,7     235      190   схем технологических уровней
       субмикронных технологий                                                                                         65 - 45 нм, организация
       уровней 0,032 мкм                                                                                               опытного производства и
                                                                                                                       исследование технологических
                                                                                                                       уровней 0,032 мкм
                                                                                                                       (2015 год)

  68.  Разработка перспективных   1479,55                                  166,05    402,7     355     317,5    238,3  создание технологий и
       технологий и конструкций   -------                                  ------    ------    ---     -----    -----  конструкций перспективных
       изделий интеллектуальной    959,7                                    110,7    261,8     230      205     152,2  изделий интеллектуальной
       силовой электроники для                                                                                         силовой микроэлектроники для
       применения в аппаратуре                                                                                         применения в аппаратуре
       бытового и промышленного                                                                                        промышленного и бытового
       применения, на                                                                                                  назначения;
       транспорте, в топливно-                                                                                         создание встроенных
       энергетическом комплексе                                                                                        интегральных источников
       и в специальных системах                                                                                        питания (2013 - 2015 годы)

  69.  Разработка перспективных    1730,6                                    300     356,4     205      455     414,2  разработка перспективной
       технологий сборки           ------                                    ---     -----     ---      ---     -----  технологии многокристальных
       сверхбольших                 1100                                     200     224,2     123      290     262,8  микроэлектронных модулей для
       интегральных схем в                                                                                             мобильных применений с
       многовыводные корпуса, в                                                                                        использованием полимерных и
       том числе корпуса с                                                                                             металлополимерных микроплат
       матричным расположением                                                                                         и носителей (2015 год)
       выводов и технологий
       многокристальной сборки,
       включая создание "систем
       в корпусе"

       Всего по направлению 4    11689,829  1096,636  1257,803   1494,39   1913,5    1741,1  1552,9   1450,5    1183
                                  --------  -------   --------   -------   ------    ------  ------   ------    ----
                                  7328,27    701,5     777,17     805,2    1244,4     1120     990      930      760

                                                   Направление 5. Электронные материалы и структуры

  70.  Разработка технологии         78        51        27                                                            внедрение новых
       производства новых            --        --        --                                                            диэлектрических материалов
       диэлектрических               49        32        17                                                            на основе ромбоэдрической
       материалов на основе                                                                                            модификации нитрида бора и
       ромбоэдрической                                                                                                 подложек из
       модификации нитрида бора                                                                                        поликристаллического алмаза
       и подложек из                                                                                                   с повышенной
       поликристаллического                                                                                            теплопроводностью и
       алмаза                                                                                                          электропроводностью для
                                                                                                                       создания нового поколения
                                                                                                                       высокоэффективных и надежных
                                                                                                                       сверхвысокочастотных
                                                                                                                       приборов

  71.  Разработка технологии       93,663                        46,233    47,43                                       создание технологии
       производства                ------                        ------    -----                                       производства
       гетероэпитаксиальных        54,24                          22,62    31,62                                       гетероэпитаксиальных
       структур и структур                                                                                             структур и структур
       гетеробиполярных                                                                                                гетеробиполярных
       транзисторов на основе                                                                                          транзисторов на основе
       нитридных соединений                                                                                            нитридных соединений A B
       A B  для мощных                                                                                                                       3 5
        3 5                                                                                                            для обеспечения разработок и
       полупроводниковых                                                                                               изготовления
       приборов и                                                                                                      сверхвысокочастотных
       сверхвысокочастотных                                                                                            монолитных интегральных схем
       монолитных интегральных                                                                                         и мощных транзисторов
       схем                                                                                                            (2011 год)


  72.  Разработка базовой          78,047    50,147     27,9                                                           создание базовой технологии
       технологии производства     ------    ------     ----                                                           производства гетероструктур
       метаморфных структур на      49,8       32       17,8                                                           и псевдоморфных структур на
       основе GaAs и                                                                                                   подложках InP для
       псевдоморфных структур                                                                                          перспективных
       на подложках InP для                                                                                            полупроводниковых приборов и
       приборов                                                                                                        сверхвысокочастотных
       сверхвысокочастотной                                                                                            монолитных интегральных схем
       электроники диапазона 60                                                                                        диапазона 60 - 90 ГГц (2009
       - 90 ГГц                                                                                                        год)

  73.  Разработка технологии      132,304                        33,304      45        54                              создание спинэлектронных
       производства               -------                        ------      --        --                              магнитных материалов и
       спинэлектронных               82                            16        30        36                              микроволновых структур со
       магнитных материалов,                                                                                           спиновым управлением для
       радиопоглощающих и                                                                                              создания перспективных
       мелкодисперсных                                                                                                 микроволновых
       ферритовых материалов                                                                                           сверхвысокочастотных
       для сверхвысокочастотных                                                                                        приборов повышенного
       приборов                                                                                                        быстродействия и низкого
                                                                                                                       энергопотребления

  74.  Разработка технологии        76,4      50,1      26,3                                                           создание технологии
       производства                 ----      ----      ----                                                           массового производства
       высокочистых химических      47,3       31       16,3                                                           высокочистых химических
       материалов (аммиака,                                                                                            материалов (аммиака, арсина,
       арсина, фосфина,                                                                                                фосфина, тетрахлорида
       тетрахлорида кремния)                                                                                           кремния) для выпуска
       для обеспечения                                                                                                 полупроводниковых подложек
       производства                                                                                                    нитрида галлия, арсенида
       полупроводниковых                                                                                               галлия, фосфида индия,
       подложек нитрида галлия,                                                                                        кремния и
       арсенида галлия, фосфида                                                                                        гетероэпитаксиальных
       индия, кремния и                                                                                                структур на их основе
       гетероэпитаксиальных                                                                                            (2009 год)
       структур на их основе

  75.  Разработка технологии       62,07                           12       35,07      15                              создание технологии
       производства                -----                           --       -----      --                              производства
       поликристаллических         45,38                           12       23,38      10                              поликристаллических алмазов
       алмазов и их пленок для                                                                                         и его пленок для мощных
       теплопроводных                                                                                                  сверхвысокочастотных
       конструкций мощных                                                                                              приборов (2012 год)
       выходных транзисторов и
       сверхвысокочастотных
       приборов

  76.  Исследование путей и          57        36        21                                                            создание технологии
       разработка технологии         --        --        --                                                            изготовления новых
       изготовления новых            38        24        14                                                            микроволокон на основе
       микроволокон на основе                                                                                          двухмерных диэлектрических и
       двухмерных                                                                                                      металлодиэлектрических
       диэлектрических и                                                                                               микро- и наноструктур для
       металлодиэлектрических                                                                                          новых классов
       микро- и наноструктур, а                                                                                        микроструктурных приборов,
       также полупроводниковых                                                                                         магниторезисторов,
       нитей с наноразмерами                                                                                           осцилляторов, устройств
       при вытяжке стеклянного                                                                                         оптоэлектроники (2009 год)
       капилляра, заполненного
       жидкой фазой
       полупроводника

  77.  Разработка технологии       64,048               4,5      32,548      27                                        создание базовой пленочной
       выращивания слоев           ------               ---      ------      --                                        технологии пьезокерамических
       пьезокерамики на              39                  3         18        18                                        элементов, совместимой с
       кремниевых подложках для                                                                                        комплементарной металло-
       формирования                                                                                                    оксидной полупроводниковой
       комплексированных                                                                                               технологией для разработки
       устройств микросистемной                                                                                        нового класса активных
       техники                                                                                                         пьезокерамических устройств,
                                                                                                                       интегрированных с
                                                                                                                       микросистемами (2011 год)

  78.  Разработка методологии и    63,657    42,657      21                                                            создание технологии
       базовых технологий          ------    ------      --                                                            травления и изготовления
       создания многослойных         38        24        14                                                            кремниевых трехмерных
       кремниевых структур с                                                                                           базовых элементов
       использованием                                                                                                  микроэлектромеханических
       "жертвенных" и                                                                                                  систем с использованием
       "стопорных" диффузионных                                                                                        "жертвенных" и "стопорных"
       и диэлектрических слоев                                                                                         слоев для серийного
       для производства силовых                                                                                        производства элементов
       приборов и элементов                                                                                            микроэлектромеханических
       микроэлектромеханических                                                                                        систем (2009 год) кремниевых
       систем                                                                                                          структур с использованием
                                                                                                                       силикатных стекол, моно-,
                                                                                                                       поликристаллического и
                                                                                                                       пористого кремния и диоксида
                                                                                                                       кремния

  79.  Разработка базовых          45,85                          29,35     16,5                                       создание технологии
       технологий получения        -----                          -----     ----                                       получения алмазных
       алмазных                      22                            11        11                                        полупроводниковых
       полупроводниковых                                                                                               наноструктур и наноразмерных
       наноструктур и                                                                                                  органических покрытий,
       наноразмерных                                                                                                   алмазных полупроводящих
       органических покрытий с                                                                                         пленок для
       широким диапазоном                                                                                              конкурентоспособных
       функциональных свойств                                                                                          высокотемпературных и
                                                                                                                       радиационно стойких
                                                                                                                       устройств и приборов
                                                                                                                       двойного назначения
                                                                                                                       (2011 год)

  80.  Исследование и             136,716    57,132    79,584                                                          создание технологии
       разработка технологии      -------    ------    ------                                                          изготовления гетероструктур
       роста эпитаксиальных        88,55       38      50,55                                                           и эпитаксиальных структур на
       слоев карбида кремния,                                                                                          основе нитридов для создания
       структур на основе                                                                                              радиационно стойких
       нитридов, а также                                                                                               сверхвысокочастотных и
       формирования изолирующих                                                                                        силовых приборов нового
       и коммутирующих слоев в                                                                                         поколения (2009 год)
       приборах экстремальной
       электроники

  81.  Разработка технологии      159,831      52     107,831                                                          создание технологии
       производства радиационно   -------      --     -------                                                          производства структур
       стойких сверхбольших          90        35        55                                                            "кремний на сапфире"
       интегральных схем на                                                                                            диаметром до 150 мм с
       ультратонких                                                                                                    толщиной приборного слоя до
       гетероэпитаксиальных                                                                                            0,1 мкм и топологическими
       структурах кремния на                                                                                           нормами до 0,18 мкм для
       сапфировой подложке для                                                                                         производства электронной
       производства электронной                                                                                        компонентной базы
       компонентной базы                                                                                               специального и двойного
       специального и двойного                                                                                         назначения (2009 год)
       назначения

  82.  Разработка технологии      138,549      54      84,549                                                          создание технологии
       производства               -------      --      ------                                                          производства радиационно
       высокоомного радиационно     89,7       36       53,7                                                           облученного кремния и
       облученного кремния,                                                                                            пластин кремния до 150 мм
       слитков и пластин                                                                                               для выпуска мощных
       кремния диаметром до                                                                                            транзисторов и сильноточных
       150 мм для производства                                                                                         тиристоров нового поколения
       силовых                                                                                                         (2009 год)
       полупроводниковых
       приборов

  83.  Разработка технологии        90,4      38,5      51,9                                                           разработка и промышленное
       производства кремниевых      ----      ----      ----                                                           освоение получения
       подложек и структур для      58,9       24       34,9                                                           высококачественных подложек
       силовых                                                                                                         и структур для использования
       полупроводниковых                                                                                               в производстве силовых
       приборов с глубокими                                                                                            полупроводниковых приборов,
       высоколегированными                                                                                             с глубокими
       слоями p- и n-типов                                                                                             высоколегированными слоями и
       проводимости и скрытыми                                                                                         скрытыми слоями носителей с
       слоями носителей с                                                                                              повышенной рекомбинацией
       повышенной рекомбинацией                                                                                        (2009 год)

  84.  Разработка технологии      220,764    73,964    146,8                                                           создание технологии
       производства               -------    ------    -----                                                           производства пластин кремния
       электронного кремния,        162        48       114                                                            диаметром до 200 мм и
       кремниевых пластин                                                                                              эпитаксиальных структур
       диаметром                                                                                                       уровня  0,25 - 0,18 мкм
       до 200 мм и кремниевых                                                                                          (2009 год)
       эпитаксиальных структур
       уровня технологии
       0,25 - 0,18 мкм

  85.  Разработка методологии,     266,35                         81,85     124,5      30      30                      разработка технологии
       конструктивно-              ------                         -----     -----      --      --                      корпусирования интегральных
       технических решений и        161                            38        83        20      20                      схем и полупроводниковых
       перспективной базовой                                                                                           приборов на основе
       технологии                                                                                                      использования многослойных
       корпусирования                                                                                                  кремниевых структур со
       интегральных схем и                                                                                             сквозными токопроводящими
       полупроводниковых                                                                                               каналами, обеспечивающей
       приборов на основе                                                                                              сокращение состава сборочных
       использования                                                                                                   операций и формирование
       многослойных кремниевых                                                                                         трехмерных структур
       структур со сквозными                                                                                           (2013 год)
       токопроводящими каналами

  86.  Разработка технологии      230,141                        35,141      135       30      30                      создание базовой технологии
       производства               -------                        ------      ---       --      --                      производства гетероструктур
       гетероструктур SiGe для      143                            13        90        20      20                      SiGe для выпуска
       разработки сверхбольших                                                                                         быстродействующих
       интегральных схем с                                                                                             сверхбольших интегральных
       топологическими нормами                                                                                         схем с топологическими
       0,25 - 0,18 мкм                                                                                                 нормами  0,25 - 0,18 мкм
                                                                                                                       (2011 год, 2013 год)

  87.  Разработка технологии       46,745    28,745      18                                                            создание технологии
       выращивания и обработки,    ------    ------      --                                                            выращивания и обработки
       в том числе                   34        22        12                                                            пьезоэлектрических
       плазмохимической, новых                                                                                         материалов акустоэлектроники
       пьезоэлектрических                                                                                              и акустооптики для
       материалов для                                                                                                  обеспечения производства
       акустоэлектроники и                                                                                             широкой номенклатуры
       акустооптики                                                                                                    акустоэлектронных устройств
                                                                                                                       нового поколения (2009 год)

  88.  Разработка технологий       93,501                        24,001      33        23     13,5                     создание технологии
       производства                ------                        ------      --        --      ---                     массового производства
       соединений A B  и             58                            12        22        15       9                      исходных материалов и
                   3 5                                                                                                 структур для перспективных
       тройных структур для:                                                                                           приборов лазерной и
       производства сверхмощных                                                                                        оптоэлектронной техники, в
       лазерных диодов;                                                                                                том числе:
       высокоэффективных                                                                                               производства сверхмощных
       светодиодов белого,                                                                                             лазерных диодов (2010 год);
       зеленого, синего и                                                                                              высокоэффективных
       ультрафиолетового                                                                                               светодиодов белого,
       диапазонов;                                                                                                     зеленого, синего и
       фотоприемников среднего                                                                                         ультрафиолетового диапазонов
       инфракрасного диапазона                                                                                         (2011 год);
                                                                                                                       фотоприемников среднего
                                                                                                                       инфракрасного диапазона
                                                                                                                       (2013 год)

  89.  Исследование и              45,21     30,31      14,9                                                           создание технологии
       разработка технологии       -----     -----      ----                                                           производства принципиально
       получения гетероструктур      30        22        8                                                             новых материалов
       с вертикальными                                                                                                 полупроводниковой
       оптическими резонаторами                                                                                        электроники на основе
       на основе квантовых ям и                                                                                        сложных композиций для
       квантовых точек для                                                                                             перспективных приборов
       производства вертикально                                                                                        лазерной и оптоэлектронной
       излучающих лазеров для                                                                                          техники (2009 год)
       устройств передачи
       информации и матриц для
       оптоэлектронных
       переключателей нового
       поколения

  90.  Разработка технологии       32,305                        24,805      7,5                                       создание технологии
       производства современных    ------                        ------      ---                                       производства компонентов для
       компонентов для               17                            12         5                                        специализированных
       специализированных                                                                                              электронно-лучевых
       фотоэлектронных                                                                                                 (2010 год),
       приборов, в том числе:                                                                                          электронно-оптических и
       катодов и                                                                                                       отклоняющих систем
       газопоглотителей;                                                                                               (2010 год),
       электронно-оптических и                                                                                         стеклооболочек и деталей из
       отклоняющих систем;                                                                                             электровакуумного стекла
       стеклооболочек и деталей                                                                                        различных марок (2011 год)
       из электровакуумного
       стекла различных марок

  91.  Разработка технологии       39,505    27,505      12                                                            создание технологии
       производства особо          ------    ------      --                                                            производства особо тонких
       тонких гетерированных         32        20        12                                                            гетерированных нанопримесями
       нанопримесями                                                                                                   полупроводниковых структур
       полупроводниковых                                                                                               для изготовления
       структур для                                                                                                    высокоэффективных
       высокоэффективных                                                                                               фотокатодов электронно-
       фотокатодов, электронно-                                                                                        оптических преобразователей
       оптических                                                                                                      и фотоэлектронных
       преобразователей и                                                                                              умножителей, приемников
       фотоэлектронных                                                                                                 инфракрасного диапазона,
       умножителей, приемников                                                                                         солнечных элементов и других
       инфракрасного диапазона                                                                                         приложений (2009 год)
       и солнечных элементов с
       высокими значениями
       коэффициента полезного
       действия

  92.  Разработка базовой          42,013                        24,013      18                                        создание технологии
       технологии производства     ------                        ------      --                                        монокристаллов AlN для
       монокристаллов AlN для        24                            12        12                                        изготовления изолирующих и
       изготовления изолирующих                                                                                        проводящих подложек для
       и проводящих подложек                                                                                           создания полупроводниковых
       для гетероструктур                                                                                              высокотемпературных и мощных
                                                                                                                       сверхвысокочастотных
                                                                                                                       приборов нового поколения
                                                                                                                       (2011 год)

  93.  Разработка базовой          44,559    29,694    14,905                                                          создание базовой технологии
       технологии производства     ------    ------    ------                                                          вакуумно-плотной спецстойкой
       наноструктурированных        29,2     19,85      9,35                                                           керамики из
       оксидов металлов                                                                                                нанокристаллических порошков
       (корунда и т.п.) для                                                                                            и нитридов металлов для
       производства вакуумно-                                                                                          промышленного освоения
       плотной нанокерамики, в                                                                                         спецстойких приборов нового
       том числе с заданными                                                                                           поколения (2009 год), в том
       оптическими свойствами                                                                                          числе микрочипов,
                                                                                                                       сверхвысокочастотных
                                                                                                                       аттенюаторов, RLC-матриц, а
                                                                                                                       также особо прочной
                                                                                                                       электронной компонентной
                                                                                                                       базы оптоэлектроники и
                                                                                                                       фотоники

  94.  Разработка базовой          25,006                        22,006       3                                        создание технологии
       технологии производства     ------                        ------       -                                        производства полимерных и
       полимерных и гибридных        13                            11         2                                        композиционных материалов с
       органо-неорганических                                                                                           использованием поверхностной
       наноструктурированных                                                                                           и объемной модификации
       защитных материалов для                                                                                         полимеров
       электронных компонентов                                                                                         наноструктурированными
       нового поколения                                                                                                наполнителями для создания
       прецизионных и                                                                                                  изделий с высокой
       сверхвысокочастотных                                                                                            механической, термической и
       резисторов,                                                                                                     радиационной стойкостью при
       терминаторов,                                                                                                   работе в условиях длительной
       аттенюаторов и                                                                                                  эксплуатации и воздействии
       резисторно-индукционно-                                                                                         комплекса специальных
       емкостных матриц,                                                                                               внешних факторов (2011 год)
       стойких к воздействию
       комплекса специальных
       внешних факторов

  95.  Исследование и              1395,5                                    225      269      309     322,5     270   создание базовой технологии
       разработка перспективных    ------                                   ----      ----     ---     -----     ---   производства гетероструктур,
       гетероструктурных и          930                                      150      179      206      215      180   структур и псевдоморфных
       наноструктурированных                                                                                           структур на подложках InP
       материалов с                                                                                                    для перспективных
       экстремальными                                                                                                  полупроводниковых приборов и
       характеристиками для                                                                                            сверхвысокочастотных
       перспективных                                                                                                   монолитных интегральных схем
       электронных приборов и                                                                                          диапазона 60 - 90 ГГц (2012
       радиоэлектронной                                                                                                год), создание технологии
       аппаратуры специального                                                                                         получения алмазных
       назначения                                                                                                      полупроводниковых
                                                                                                                       наноструктур и наноразмерных
                                                                                                                       органических покрытий (2013
                                                                                                                       год), алмазных
                                                                                                                       полупроводящих пленок для
                                                                                                                       конкурентоспособных
                                                                                                                       высокотемпературных и
                                                                                                                       радиационно стойких
                                                                                                                       устройств и приборов
                                                                                                                       двойного назначения,
                                                                                                                       создание технологии
                                                                                                                       изготовления гетероструктур
                                                                                                                       и эпитаксиальных структур на
                                                                                                                       основе нитридов (2015 год)

  96.  Исследование и               1395                                              435     382,5    277,5     300   создание нового класса
       разработка экологически      ----                                              ---     -----    -----     ---   конструкционных и
       чистых материалов и          930                                               290      255      185      200   технологических материалов
       методов их использования                                                                                        для уровней технологии 0,065
       в производстве                                                                                                  - 0,032 мкм и обеспечения
       электронной компонентной                                                                                        высокого процента выхода
       базы и радиоаппаратуры,                                                                                         годных изделий,
       включая бессвинцовые                                                                                            экологических требований по
       композиции для сборки                                                                                           международным стандартам
                                                                                                                       (2012 год, 2015 год)

  97.  Разработка перспективных     1379                                              404     367,5    307,5     300   создание перспективных
       технологий получения         ----                                              ---     -----    -----    ----   технологий производства
       ленточных материалов         920                                               270      245      205      200   компонентов для
       (полимерные,                                                                                                    специализированных
       металлические,                                                                                                  электронно-лучевых,
       плакированные и другие)                                                                                         электронно-оптических и
       для радиоэлектронной                                                                                            отклоняющих систем,
       аппаратуры и сборочных                                                                                          стеклооболочек и деталей из
       операций электронной                                                                                            электровакуумного стекла
       компонентной базы                                                                                               различных марок (2013 год),
                                                                                                                       создание технологии
                                                                                                                       производства полимерных и
                                                                                                                       композиционных материалов с
                                                                                                                       использованием поверхностной
                                                                                                                       и объемной модификации
                                                                                                                       полимеров
                                                                                                                       наноструктурированными
                                                                                                                       наполнителями (2015 год)

       Всего по направлению 5     6532,174  621,754   658,169    365,251     717      1260   1132,5    907,5     870
                                  --------  -------   -------    -------     ---      ----   ------    -----     ---
                                  4275,07    407,85    431,6     177,62      478      840      755      605      580

                                             Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы

  98.  Разработка технологии       30,928      18      12,928                                                          разработка расширенного ряда
       выпуска прецизионных        ------      --      ------                                                          резонаторов с повышенной
       температуростабильных         20        12        8                                                             кратковременной и
       высокочастотных                                                                                                 долговременной стабильностью
       до 1,5 - 2 ГГц                                                                                                  для создания контрольной
       резонаторов на                                                                                                  аппаратуры и техники связи
       поверхностно                                                                                                    двойного назначения
       акустических волнах до
       1,5 ГГц с полосой до
       70 процентов и
       длительностью сжатого
       сигнала до 2 - 5 нс

  99.  Разработка в                 78,5                 32        33       13,5                                       создание технологии и
       лицензируемых и              ----                 --        --       ----                                       конструкции
       нелицензируемых               45                  14        22         9                                        акустоэлектронных пассивных
       международных частотных                                                                                         и активных меток-
       диапазонах                                                                                                      транспондеров для применения
       860 МГц и 2,45 ГГц ряда                                                                                         в логистических приложениях
       радиочастотных пассивных                                                                                        на транспорте, в торговле и
       и активных                                                                                                      промышленности (2010 год,
       акустоэлектронных меток-                                                                                        2011 год)
       транспондеров, в том
       числе работающих в
       реальной помеховой
       обстановке, для систем
       радиочастотной
       идентификации и систем
       управления доступом

 100.  Разработка базовой           30,5       17       13,5                                                           создание технологии
       конструкции и                ----       --       ----                                                           проектирования и базовых
       промышленной технологии      19,5       11       8,5                                                            конструкций
       производства                                                                                                    пьезоэлектрических фильтров
       пьезокерамических                                                                                               в малогабаритных корпусах
       фильтров в корпусах для                                                                                         для поверхностного монтажа
       поверхностного монтажа                                                                                          при изготовлении техники
                                                                                                                       связи массового применения
                                                                                                                       (2009 год)

 101.  Разработка технологии       37,73     37,73                                                                     создание базовой технологии
       проектирования, базовой     -----     -----                                                                     акустоэлектронных приборов
       технологии производства       23        23                                                                      для перспективных систем
       и конструирования                                                                                               связи, измерительной и
       акустоэлектронных                                                                                               навигационной аппаратуры
       устройств нового                                                                                                нового поколения: подвижных,
       поколения и фильтров                                                                                            спутниковых, тропосферных и
       промежуточной частоты с                                                                                         радиорелейных линий связи,
       высокими                                                                                                        цифрового интерактивного
       характеристиками для                                                                                            телевидения,
       современных систем                                                                                              радиоизмерительной
       связи, включая                                                                                                  аппаратуры, радиолокационных
       высокоизбирательные                                                                                             станций, спутниковых
       высокочастотные                                                                                                 навигационных систем
       устройства частотной                                                                                            (2008 год)
       селекции на
       поверхностных и
       приповерхностных волнах
       и волнах Гуляева-
       Блюштейна с предельно
       низким уровнем вносимого
       затухания для частотного
       диапазона до 5 ГГц

 102.  Разработка технологии       97,416              35,001    62,415                                                создание технологии
       проектирования и базовой    ------              ------    ------                                                производства
       технологии производства      60,9                 22       38,9                                                 высокоинтегрированной
       функциональных                                                                                                  электронной компонентной
       законченных устройств                                                                                           базы типа "система в
       стабилизации, селекции                                                                                          корпусе" для вновь
       частоты и обработки                                                                                             разрабатываемых и
       сигналов типа "система в                                                                                        модернизируемых сложных
       корпусе"                                                                                                        радиоэлектронных систем и
                                                                                                                       комплексов (2010 год)

 103.  Разработка базовой            63                                      21        21      21                      создание базовой технологии
       конструкции и технологии      --                                      --        --      --                      и базовой конструкции
       изготовления                  42                                      14        14      14                      микроминиатюрных
       высокочастотных                                                                                                 высокодобротных фильтров для
       резонаторов и фильтров                                                                                          малогабаритной и носимой
       на объемных акустических                                                                                        аппаратуры навигации и связи
       волнах для                                                                                                      (2013 год)
       телекоммуникационных и
       навигационных систем

 104.  Разработка технологии и       35        35                                                                      создание нового поколения
       базовой конструкции           --        --                                                                      оптоэлектронных приборов для
       фоточувствительных            23        23                                                                      обеспечения задач
       приборов с матричными                                                                                           предотвращения аварий и
       приемниками высокого                                                                                            контроля
       разрешения для видимого
       и ближнего инфракрасного
       диапазона для аппаратуры
       контроля изображений

 105.  Разработка базовой          35,309    16,009     19,3                                                           создание базовой технологии
       технологии                  ------    ------     ----                                                           нового поколения приборов
       унифицированных              21,9       10       11,9                                                           контроля тепловых полей для
       электронно-оптических                                                                                           задач теплоэнергетики,
       преобразователей,                                                                                               медицины, поисковой и
       микроканальных пластин,                                                                                         контрольной аппаратуры на
       пироэлектрических матриц                                                                                        транспорте, продуктопроводах
       и камер на их основе с                                                                                          и в охранных системах
       чувствительностью до 0,1                                                                                        (2009 год)
       К и широкого
       инфракрасного диапазона

 106.  Разработка базовой            82        45        37                                                            создание базовой технологии
       технологии создания           --        --        --                                                            (2008 год) и конструкции
       интегрированных               53        30        23                                                            новых типов приборов,
       гибридных                                                                                                       сочетающих фотоэлектронные и
       фотоэлектронных                                                                                                 твердотельные технологии, с
       высокочувствительных и                                                                                          целью получения экстремально
       высокоразрешающих                                                                                               достижимых характеристик для
       приборов и усилителей                                                                                           задач контроля и наблюдения
       для задач космического                                                                                          в системах двойного
       мониторинга и                                                                                                   назначения
       специальных систем
       наблюдения, научной и
       метрологической
       аппаратуры

 107.  Разработка базовых          96,537    48,136    48,401                                                          создание базовой технологии
       технологий мощных           ------    ------    ------                                                          (2008 год) и конструкций
       полупроводниковых             64        30        34                                                            принципиально новых мощных
       лазерных диодов                                                                                                 диодных лазеров,
       (непрерывного и                                                                                                 предназначенных для широкого
       импульсного излучения),                                                                                         применения в изделиях
       специализированных                                                                                              двойного назначения,
       лазерных                                                                                                        медицины, полиграфического
       полупроводниковых                                                                                               оборудования и системах
       диодов, фотодиодов и                                                                                            открытой оптической связи
       лазерных волоконно-
       оптических модулей для
       создания аппаратуры и
       систем нового поколения

 108.  Разработка и освоение        56,5                 16        30       10,5                                       разработка базового
       базовых технологий для       ----                 --        --       ----                                       комплекта основных
       лазерных навигационных        37                  10        20         7                                        оптоэлектронных компонентов
       приборов, включая                                                                                               для лазерных гироскопов
       интегральный оптический                                                                                         широкого применения (2010
       модуль лазерного                                                                                                год), создание комплекса
       гироскопа на базе                                                                                               технологий обработки и
       сверхмалогабаритных                                                                                             формирования структурных и
       кольцевых                                                                                                       приборных элементов,
       полупроводниковых                                                                                               оборудования контроля и
       лазеров инфракрасного                                                                                           аттестации, обеспечивающих
       диапазона,                                                                                                      новый уровень технико-
       оптоэлектронные                                                                                                 экономических показателей
       компоненты для широкого                                                                                         производства
       класса инерциальных
       лазерных систем
       управления движением
       гражданских и
       специальных средств
       транспорта

 109.  Разработка базовых            22        22                                                                      создание базовой технологии
       конструкций и технологий      --        --                                                                      твердотельных чип-лазеров
       создания квантово-            15        15                                                                      для лазерных дальномеров,
       электронных приемо-                                                                                             твердотельных лазеров с
       передающих модулей для                                                                                          пикосекундными
       малогабаритных лазерных                                                                                         длительностями импульсов для
       дальномеров нового                                                                                              установок по прецизионной
       поколения на основе                                                                                             обработке композитных
       твердотельных чип-                                                                                              материалов, для создания
       лазеров с                                                                                                       элементов и изделий
       полупроводниковой                                                                                               микромашиностроения и в
       накачкой,                                                                                                       производстве электронной
       технологических лазерных                                                                                        компонентной базы нового
       установок широкого                                                                                              поколения, мощных лазеров
       спектрального диапазона                                                                                         для применения в
                                                                                                                       машиностроении,
                                                                                                                       авиастроении,
                                                                                                                       автомобилестроении,
                                                                                                                       судостроении, в составе
                                                                                                                       промышленных технологических
                                                                                                                       установок обработки и
                                                                                                                       сборки, систем
                                                                                                                       экологического мониторинга
                                                                                                                       окружающей
                                                                                                                       среды, контроля выбросов
                                                                                                                       патогенных веществ, контроля
                                                                                                                       утечек в продуктопроводах
                                                                                                                       (2008 год, 2009 год)

 110.  Разработка базовых          66,305    56,27     10,035                                                          создание технологии
       технологий формирования     ------    -----     ------                                                          получения широкоапертурных
       конструктивных узлов и        43        37        6                                                             элементов на основе
       блоков для лазеров                                                                                              алюмоиттриевой легированной
       нового поколения и                                                                                              керамики композитных
       технологии создания                                                                                             составов для лазеров с
       полного комплекта                                                                                               диодной накачкой (2008 год),
       электронной компонентной                                                                                        высокоэффективных
       базы для производства                                                                                           преобразователей частоты
       лазерного устройства                                                                                            лазерного излучения,
       определения наличия                                                                                             организация промышленного
       опасных, взрывчатых,                                                                                            выпуска оптических изделий и
       отравляющих и                                                                                                   лазерных элементов широкой
       наркотических веществ в                                                                                         номенклатуры
       контролируемом
       пространстве

 111.  Разработка базовых            35        17        18                                                            разработка расширенной серии
       технологий, базовой           --        --        --                                                            низковольтных
       конструкции и                 35        17        18                                                            катодолюминесцентных и
       организация производства                                                                                        других дисплеев с широким
       интегрированных                                                                                                 диапазоном эргономических
       катодолюминесцентных и                                                                                          характеристик и свойств по
       других дисплеев двойного                                                                                        условиям применения для
       назначения со встроенным                                                                                        информационных и контрольных
       микроэлектронным                                                                                                систем
       управлением

 112.  Разработка технологии и     38,354    23,73     14,624                                                          создание ряда принципиально
       базовых конструкций         ------    -----     ------                                                          новых светоизлучающих
       высокояркостных               29        16        13                                                            приборов с минимальными
       светодиодов и                                                                                                   геометрическими размерами,
       индикаторов основных                                                                                            высокой надежностью и
       цветов свечения для                                                                                             устойчивостью к механическим
       систем подсветки в                                                                                              и климатическим
       приборах нового                                                                                                 воздействиям, обеспечивающих
       поколения                                                                                                       энергосбережение за счет
                                                                                                                       замены ламп накаливания в
                                                                                                                       системах подсветки
                                                                                                                       аппаратуры и освещения

 113.  Разработка базовой         100,604              21,554     61,05      18                                        создание базовой технологии
       технологии и конструкции   -------              ------     -----      --                                        производства нового
       оптоэлектронных приборов      59                  10        37        12                                        поколения оптоэлектронной
       (оптроны, оптореле,                                                                                             высокоэффективной и надежной
       светодиоды) в                                                                                                   электронной компонентной
       миниатюрных корпусах для                                                                                        базы для промышленного
       поверхностного монтажа                                                                                          оборудования и систем связи
                                                                                                                       (2010 год, 2011 год)

 114.  Разработка                  51,527      24      27,527                                                          создание технологии новых
       схемотехнических решений    ------      --      ------                                                          классов носимой и
       и унифицированных            33,5       16       17,5                                                           стационарной аппаратуры,
       базовых конструкций и                                                                                           экранов отображения
       технологий формирования                                                                                         информации коллективного
       твердотельных                                                                                                   пользования повышенных
       видеомодулей на                                                                                                 емкости и формата (2009 год)
       полупроводниковых
       светоизлучающих
       структурах для носимой
       аппаратуры, экранов
       индивидуального и
       коллективного
       пользования с бесшовной
       стыковкой

 115.  Разработка базовой          57,304    31,723    25,581                                                          создание технологии
       технологии изготовления     ------    ------    ------                                                          массового производства
       высокоэффективных             37        20        17                                                            солнечных элементов для
       солнечных элементов на                                                                                          индивидуального и
       базе использования                                                                                              коллективного использования
       кремния, полученного по                                                                                         в труднодоступных районах,
       "бесхлоридной"                                                                                                  развития солнечной
       технологии и технологии                                                                                         энергетики в жилищно-
       "литого" кремния                                                                                                коммунальном хозяйстве для
       прямоугольного сечения                                                                                          обеспечения задач
                                                                                                                       энергосбережения (2009 год)

 116.  Разработка базовой            32        18        14                                                            создание технологии
       технологии и освоение         --        --        --                                                            массового производства
       производства                  19        12        7                                                             нового класса
       оптоэлектронных реле с                                                                                          оптоэлектронных приборов для
       повышенными техническими                                                                                        широкого применения в
       характеристиками для                                                                                            радиоэлектронной аппаратуре
       поверхностного монтажа                                                                                          (2009 год)

 117.  Комплексное исследование    136,7                 50        63       23,7                                       создание базовой технологии
       и разработка технологий     -----                 --        --       ----                                       массового производства
       получения новых классов      71,8                 22        34       15,8                                       экранов с предельно низкой
       органических                                                                                                    удельной стоимостью для
       (полимерных)                                                                                                    информационных и обучающих
       люминофоров, пленочных                                                                                          систем (2010 год, 2011 год)
       транзисторов на основе
       "прозрачных" материалов,
       полимерной пленочной
       основы и технологий
       изготовления
       крупноформатных гибких и
       особо плоских экранов, в
       том числе на базе
       высокоразрешающих
       процессов струйной
       печати и непрерывного
       процесса изготовления
       типа "с катушки на
       катушку"

 118.  Разработка базовых         145,651      45      13,526    87,125                                                создание технологии и
       конструкций и технологии   -------      --      ------    ------                                                конструкции активно-
       активных матриц и           100,5       30       8,5        62                                                  матричных органических
       драйверов плоских                                                                                               электролюминесцентных,
       экранов на основе                                                                                               жидкокристаллических и
       аморфных,                                                                                                       катодолюминесцентных
       поликристаллических и                                                                                           дисплеев, стойких к внешним
       кристаллических                                                                                                 специальным и климатическим
       кремниевых интегральных                                                                                         воздействиям (2010 год)
       структур на различных
       подложках и создание на
       их основе перспективных
       видеомодулей, включая
       органические
       электролюминесцентные,
       жидкокристаллические и
       катодолюминесцентные,
       создание базовой
       технологии серийного
       производства монолитных
       модулей двойного
       назначения

 119.  Разработка базовой          85,004              41,004      20        24                                        создание технологии и
       конструкции и технологии    ------              ------      --        --                                        базовых конструкций
       крупноформатных полно-        46                  10        20        16                                        полноцветных газоразрядных
       цветных газоразрядных                                                                                           видеомодулей специального и
       видеомодулей                                                                                                    двойного назначения для
                                                                                                                       наборных экранов
                                                                                                                       коллективного пользования
                                                                                                                       (2010 год)

 120.  Разработка технологии       63,249    24,013    18,027    21,209                                                разработка расширенного ряда
       сверхпрецизионных           ------    ------    ------    ------                                                сверхпрецизионных
       резисторов и гибридных        42        16        12        14                                                  резисторов, гибридных
       интегральных схем цифро-                                                                                        интегральных схем
       аналоговых и аналого-                                                                                           цифроаналоговых и аналого-
       цифровых                                                                                                        цифровых преобразователей с
       преобразователей на их                                                                                          параметрами, превышающими
       основе в                                                                                                        уровень существующих
       металлокерамических                                                                                             отечественных и зарубежных
       корпусах для аппаратуры                                                                                         изделий, для аппаратуры
       двойного назначения                                                                                             связи, диагностического
                                                                                                                       контроля, медицинского
                                                                                                                       оборудования, авиастроения,
                                                                                                                       станкостроения,
                                                                                                                       измерительной техники (2010
                                                                                                                       год)

 121.  Разработка базовой            75                                      30        30      15                      разработка расширенного ряда
       технологии особо              --                                      --        --      --                      сверхпрецизионных резисторов
       стабильных и особо            50                                      20        20      10                      с повышенной удельной
       точных резисторов                                                                                               мощностью рассеяния,
       широкого диапазона                                                                                              высоковольтных высокоомных
       номиналов, прецизионных                                                                                         резисторов для измерительной
       датчиков тока для                                                                                               техники, приборов ночного
       измерительной и                                                                                                 видения и аппаратуры
       контрольной аппаратуры и                                                                                        контроля (2013 год)
       освоение их производства

 122.  Разработка технологии и    149,319               10,5     18,519     24,75      45     50,55                    создание базовой технологии
       базовых конструкций        -------               ----     ------     -----      --     -----                    и конструкции резисторов с
       резисторов и резистивных    100,2                 7         13       16,5       30     33,7                     повышенными значениями
       структур нового                                                                                                 стабильности, удельной
       поколения для                                                                                                   мощности в чип-исполнении на
       поверхностного монтажа,                                                                                         основе многослойных
       в том числе резисторов с                                                                                        монолитных структур (2010
       повышенными                                                                                                     год, 2013 год)
       характеристиками,
       ультранизкоомных
       резисторов,
       малогабаритных
       подстроечных резисторов,
       интегральных сборок
       серии нелинейных
       полупроводниковых
       резисторов в
       многослойном исполнении
       чип-конструкции

 123.  Разработка технологий       46,93     36,001    10,929                                                          создание базовой технологии
       формирования                -----     ------    ------                                                          производства датчиков на
       интегрированных             30,95       24       6,95                                                           резистивной основе с
       резистивных структур с                                                                                          высокими техническими
       повышенными технико-                                                                                            характеристиками и
       эксплуатационными                                                                                               надежностью (2009 год)
       характеристиками на
       основе
       микроструктурированных
       материалов и методов
       групповой сборки

 124.  Создание групповой          59,011    30,006    29,005                                                          создание технологии
       технологии                  ------    ------    ------                                                          автоматизированного
       автоматизированного           39        20        19                                                            производства чип- и
       производства                                                                                                    микрочип-резисторов
       толстопленочных чип- и                                                                                          (в габаритах 0402, 0201 и
       микрочип-резисторов                                                                                             менее) для применения в
                                                                                                                       массовой аппаратуре
                                                                                                                       (2009 год)

 125.  Разработка новых базовых     126        24        27        75                                                  создание базовой технологии
       технологий и                 ---        --        --        --                                                  производства конденсаторов с
       конструктивных решений        83        16        17        50                                                  качественно улучшенными
       изготовления танталовых                                                                                         характеристиками с
       оксидно-                                                                                                        электродами из неблагородных
       полупроводниковых и                                                                                             металлов при сохранении
       оксидно-                                                                                                        высокого уровня надежности
       электролитических                                                                                               (2010 год)
       конденсаторов и чип-
       конденсаторов и
       организация производства
       конденсаторов с
       повышенным удельным
       зарядом, сверхнизким
       значением внутреннего
       сопротивления и
       улучшенными
       потребительскими
       характеристиками

 126.  Разработка комплексной      29,801    22,277    7,524                                                           создание базовых технологий
       базовой технологии и        ------    ------    -----                                                           конденсаторов и ионисторов
       организация производства      18        13        5                                                             на основе полимерных
       конденсаторов с                                                                                                 материалов с повышенным
       органическим                                                                                                    удельным зарядом и
       диэлектриком и                                                                                                  энергоемких накопительных
       повышенными удельными                                                                                           конденсаторов с повышенной
       характеристиками и                                                                                              удельной энергией (2009 год)
       ионисторов с повышенным
       током разряда

 127.  Разработка технологии,      94,006               23,5     39,006     31,5                                       создание технологии и
       базовых конструкций         ------               ----     ------     ----                                       базовых конструкций нового
       высоковольтных                62                  15        26        21                                        поколения выключателей для
       (быстродействующих,                                                                                             радиоэлектронной аппаратуры
       мощных) вакуумных                                                                                               с повышенными тактико-
       выключателей нового                                                                                             техническими
       поколения с предельными                                                                                         характеристиками и
       характеристиками для                                                                                            надежностью (2011 год)
       радиотехнической
       аппаратуры с высокими
       сроками службы

 128.  Разработка технологий       50,599    24,803    25,796                                                          создание технологии
       создания газонаполненных    ------    ------    ------                                                          изготовления коммутирующих
       высоковольтных               33,5      16,5       17                                                            устройств для токовой
       высокочастотных                                                                                                 коммутации цепей в широком
       коммутирующих устройств                                                                                         диапазоне напряжений и токов
       для токовой коммутации                                                                                          для радиоэлектронных и
       цепей с повышенными                                                                                             электротехнических систем
       техническими                                                                                                    (2009 год)
       характеристиками

 129.  Разработка полного           26,5      26,5                                                                     создание технологии выпуска
       комплекта электронной        ----      ----                                                                     устройств грозозащиты в
       компонентной базы для        17,5      17,5                                                                     индивидуальном, промышленном
       создания модульного                                                                                             и гражданском строительстве,
       устройства грозозащиты                                                                                          строительстве пожароопасных
       зданий и сооружений с                                                                                           объектов (2008 год)
       обеспечением требований
       по международным
       стандартам

 130.  Разработка базовых            55        46        9                                                             создание базовой технологии
       конструкций и технологий      --        --        -                                                             формирования
       изготовления                  37        31        6                                                             высококачественных
       малогабаритных                                                                                                  гальванических покрытий,
       переключателей с                                                                                                технологии прецизионного
       повышенными сроками                                                                                             формирования изделий для
       службы для печатного                                                                                            автоматизированных систем
       монтажа                                                                                                         изготовления коммутационных
                                                                                                                       устройств широкого
                                                                                                                       назначения (2009 год)

 131.  Комплексное исследование     825                                     80,55     181    224,95     195     143,5  комплексное исследование и
       и разработка пленочных       ---                                     -----     ---    ------     ---     -----  разработка технологий
       технологий изготовления      550                                     53,7      121     150,3     130      95    получения новых классов
       высокоэкономичных                                                                                               органических светоизлучающих
       крупноформатных гибких и                                                                                        диодов (ОСИД), полимерной
       особо плоских экранов                                                                                           пленочной основы и
                                                                                                                       технологий изготовления
                                                                                                                       гибких ОСИД-экранов, в том
                                                                                                                       числе на базе
                                                                                                                       высокоразрешающих процессов
                                                                                                                       струйной печати, процессов
                                                                                                                       наноимпринта и рулонной
                                                                                                                       технологии изготовления
                                                                                                                       (2013 год); создание базовой
                                                                                                                       технологии производства
                                                                                                                       ОСИД-экранов для применения
                                                                                                                       в различных системах
                                                                                                                       (2015 год)

 132.  Исследование                 798                                      75      217,5     168      195     142,5  создание технологии
       перспективных                ---                                      --      -----     ---      ---     -----  формирования нового
       конструкций и                532                                      50       145      112      130      95    поколения оптоэлектронных
       технологических                                                                                                 комплексированных приборов,
       принципов формирования                                                                                          обеспечивающих создание
       оптоэлектронных и                                                                                               "системы на кристалле" с
       квантовых структур и                                                                                            оптическими входами-выходами
       приборов нового                                                                                                 (2014 год, 2015 год)
       поколения

 133.  Разработка перспективных    811,5                                              255     247,5     180      129   создание перспективной
       технологий промышленного    -----                                              ---     -----     ---      ---   технологии массового
       изготовления солнечных       541                                               170      165      120      86    производства солнечных
       высокоэффективных                                                                                               элементов для
       элементов                                                                                                       индивидуального и
                                                                                                                       коллективного использования
                                                                                                                       (2015 год)

       Всего по направлению 6     4623,784  688,198   611,262    510,324    352,5    749,5     727      570      415
                                  --------  -------   -------    -------    -----    -----     ---      ---      ---
                                  3034,25     456      365,35     336,9      235      500      485      380      276

                                      Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции

 134.  Разработка базовых         4355,463  130,715   167,733    127,015     630      1058     814      726      702   создание на основе
       технологий создания        --------  -------    ------    ------      ---      ----     ---      ---      ---   современной и перспективной
       рядов приемо-передающих     2911,4     90,1     113,6      87,7       420      691      553      486      470   отечественной электронной
       унифицированных                                                                                                 компонентной элементной базы
       электронных модулей для                                                                                         и последних достижений в
       аппаратуры связи,                                                                                               разработке алгоритмов сжатия
       радиолокации,                                                                                                   видеоизображений приемо-
       телекоммуникаций,                                                                                               передающих унифицированных
       бортовых                                                                                                        электронных модулей
       радиотехнических средств                                                                                        аппаратуры связи,
                                                                                                                       телекоммуникаций, цифрового
                                                                                                                       телевидения, бортовых
                                                                                                                       радиотехнических средств,
                                                                                                                       активных фазированных
                                                                                                                       антенных решеток с
                                                                                                                       параметрами:
                                                                                                                       диапазон частот до
                                                                                                                       100 ГГц;
                                                                                                                       скорость передачи
                                                                                                                       информации до
                                                                                                                       100 Гбит/с;
                                                                                                                       создание базовых технологий
                                                                                                                       и конструкции для создания
                                                                                                                       унифицированных рядов
                                                                                                                       приемо-передающих
                                                                                                                       унифицированных электронных
                                                                                                                       модулей аппаратуры
                                                                                                                       волоконно-оптических линий
                                                                                                                       связи когерентных,
                                                                                                                       высокоскоростных каналов со
                                                                                                                       спектральным уплотнением,
                                                                                                                       телекоммуникаций, цифрового
                                                                                                                       телевидения, обеспечивающих
                                                                                                                       импортозамещение в этой
                                                                                                                       области;
                                                                                                                       разработка новых технологий

 135.  Разработка базовых         2916,849   91,404   159,155    101,29      465      797      555      353      395   создание на основе базовых
       технологий создания        --------   ------   -------    ------      ---      ---      ---      ---      ---   технологий и современной
       нового класса               1932,4     61,1     104,9      56,4       310      540      365      233      262   отечественной твердотельной
       унифицированных                                                                                                 компонентной электронной
       электронных модулей для                                                                                         базы унифицированных
       обработки аналоговых и                                                                                          электронных модулей нового
       цифровых сигналов на                                                                                            поколения для обработки
       основе устройств                                                                                                аналоговых и цифровых
       функциональной                                                                                                  сигналов РЛС и других
       электроники, приборов                                                                                           радиотехнических систем в
       обработки сигналов                                                                                              высокочастотных, ПЧ и
       аналого-цифровых и                                                                                              сверхвысокочастотных
       цифроаналоговых                                                                                                 диапазонах, освоение
       преобразователей,                                                                                               производства нового класса
       сенсоров и                                                                                                      многофункциональных
       преобразователей                                                                                                радиоэлектронных устройств,
                                                                                                                       разработка унифицированных
                                                                                                                       электронных модулей
                                                                                                                       преобразователей физических
                                                                                                                       и химических величин для
                                                                                                                       измерения и контроля широкой
                                                                                                                       номенклатуры параметров
                                                                                                                       микромеханических систем

 136.  Разработка базовых         1748,445   47,185    77,477    63,783      285      453      300      257      265   создание рядов
       технологий создания        --------   ------    ------    ------      ---      ---      ---      ---      ---   унифицированных электронных
       рядов унифицированных      1160,25     32,5      42,2      45,55      190      313      197      167      173   модулей для систем
       электронных модулей для                                                                                         телеметрии, управления,
       систем телеметрии,                                                                                              радиолокационных,
       управления, навигации                                                                                           робототехнических,
       (угловых и линейных                                                                                             телекоммуникационных систем
       перемещений, ориентации,                                                                                        и навигации (ориентации,
       стабилизации,                                                                                                   стабилизации,
       позиционирования,                                                                                               позиционирования, наведения,
       наведения,                                                                                                      радиопеленгации, единого
       радиопеленгации, единого                                                                                        времени), позволяющих резко
       времени)                                                                                                        снизить стоимость и
                                                                                                                       организовать крупносерийное
                                                                                                                       производство
                                                                                                                       радиоэлектронных средств
                                                                                                                       широкого применения

 137.  Разработка базовых         3227,159   60,024    89,053    63,082      540      977      525      495      478   создание на основе
       технологий создания        --------   ------    ------    ------      ---      ---      ---      ---      ---   современной и перспективной
       рядов унифицированных      2145,54      40       53,5      42,04      360      658      348      328      316   отечественной электронной
       электронных модулей                                                                                             компонентной базы
       процессоров, скоростного                                                                                        унифицированных электронных
       и сверхскоростного                                                                                              модулей широкой номенклатуры
       ввода-вывода данных,                                                                                            для применения в различных
       шифрования и                                                                                                    информационных системах, в
       дешифрования данных,                                                                                            том числе унифицированных
       интерфейсов обмена,                                                                                             электронных модулей
       систем сбора и хранения                                                                                         шифрования и дешифрования
       информации, периферийных                                                                                        данных;
       устройств, систем                                                                                               разработка базовых
       идентификации и                                                                                                 технологий и конструкций
       управления доступом,                                                                                            унифицированных электронных
       конверторов,                                                                                                    модулей на поверхностных
       информационно-                                                                                                  акустических волнах систем
       вычислительных систем                                                                                           радиочастотной и
                                                                                                                       биометрической
                                                                                                                       идентификации, систем
                                                                                                                       идентификации личности,
                                                                                                                       транспортных средств,
                                                                                                                       электронных паспортов,
                                                                                                                       логистики, контроля доступа
                                                                                                                       на объекты повышенной
                                                                                                                       безопасности, объектов
                                                                                                                       атомной энергетики.
                                                                                                                       В создаваемых
                                                                                                                       унифицированных электронных
                                                                                                                       модулях будет обеспечена
                                                                                                                       скорость обмена и передачи
                                                                                                                       информации до 30 Гб/с

 138.  Разработка базовых         1710,136   49,076    64,824    81,236      270      437      302      256      250   разработка на основе
       технологий создания        --------   ------    ------    ------      ---      ---      ---      ---      ---   перспективных отечественных
       рядов унифицированных       1132,4     32,7      43,2      46,5       180      303      197      167      163   сверхбольших интегральных
       электронных цифровых                                                                                            схем типа "система на
       модулей для                                                                                                     кристалле" базового ряда
       перспективных                                                                                                   электронных модулей для
       магистрально-модульных                                                                                          создания перспективных
       архитектур                                                                                                      магистрально-модульных
                                                                                                                       архитектур, обеспечивающих
                                                                                                                       создание защищенных средств
                                                                                                                       вычислительной техники
                                                                                                                       нового поколения
                                                                                                                       (автоматизированные рабочие
                                                                                                                       места, серверы, средства
                                                                                                                       высокоскоростных линий
                                                                                                                       волоконной связи),
                                                                                                                       функционирующих с
                                                                                                                       использованием современных
                                                                                                                       высокоскоростных
                                                                                                                       последовательных и
                                                                                                                       параллельных системных
                                                                                                                       интерфейсов

 139.  Разработка базовых         2026,225   72,091    92,753    61,381      330      536      336      303      295   создание на основе
       технологий создания ряда   --------   ------    ------    ------      ---      ---      ---      ---      ---   современной и перспективной
       унифицированных             1338,2     35,5      61,9      40,8       220      364      224      198      194   отечественной электронной
       электронных модулей для                                                                                         компонентной базы рядов
       контрольно-                                                                                                     унифицированных электронных
       измерительной,                                                                                                  модулей, обеспечивающих
       метрологической и                                                                                               возможность создания по
       поверочной аппаратуры,                                                                                          модульному принципу
       аппаратуры тестового                                                                                            контрольно-измерительной,
       контроля, диагностики                                                                                           метрологической и поверочной
       блоков радиоэлектронной                                                                                         аппаратуры, аппаратуры
       аппаратуры, для                                                                                                 тестового контроля и
       стандартных и встроенных                                                                                        диагностики на основе
       систем контроля и                                                                                               базовых несущих конструкций;
       измерений                                                                                                       создание комплекта
                                                                                                                       сложнофункциональных блоков,
                                                                                                                       определяющих ядро
                                                                                                                       измерительных приборов,
                                                                                                                       систем и комплексов,
                                                                                                                       разработка законченных
                                                                                                                       функциональных модулей,
                                                                                                                       предназначенных для
                                                                                                                       выполнения
                                                                                                                       процессорных и интерфейсных
                                                                                                                       функций поверки и
                                                                                                                       диагностики сверхбольших
                                                                                                                       интегральных схем типа
                                                                                                                       "система на кристалле" для
                                                                                                                       систем управления, а также
                                                                                                                       систем проектирования и
                                                                                                                       изготовления модулей систем
                                                                                                                       управления и бортовых
                                                                                                                       электронно-вычислительных
                                                                                                                       машин, систем обработки
                                                                                                                       информации и вычислений

 140.  Разработка базовых         2869,94     58,5     95,178    91,262      480      860      417      477      391   разработка базовых
       технологий создания        -------     ----     ------    ------      ---      ---      ---      ---      ---   технологий создания
       нового поколения             1908       41        62        55        320      574      278      318      260   системообразующих
       унифицированных рядов                                                                                           унифицированных рядов
       средств электропитания и                                                                                        средств (систем, источников,
       преобразователей                                                                                                сервисных устройств) и
       электроэнергии для                                                                                              преобразователей
       радиоэлектронных систем                                                                                         электроэнергии нового
       и аппаратуры                                                                                                    поколения межвидового и
       гражданского и двойного                                                                                         межведомственного
       назначения                                                                                                      применения, в том числе
                                                                                                                       средств электропитания с
                                                                                                                       высокой плотностью упаковки
                                                                                                                       элементов с применением
                                                                                                                       бескорпусных изделий,
                                                                                                                       плоских моточных изделий
                                                                                                                       пленочной технологии, новых
                                                                                                                       методов экранирования,
                                                                                                                       отвода и рассеяния тепла,
                                                                                                                       основанных на применении
                                                                                                                       наноразмерных материалов с
                                                                                                                       высокой анизотропной
                                                                                                                       теплопроводностью
                                                                                                                       Будут разработаны базовые
                                                                                                                       технологии создания:
                                                                                                                       унифицированных рядов
                                                                                                                       источников электропитания;
                                                                                                                       преобразователей
                                                                                                                       электрической энергии;
                                                                                                                       источников и систем
                                                                                                                       бесперебойного
                                                                                                                       электропитания;
                                                                                                                       фильтров сетевых модулей
                                                                                                                       автоматического переключения
                                                                                                                       каналов;
                                                                                                                       модулей защиты от сетевых
                                                                                                                       помех;
                                                                                                                       адаптеров

 141.  Разработка                 3142,225     43      84,225      90        525      920      514      498      468   разработка системы базовых
       оптимизированной системы   --------     --      ------      --        ---      ---      ---      ---      ---   несущих конструкций,
       базовых несущих             2089,5      28       54,5       57        350      612      343      333      312   изготавливаемых на основе
       конструкций первого,                                                                                            прогрессивных технологий и
       второго и третьего                                                                                              обеспечивающих техническую
       уровней для наземной,                                                                                           совместимость со всеми
       морской, авиационной и                                                                                          видами современных объектов
       космической                                                                                                     с использованием новых
       радиоэлектронной                                                                                                полимерных материалов.
       аппаратуры специального                                                                                         Применение оптимизированных
       и двойного назначения,                                                                                          базовых несущих конструкций
       предназначенной для                                                                                             позволит сократить сроки
       жестких условий                                                                                                 разработки радиоэлектронной
       эксплуатации, в том                                                                                             аппаратуры в 1,2 раза,
       числе работающей в                                                                                              снизить трудоемкость
       негерметизированном                                                                                             изготовления базовых несущих
       отсеке с использованием                                                                                         конструкций в 1,5 - 2 раза,
       прогрессивных технологий                                                                                        на 25 процентов уменьшить
                                                                                                                       материалоемкость и сократить
                                                                                                                       затраты на производство
                                                                                                                       радиоэлектронной аппаратуры
                                                                                                                       в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить
                                                                                                                       эффективное импортозамещение

 142.  Разработка базовых         1732,889   46,16     66,651    60,078      285      482      275      269      249   разработка базовых несущих
       технологий комплексно      --------   -----     ------    ------      ---      ---      ---      ---      ---   конструкций с функциями
       интегрированных базовых    1159,68      33       45,3      41,38      190      320      184      180      166   контроля, в том числе
       несущих конструкций с                                                                                           контроля температуры,
       функциями контроля,                                                                                             влажности, задымления в
       диагностики, индикации                                                                                          корпусах радиоэлектронной
       функционирования                                                                                                аппаратуры, уровня вибрации,
                                                                                                                       контроля параметров
                                                                                                                       составных частей
                                                                                                                       радиоэлектронной аппаратуры
                                                                                                                       - унифицированных
                                                                                                                       электронных модулей,
                                                                                                                       индикации рабочих режимов и
                                                                                                                       аварийных сигналов для
                                                                                                                       идентификации контролируемых
                                                                                                                       параметров, разработка
                                                                                                                       герметичных и
                                                                                                                       перфорированных базовых
                                                                                                                       несущих конструкций,
                                                                                                                       обеспечивающих нормальный
                                                                                                                       тепловой режим
                                                                                                                       радиоэлектронной аппаратуры
                                                                                                                       и выполняющих функции
                                                                                                                       измерения и регулирования в
                                                                                                                       требуемом диапазоне
                                                                                                                       температуры и влажности
                                                                                                                       воздуха внутри герметичных и
                                                                                                                       перфорированных базовых
                                                                                                                       несущих конструкций. Это
                                                                                                                       позволит в 1,5 - 2 раза
                                                                                                                       повысить надежность
                                                                                                                       радиоэлектронной аппаратуры

 143.  Разработка базовых         1287,818   30,618     34,2       38        210      362      206      202      205   обеспечение улучшения
       технологий создания        --------   ------     ----       --        ---      ---      ---      ---      ---   массогабаритных
       облегченных паяных          856,2       20       22,2       24        140      240      138      135      137   характеристик бортовой
       базовых несущих                                                                                                 аппаратуры на 30 процентов и
       конструкций для                                                                                                 повышение прочности при
       радиоэлектронной                                                                                                внешних воздействиях в 1,5 -
       аппаратуры авиационного                                                                                         2 раза
       и космического
       базирования на основе
       существующих и
       перспективных
       алюминиевых сплавов
       повышенной прочности,
       обеспечивающих отвод
       тепла по элементам
       конструкции

 144.  Разработка контейнерных     1051,4      21       32,4       38        180      275      181      164      160   повышение уровня системной
       базовых несущих             ------      --       ----       --        ---      ---      ---      ---      ---   интеграции и
       конструкций с               698,4       14       20,4       24        120      180      123      110      107   комплексирования средств и
       унифицированными                                                                                                систем, повышение
       интерфейсными средствами                                                                                        конкурентоспособности не
       для комплексирования                                                                                            менее чем в 2 раза,
       бортовых и наземных                                                                                             обеспечение функционирования
       систем и комплексов                                                                                             аппаратуры в условиях
       различного назначения                                                                                           внешних жестких воздействий

       Всего по направлению 7    26068,549  649,773   963,649    815,127    4200      7157    4425     4000     3858
                                 ---------  -------   -------    -------    ----      ----    ----     ----     ----
                                  17331,97   427,9     623,7     520,37     2800      4795    2950     2655     2560

                                              Направление 8. Типовые базовые технологические процессы

 145.  Разработка технологии      3141,625     45      75,057    66,568      555      848      553      521      478   обеспечение разработки
       изготовления               --------     --      ------    ------      ---      ---      ---      ---      ---   технологий:
       высокоплотных                2094       30        50        44        370      575      365      345      315   производства печатных плат
       теплонагруженных и                                                                                              5-го и выше классов
       сильноточных печатных                                                                                           точности, включая платы со
       плат                                                                                                            встроенными пассивными
                                                                                                                       элементами;
                                                                                                                       создания межслойных
                                                                                                                       соединений с переходными
                                                                                                                       сопротивлениями до 1 мОм
                                                                                                                       для силовых цепей
                                                                                                                       электропитания;
                                                                                                                       формирования слоев меди
                                                                                                                       (в том числе с толщиной до
                                                                                                                       200 - 400 мкм), серебра,
                                                                                                                       никеля с высокими
                                                                                                                       показателями проводимости;
                                                                                                                       формирования финишных
                                                                                                                       покрытий для бессвинцовой
                                                                                                                       технологии производства
                                                                                                                       изделий;
                                                                                                                       производства многослойных
                                                                                                                       печатных плат под высокие
                                                                                                                       температуры пайки;
                                                                                                                       лазерных процессов
                                                                                                                       изготовления печатных плат;
                                                                                                                       прямой металлизации сквозных
                                                                                                                       и глухих отверстий

 146.  Разработка технологии      2012,052   35,733    52,195    49,124      360      545      348      322      300   обеспечение разработки
       изготовления               --------   ------    ------    ------      ---      ---      ---      ---      ---   технологий:
       прецизионных                1343,3      25        35       33,3       240      363      232      215      200   изготовления коммутационных
       коммутационных плат на                                                                                          плат для жестких условий
       основе керамики (в том                                                                                          эксплуатации и широкого
       числе                                                                                                           диапазона частот;
       низкотемпературной),                                                                                            получения коммутационных
       металла, углепластика и                                                                                         плат с температурным
       других функциональных                                                                                           коэффициентом расширения,
       материалов                                                                                                      соответствующим тепловым
                                                                                                                       характеристикам
                                                                                                                       многовыводных корпусов (в
                                                                                                                       том числе керамических)
                                                                                                                       современных приборов;
                                                                                                                       обеспечения предельно
                                                                                                                       минимального газовыделения в
                                                                                                                       замкнутом пространстве
                                                                                                                       герметичных модулей;
                                                                                                                       снижения энергоемкости
                                                                                                                       технологических процессов за
                                                                                                                       счет применения
                                                                                                                       прогрессивных материалов и
                                                                                                                       методов обработки, в том
                                                                                                                       числе низкотемпературной
                                                                                                                       керамики;
                                                                                                                       интеграции в коммутационную
                                                                                                                       плату теплостоков и
                                                                                                                       низкоомных проводников,
                                                                                                                       пассивных элементов;
                                                                                                                       прогрессивных методов
                                                                                                                       формообразования элементов
                                                                                                                       коммутационных плат;
                                                                                                                       обеспечения совмещенного
                                                                                                                       монтажа компонентов методами
                                                                                                                       пайки и сварки на одной
                                                                                                                       плате

 147.  Разработка технологий      3705,145   65,121   107,805    67,219      615      1033     668      600      549   обеспечение разработки
       сборки, монтажа            --------   ------   -------    ------      ---      ----     ---      ---      ---   технологий:
       электронных модулей,        2460,6      43        63       44,6       410      689      445      400      366   новых методов присоединения,
       многокристальных модулей                                                                                        сварки, пайки, в том числе с
       и микросборок на основе                                                                                         применением бессвинцовых
       новой компонентной базы,                                                                                        припоев;
       перспективных                                                                                                   высокоточного дозирования
       технологических и                                                                                               материалов, применяемых при
       конструкционных                                                                                                 сборке (флюсы, припои и
       материалов                                                                                                      припойные пасты, клеи, лаки,
                                                                                                                       компаунды и т.п.);
                                                                                                                       новых методов сборки и пайки
                                                                                                                       корпусов типа BGA, CSP,
                                                                                                                       Flip-chip и других на
                                                                                                                       различные коммутационные
                                                                                                                       платы;
                                                                                                                       монтажа новой электронной
                                                                                                                       компонентной базы, в том
                                                                                                                       числе бескорпусных
                                                                                                                       кристаллов силовых ключей на
                                                                                                                       токовые шины;
                                                                                                                       сборки и монтажа
                                                                                                                       низкопрофильных магнитных
                                                                                                                       компонентов;
                                                                                                                       настройки и ремонта сложных
                                                                                                                       модулей, в том числе
                                                                                                                       демонтажа и повторного
                                                                                                                       монтажа многовыводных
                                                                                                                       компонентов с
                                                                                                                       восстановлением влагозащиты

 148.  Разработка технологии        1392       29       36,5      36,5       225      382      248      225      210   обеспечение разработки
       создания межблочных          ----       --       ----      ----       ---      ---      ---      ---      ---   технологий:
       соединений для               927        19        24        24        150      255      165      150      140   изготовления антенно-
       коммутации сигналов в                                                                                           фидерных устройств, в том
       широком диапазоне частот                                                                                        числе гибких волноводов,
       и мощностей                                                                                                     вращающихся сочленений с
                                                                                                                       различными видами
                                                                                                                       охлаждения;
                                                                                                                       оптоволоконной коммутации,
                                                                                                                       устойчивой к воздействию
                                                                                                                       жестких условий эксплуатации
                                                                                                                       для различных условий
                                                                                                                       применения, в том числе для
                                                                                                                       систем дистанционного
                                                                                                                       управления и мониторинга;
                                                                                                                       изготовления устройств
                                                                                                                       коммутации (разъемов,
                                                                                                                       переключателей и т.п.)
                                                                                                                       различного назначения, в том
                                                                                                                       числе многовыводных,
                                                                                                                       герметичных, врубных,
                                                                                                                       сильноточных и других

 149.  Разработка методов,        1433,792   35,154    61,38     47,258      225      382      248      225      210   повышение процента выхода
       средств и технологии       --------   ------    -----     ------      ---      ---      ---      ---      ---   годных изделий, снижение
       автоматизированного         955,5       23        41       31,5       150      255      165      150      140   потерь на 15 - 30 процентов;
       контроля коммутационных                                                                                         обеспечение разработки:
       плат, узлов, электронных                                                                                        неразрушающих методов
       модулей и приборов                                                                                              контроля качества монтажных
       специального и общего                                                                                           соединений и многослойных
       применения на этапах                                                                                            структур за счет
       разработки и                                                                                                    использования различного
       производства                                                                                                    излучения и цифровой
                                                                                                                       обработки информации;
                                                                                                                       методов выявления
                                                                                                                       напряженных состояний
                                                                                                                       элементов конструкции и
                                                                                                                       потенциальных неисправностей
                                                                                                                       изделий;
                                                                                                                       унифицированных методов и
                                                                                                                       средств тестового и
                                                                                                                       функционального контроля
                                                                                                                       изделий различного
                                                                                                                       назначения

 150.  Разработка технологии      3587,206   57,178    81,504    73,524      600      1037     642      592      504   импортозамещение специальных
       производства специальных   --------   ------    ------    ------      ---      ----     ---      ---      ---   конструкционных и
       технологических и          2388,12      36      53,15      48,97      400      658      428      395      369   технологических материалов,
       конструкционных                                                                                                 обеспечивающих процессы
       материалов и базовой                                                                                            бессвинцовой и
       технологии защиты                                                                                               комбинированной пайки,
       электронных модулей от                                                                                          изготовления коммутационных
       воздействия в жестких                                                                                           плат;
       условиях эксплуатации                                                                                           разработка влагозащитных
                                                                                                                       электроизоляционных покрытий
                                                                                                                       с минимальным газовыделением
                                                                                                                       со сроком эксплуатации 25 и
                                                                                                                       более лет;
                                                                                                                       разработка
                                                                                                                       быстроотверждающихся,
                                                                                                                       эластичных, с низким
                                                                                                                       газовыделением в вакууме
                                                                                                                       клеев, компаундов;
                                                                                                                       разработка материалов и
                                                                                                                       технологии их применения для
                                                                                                                       формирования теплостоков в
                                                                                                                       высокоплотной аппаратуре;
                                                                                                                       разработка высокоэффективных
                                                                                                                       ферритов для планарных
                                                                                                                       трансформаторов повышенной
                                                                                                                       мощности;
                                                                                                                       обеспечение разработки
                                                                                                                       технологий:
                                                                                                                       локальной защиты
                                                                                                                       чувствительных компонентов,
                                                                                                                       общей защиты модулей
                                                                                                                       органическими материалами, в
                                                                                                                       том числе
                                                                                                                       наноструктурированными;
                                                                                                                       вакуумно-плотной
                                                                                                                       герметизации узлов и блоков
                                                                                                                       со свободным внутренним
                                                                                                                       объемом до 5 - 10 л методами
                                                                                                                       пайки и сварки;
                                                                                                                       изготовления вакуумно-
                                                                                                                       плотных корпусов
                                                                                                                       многокристальных модулей и
                                                                                                                       микросборок под
                                                                                                                       поверхностный монтаж на
                                                                                                                       платы;
                                                                                                                       формирования покрытий,
                                                                                                                       обеспечивающих длительную
                                                                                                                       защиту от дестабилизирующих
                                                                                                                       факторов внешней среды,
                                                                                                                       включая ионизирующие
                                                                                                                       излучения;
                                                                                                                       нанесения локальных покрытий
                                                                                                                       с заданными свойствами на
                                                                                                                       элементы конструкции модулей

       Всего по направлению 8     15271,82  267,186   414,441    340,193    2580      4227    2707     2485     2251
                                  --------  -------   -------    -------    ----      ----    ----     ----     ----
                                  10168,52    176      266,15    226,37     1720      2795    1800     1655     1530


                                     Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов

 151.  Разработка технологий      2630,515   60,032    89,083     81,4       435      887      367      359      352   создание технологий
       создания систем и          --------   ------    ------     ----       ---      ---      ---      ---      ---   отечественного программно-
       оборудования                 1751       40        59        52        290      590      245      240      235   аппаратного обеспечения и
       автоматизации                                                                                                   средств разработки для
       проектирования                                                                                                  автоматизированного
       радиоэлектронных систем                                                                                         проектирования
       и комплексов                                                                                                    радиоэлектронного
                                                                                                                       оборудования с
                                                                                                                       использованием различных
                                                                                                                       технологических процессов;
                                                                                                                       повышение качества и
                                                                                                                       сокращение сроков разработки
                                                                                                                       радиоэлектронной продукции;
                                                                                                                       создание технологий
                                                                                                                       обеспечения информационной
                                                                                                                       безопасности
                                                                                                                       функционирования
                                                                                                                       информационно-управляющих
                                                                                                                       систем;
                                                                                                                       существенное повышение
                                                                                                                       уровней защиты информации в
                                                                                                                       информационно-управляющих
                                                                                                                       системах, создание базовых
                                                                                                                       универсальных функциональных
                                                                                                                       модулей защиты информации от
                                                                                                                       несанкционированного
                                                                                                                       доступа, вирусных атак,
                                                                                                                       средств разведки и
                                                                                                                       считывания информации,
                                                                                                                       криптозащиты каналов систем;
                                                                                                                       реализация полного
                                                                                                                       технологического цикла
                                                                                                                       проектирования, испытаний и
                                                                                                                       производства унифицированной
                                                                                                                       высокоэффективной,
                                                                                                                       импортозамещающей,
                                                                                                                       конкурентоспособной
                                                                                                                       аппаратуры

 152.  Разработка технологий      3098,994    75,3     138,5     80,194      525      1055     430      406      389   создание новых способов
       моделирования сложных      --------    ----     -----     ------      ---      ----     ---      ---      ---   моделирования:
       информационно-              2052,9     49,8       80       53,1       350      705      286      270      259   комбинированного способа
       управляющих систем, в                                                                                           моделирования, позволяющего
       том числе систем                                                                                                существенным образом
       реального времени                                                                                               повысить быстродействие
                                                                                                                       вычислений при сохранении
                                                                                                                       точности расчета выходных
                                                                                                                       показателей эффективности;
                                                                                                                       способа операционно-
                                                                                                                       динамического моделирования;
                                                                                                                       снижение сроков разработки и
                                                                                                                       испытаний радиоэлектронной
                                                                                                                       продукции;
                                                                                                                       повышение достоверности
                                                                                                                       математического и
                                                                                                                       имитационного моделирования
                                                                                                                       радиоэлектронных систем и
                                                                                                                       комплексов, обеспечение
                                                                                                                       максимальной сходимости
                                                                                                                       результатов с результатами
                                                                                                                       натурных испытаний и
                                                                                                                       экспериментов

 153.  Разработка технологий      2425,733   45,054    70,65     75,029      405      975      285      285      285   создание метрологически
       полунатурных и стендовых   --------   ------    -----     ------      ---      ---      ---      ---      ---   аттестованной
       испытаний сложных          1615,65      30      45,65       50        270      650      190      190      190   унифицированной стендовой
       информационно-                                                                                                  испытательной базы для
       управляющих систем                                                                                              проведения научно-
                                                                                                                       исследовательских и опытно-
                                                                                                                       конструкторских работ;
                                                                                                                       снижение сроков разработки и
                                                                                                                       стоимости испытаний
                                                                                                                       радиоэлектронной продукции;
                                                                                                                       существенное повышение
                                                                                                                       достоверности полунатурного
                                                                                                                       моделирования
                                                                                                                       радиоэлектронных систем и
                                                                                                                       комплексов, обеспечение
                                                                                                                       максимальной сходимости
                                                                                                                       результатов с результатами
                                                                                                                       натурных испытаний

 154.  Разработка технологии      2257,66    45,05     73,65      68,96      375      907      269      270      249   разработка базовых
       конструирования и          -------    -----     -----      -----      ---      ---      ---      ---      ---   технологий, элементов и
       производства, а также      1502,61      30      48,65      43,96      250      605      179      180      166   конструкций для создания
       аппаратно-программного                                                                                          парка измерительных систем и
       обеспечения                                                                                                     приборов, необходимых для
       метрологических систем                                                                                          разработки и испытаний
       различного назначения                                                                                           радиотехнических
       для создания нового                                                                                             информационно-управляющих
       поколения отечественного                                                                                        систем, систем связи и
       парка измерительной                                                                                             телекоммуникаций
       аппаратуры

       Всего по направлению 9    10412,902  225,436   371,883    305,583    1740      3824    1351     1320     1275
                                 ---------  -------   -------    -------    ----      ----    ----     ----     ----
                                  6922,16    149,8     233,3     199,06     1160      2550     900      880      850

                                                           Направление 10. Обеспечивающие работы

 155.  Разработка                    92        9         6          7        10        18      14       14       14    разработка комплекта
       организационных               --        -         -          -        --        --      --       --       --    методической и научно-
       принципов и научно-           89        6         6          7        10        18      14       14       14    технической документации для
       технической базы                                                                                                обеспечения функционирования
       обеспечения                                                                                                     систем проектирования и
       проектирования и                                                                                                производства электронной
       производства электронной                                                                                        компонентной базы в
       компонентной базы в                                                                                             соответствии с требованиями
       соответствии с                                                                                                  Всемирной торговой
       требованиями Всемирной                                                                                          организации
       торговой организации

 156.  Создание и обеспечение      128,3      16,3       20        13        19        18      14       14       14    разработка новых и
       функционирования системы    -----      ----       --        --        --        --      --       --       --    совершенствование
       испытаний электронной        125        13        20        13        19        18      14       14       14    существующих методов
       компонентной базы,                                                                                              испытаний электронной
       обеспечивающей поставку                                                                                         компонентной базы,
       изделий с                                                                                                       разработка методов
       гарантированной                                                                                                 отбраковочных испытаний
       надежностью для                                                                                                 перспективной электронной
       комплектации систем                                                                                             компонентной базы,
       специального и двойного                                                                                         обеспечение поставки изделий
       назначения                                                                                                      с гарантированной
                                                                                                                       надежностью для комплектации
                                                                                                                       систем специального
                                                                                                                       назначения (атомная
                                                                                                                       энергетика, космические
                                                                                                                       программы, транспорт,
                                                                                                                       системы двойного назначения)

 157.  Разработка и                100,5      8,5        12         9        11        18      15       14       13    разработка и систематизация
       совершенствование           -----      ---        --         -        --        --      --       --       --    методов расчетно-
       методов, обеспечивающих       99        7         12         9        11        18      15       14       13    экспериментальной оценки
       качество и надежность                                                                                           показателей надежности
       сложнофункциональной                                                                                            электронной компонентной
       электронной компонентной                                                                                        базы, разрешенной для
       базы на этапах опытно-                                                                                          применения в аппаратуре,
       конструкторских работ,                                                                                          функционирующей в
       освоения и производства                                                                                         специальных условиях и с
                                                                                                                       длительными сроками
                                                                                                                       активного существования

 158.  Создание и внедрение         94,5       10       14,5                 10        18      15       14       13    разработка системы
       основополагающих             ----       --       ----                 --        --      --       --       --    технологий обеспечения
       документов по                 86        7         9                   10        18      15       14       13    жизненного цикла изделия при
       обеспечению жизненного                                                                                          создании широкой
       цикла изделия на этапах                                                                                         номенклатуры электронной
       проектирования,                                                                                                 компонентной базы
       производства, применения
       и утилизации электронной
       компонентной базы

 159.  Научное сопровождение        138        19        25        15        19        18      15       14       13    оптимизация состава
       Программы, в том числе       ---        --        --        --        --        --      --       --       --    выполняемых комплексов
       определение                  127        13        20        15        19        18      15       14       13    научно-исследовательских и
       технологического и                                                                                              опытно-конструкторских работ
       технического уровней                                                                                            по развитию электронной
       развития отечественной и                                                                                        компонентной базы в рамках
       импортной электронной                                                                                           Программы и определение
       компонентной базы на                                                                                            перспективных направлений
       основе их рубежных                                                                                              создания новых классов
       технико-экономических                                                                                           электронной компонентной
       показателей, разработка                                                                                         базы с установлением системы
       "маршрутных карт"                                                                                               технико-экономических и
       развития групп                                                                                                  рубежных технологических
       электронной компонентной                                                                                        показателей, разработка
       базы                                                                                                            "маршрутных карт"
                                                                                                                       развития по направлениям
                                                                                                                       электронной компонентной
                                                                                                                       базы

 160.  Создание интегрированной    104,5       11       14,5        9        10        18      15       14       13    проведение технико-
       информационно-              -----       --       ----        -        --        --      --       --       --    экономической оптимизации
       аналитической                 98        7         12         9        10        18      15       14       13    выполнения комплексных
       автоматизированной                                                                                              годовых мероприятий
       системы по развитию                                                                                             подпрограммы, создание
       электронной компонентной                                                                                        системы действенного
       базы, охватывающей                                                                                              финансового и технического
       деятельность заказчика-                                                                                         контроля выполнения
       координатора, заказчиков                                                                                        Программы
       и организаций,
       участвующих в выполнении
       комплекса программных
       мероприятий, с целью
       оптимизации состава
       участников, финансовых
       средств, перечисляемой
       государству прибыли и
       достижения заданных
       технико-экономических
       показателей
       разрабатываемой
       электронной компонентной
       базы

 161.  Определение перспектив       100        11        13         8         8        18      15       14       13    формирование системно-
       развития российской          ---        --        --         -         -        --      --       --       --    ориентированных материалов
       электронной компонентной      93        7         10         8         8        18      15       14       13    по экономике, технологиям
       базы на основе анализа                                                                                          проектирования и
       динамики сегментов                                                                                              производству электронной
       мирового и                                                                                                      компонентной базы, обобщение
       отечественного рынков                                                                                           и анализ мирового опыта для
       радиоэлектронной                                                                                                выработки технически и
       продукции и действующей                                                                                         экономически обоснованных
       производственно-                                                                                                решений развития электронной
       технологической базы                                                                                            компонентной базы

 162.  Системный анализ              74        11        13         8         7        14       7        7        7    создание отраслевой системы
       результатов выполнения        --        --        --         -         -        --       -        -        -    учета и планирования
       комплекса мероприятий         69        8         11         8         7        14       7        7        7    развития разработки,
       Программы на основе                                                                                             производства и применения
       создания отраслевой                                                                                             электронной компонентной
       системы планирования и                                                                                          базы
       учета развития
       разработки, производства
       и применения электронной
       компонентной базы по
       основным технико-
       экономическим
       показателям

       Всего по направлению 10     831,8      95,8      118        69        94       140      110      105      100
                                   -----      ----      ---        --        --       ---      ---      ---      ---
                                    786        68       100        69        94       140      110      105      100

       Итого по разделу I        96752,876  6035,127  6598,632  6044,117    14895   22517,65 15051,1 13408,25   12203
                                 ---------  --------  --------  --------    -----   -------- ------- --------   -----
                                  63908,3     3980     4241,3     3637      9930    15024,12  10020   8925,88   8150
─────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────
───────┬──────────────────┬───────────┬─────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┬─────────┬─────────┬──────────────────────
       │    Мероприятия   │2008 - 2015│                                 В том числе                                 │Сроки    │ Площадь │ Ожидаемые результаты
       │                  │  годы -   ├─────────┬────────┬────────┬─────────┬─────────┬──────────┬─────────┬────────┤реали-   │ объекта │
       │                  │  всего    │2008 год │2009 год│2010 год│2011 год │2012 год │ 2013 год │2014 год │2015 год│зации    │ (кв. м) │
───────┴──────────────────┴───────────┴─────────┴────────┴────────┴─────────┴─────────┴──────────┴─────────┴────────┴─────────┴─────────┴──────────────────────
                                                                   II. Капитальные вложения

                                       МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (МИНПРОМТОРГ РОССИИ)

                                      Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

 163.   Реконструкция и       744,5       357     191,5     196                                                       2008 -     5293    создание
        техническое           -----       ---     -----     ---                                                        2010              производственно-
        перевооружение        696,5       315     191,5     190                                                                          технологического
        производства                                                                                                                     комплекса по выпуску
        сверхвысоко-                                                                                                                     твердотельных
        частотной техники                                                                                                                сверхвысоко-
        федерального                                                                                                                     частотных субмодулей
        государственного                                                                                                                 мощностью 100 тыс.
        унитарного                                                                                                                       шт. в год
        предприятия
        "Научно-
        производственное
        предприятие
        "Исток",
        г. Фрязино,
        Московская область

 164.   Реконструкция и       815,5      124,5    170,5    100,5      420                                             2008 -    3424,4   создание
        техническое           -----      -----    -----    -----      ---                                              2011              производственной
        перевооружение        580,5       110     170,5      90       210                                                                технологической
        федерального                                                                                                                     линии по выпуску
        государственного                                                                                                                 сверхвысоко-
        унитарного                                                                                                                       частотных приборов и
        предприятия                                                                                                                      модулей на
        "Научно-                                                                                                                         широкозонных
        производственное                                                                                                                 полупроводниках
        предприятие                                                                                                                      мощностью
        "Пульсар",                                                                                                                       360 тыс. шт. в год
        г. Москва

 165.   Реконструкция и        233                           53       180                                             2010 -     3380    расширение мощностей
        техническое           -----                          --       ---                                              2011              по производству
        перевооружение         140                           50       90                                                                 активных элементов и
        федерального           <*>                                                                                                       сверхвысоко-
        государственного                                                                                                                 частотных монолитных
        унитарного                                                                                                                       интегральных схем с
        предприятия                                                                                                                      повышенной
        "Научно-                                                                                                                         радиационной
        производственное                                                                                                                 стойкостью с 15 до
        предприятие                                                                                                                      35 тыс. шт. в год
        "Салют",                                                                                                                         <**>
        г. Нижний Новгород

 166.   Техническое           193,6                         93,6      100                                             2010 -    3058,73  ввод новых мощностей
        перевооружение         ----                         ----      ---                                              2011              по производству
        федерального           140                           90       50                                                                 новейших образцов
        государственного       <*>                                                                                                       ламп бегущей волны и
        унитарного                                                                                                                       других сверхвысоко-
        предприятия                                                                                                                      частотных приборов,
        "Научно-                                                                                                                         в том числе в
        производственное                                                                                                                 миллиметровом
        предприятие                                                                                                                      диапазоне <**>
        "Алмаз",
        г. Саратов

 167.   Реконструкция и       348,8                         78,8      270                                             2010 -     1438    реконструкция
        техническое           -----                         ----      ---                                              2011              производственной
        перевооружение         200                           65       135                                                                линии по выпуску
        федерального           <*>                                                                                                       новых сверхмощных
        государственного                                                                                                                 сверхвысоко-
        унитарного                                                                                                                       частотных приборов с
        предприятия                                                                                                                      повышенным уровнем
        "Научно-                                                                                                                         технических
        производственное                                                                                                                 параметров,
        предприятие                                                                                                                      надежности и
        "Торий",                                                                                                                         долговечности
        г. Москва                                                                                                                        мощностью 88 шт. в
                                                                                                                                         год <**>

 168.   Техническое            100                           40       60                                              2010 -     1380    реконструкция
        перевооружение         ---                           --       --                                               2011              производственной
        федерального            60                           30       30                                                                 линии для выпуска
        государственного       <*>                                                                                                       новых изделий
        унитарного                                                                                                                       радиационно стойкой
        предприятия                                                                                                                      электронной
        "Новосибирский                                                                                                                   компонентной базы,
        завод полупроводни-                                                                                                              необходимой для
        ковых приборов                                                                                                                   организаций Росатома
        с ОКБ",                                                                                                                          и Роскосмоса <**>
        г. Новосибирск

 169.   Техническое            133                           53       80                                              2010 -     1973    создание
        перевооружение         ---                           --       --                                               2011              производственных
        федерального            90                           50       40                                                                 мощностей по выпуску
        государственного       <*>                                                                                                       радиационно стойкой
        унитарного                                                                                                                       электронной
        предприятия                                                                                                                      компонентной базы в
        "Научно-                                                                                                                         количестве 80 - 100
        производственное                                                                                                                 тыс. шт. в год для
        предприятие                                                                                                                      комплектования
        "Восток",                                                                                                                        важнейших
        г. Новосибирск                                                                                                                   специальных систем
                                                                                                                                         <**>

 170.   Техническое            1520                                             500       380        320      320     2012 -     5240    техническое
        перевооружение         ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   перевооружение
        открытого              760                                              250       190        160      160                        завода для выпуска
        акционерного           <*>                                                                                                       сверхбольших
        общества "НИИ                                                                                                                    интегральных схем с
        молекулярной                                                                                                                     топологическими
        электроники и завод                                                                                                              нормами 0,18 мкм
        "Микрон", г. Москва,                                                                                                             <**>
        г. Зеленоград

 171.   Техническое            240                          49,2     190,8                                            2010 -     1720    организация участка
        перевооружение         ---                          ----     -----                                             2011              прецизионной
        федерального           120                          24,6     95,4                                                                оптической и
        государственного       <*>                                                                                                       механической
        унитарного                                                                                                                       обработки деталей
        предприятия                                                                                                                      для лазерных
        "Научно-                                                                                                                         излучателей,
        исследовательский                                                                                                                твердотельных
        институт "Полюс"                                                                                                                 лазеров и
        им. М.Ф. Стельмаха",                                                                                                             бескарданных
        г. Москва                                                                                                                        лазерных гироскопов
                                                                                                                                         нового поколения
                                                                                                                                         мощностью 442 шт. в
                                                                                                                                         год <**>

 172.   Техническое            420                                              110       100        105      105     2012 -     1555    создание новых
        перевооружение         ---                                              ---       ---       ----      ----     2015      <***>   производственных
        открытого              210                                              55         50       52,5      52,5                       мощностей для
        акционерного           <*>                                                                                                       выпуска
        общества                                                                                                                         микроэлектронных
        "Светлана",                                                                                                                      датчиков физических
        г. Санкт-Петербург                                                                                                               величин и
                                                                                                                                         электронных датчиков
                                                                                                                                         для экспресс-
                                                                                                                                         контроля параметров
                                                                                                                                         крови и
                                                                                                                                         жизнедеятельности
                                                                                                                                         человека <**>

 173.   Реконструкция и       166,2               166,2                                                                2009     7630,4   обеспечение
        техническое            ---                -----                                                                                  потребности в
        перевооружение         150                 150                                                                                   базовых несущих
        централизованного      <*>                                                                                                       конструкциях, в том
        производства                                                                                                                     числе импортозамеща-
        базовых несущих                                                                                                                  ющих, предприятий
        конструкций на                                                                                                                   приборостроения,
        федеральном                                                                                                                      машиностроения,
        государственном                                                                                                                  судостроения и
        унитарном                                                                                                                        других отраслей
        предприятии                                                                                                                      промышленности <**>
        "Производственное
        объединение
        "Квант",
        г. Великий Новгород

 174.   Техническое             62                  62                                                                 2009     2404,6   техническое
        перевооружение          --                  --                                                                                   перевооружение
        федерального            60                  60                                                                                   действующего
        государственного       <*>                                                                                                       производства
        унитарного                                                                                                                       электронной
        предприятия                                                                                                                      компонентной базы и
        "Научно-                                                                                                                         микросистемотехники
        исследовательский                                                                                                                для создания новых
        институт                                                                                                                         рядов конкуренто-
        электронно-                                                                                                                      способных изделий
        механических                                                                                                                     электронной техники
        приборов",                                                                                                                       <**>
        г. Пенза

 175.   Техническое            60,1      60,1                                                                          2008       120    техническое
        перевооружение         ----      ----                                                                                            перевооружение
        федерального            30        30                                                                                             действующих
        государственного                                                                                                                 производственных
        унитарного                                                                                                                       мощностей по выпуску
        предприятия                                                                                                                      сверхбольших
        "Научно-                                                                                                                         интегральных схем и
        исследовательский                                                                                                                мощных сверхвысоко-
        институт                                                                                                                         частотных
        электронной                                                                                                                      транзисторов с
        техники",                                                                                                                        объемом выпуска
        г. Воронеж                                                                                                                       сверхбольших
                                                                                                                                         интегральных схем 50
                                                                                                                                         тыс. шт. в год,
                                                                                                                                         мощных сверхвысоко-
                                                                                                                                         частотных
                                                                                                                                         транзисторов 10 тыс.
                                                                                                                                         шт. в год
                                                                                                                                         <**>

 176.   Техническое            160                                              160                                    2012       700    организация
        перевооружение         ---                                              ---                                                      серийного
        федерального            80                                              80                                                       производства
        государственного       <*>                                                                                                       параметрических
        унитарного                                                                                                                       рядов мембранных
        предприятия                                                                                                                      датчиков мощностью
        "Научно-                                                                                                                         10 млн. шт. в год и
        исследовательский                                                                                                                чувствительных
        институт физических                                                                                                              элементов для
        проблем имени                                                                                                                    сканирующей зондовой
        Ф.В. Лукина",                                                                                                                    микроскопии
        г. Москва                                                                                                                        мощностью
                                                                                                                                         0,3 млн. шт. в год
                                                                                                                                         <**>

 177.   Реконструкция и        840                           64       110       240       180        123      123     2010 -     12900   расширение
        техническое            ---                           --       ---       ---       ---       ----      ----     2015              производства
        перевооружение         420                           32       55        120        90       61,5      61,5                       перспективных
        производства           <*>                                                                                                       тонкостенных
        перспективных                                                                                                                    антенно-фидерных
        тонкостенных                                                                                                                     устройств и
        антенно-фидерных                                                                                                                 волноводных трактов
        устройств и                                                                                                                      сверхвысокочас-
        волноводных трактов                                                                                                              тотного диапазона,
        сверхвысоко-                                                                                                                     увеличение выпуска в
        частотного                                                                                                                       1,5 раза
        диапазона в                                                                                                                      мощностью
        открытом                                                                                                                         44,76 тыс. шт. в год
        акционерном                                                                                                                      <**>
        обществе "Рыбинский
        завод приборостроения",
        г. Рыбинск,
        Ярославская область

 178.   Техническое            1000                                             300       280        210      210     2012 -     3225    увеличение объемов
        перевооружение и       ----                                             ---       ---        ---      ---      2015      <***>   производства модулей
        реконструкция          500                                              150       140        105      105                        для обработки и
        технологической и      <*>                                                                                                       передачи сигналов
        лабораторной базы                                                                                                                радиолокационных,
        производства и                                                                                                                   навигационных и
        контроля                                                                                                                         посадочных систем до
        перспективных                                                                                                                    250 шт. в год <**>
        радиоэлектронных
        модулей в открытом
        акционерном
        обществе
        "Челябинский
        радиозавод "Полет",
        г. Челябинск

 179.   Техническое            1800                                             560       500        370      370     2012 -     5455    повышение
        перевооружение и       ----                                             ---       ---        ---      ---      2015      <***>   эффективности,
        реконструкция          900                                              280       250        185      185                        надежности и
        производства и         <*>                                                                                                       конкуренто-
        лабораторной базы                                                                                                                способности
        для разработки и                                                                                                                 отечественных
        производства                                                                                                                     радиоэлектронных
        перспективных                                                                                                                    модулей, изделий,
        радиоэлектронных                                                                                                                 комплексов и систем
        модулей, изделий в                                                                                                               открытого
        открытом                                                                                                                         акционерного
        акционерном                                                                                                                      общества "Концерн
        обществе "Концерн                                                                                                                радиостроения "Вега"
        радиостроения                                                                                                                    <**>
        "Вега",
        г. Москва

 180.   Техническое            1200                                             360       340        250      250     2012 -     3870    повышение надежности
        перевооружение и       ----                                             ---       ---        ---      ---      2015      <***>   и качества конечной
        реконструкция          600                                              180       170        125      125                        продукции открытого
        производственно-       <*>                                                                                                       акционерного
        технологической,                                                                                                                 общества "Концерн
        контрольно-                                                                                                                      радиостроения
        испытательной базы                                                                                                               "Вега", создание
        нового поколения                                                                                                                 конкурентоспособных
        антенных систем                                                                                                                  изделий мирового
        дистанционного                                                                                                                   уровня, увеличение
        зондирования Земли                                                                                                               годового объема
        в открытом                                                                                                                       производства до 6
        акционерном                                                                                                                      систем в год <**>
        обществе "Научно-
        исследовательский
        институт "Кулон",
        г. Москва

 181.   Техническое           297,66              47,66     110       140                                             2009 -    2456,4   создание
        перевооружение для   -------              ------    ---       ---                                              2011              комплексного
        создания              148,66              23,66      55       70                                                                 испытательного
        производства нового    <*>                                                                                                       стенда для
        поколения                                                                                                                        исследования
        радиоэлектронных                                                                                                                 образцов техники
        модулей в открытом                                                                                                               мощностью 800 шт. в
        акционерном                                                                                                                      год <**>
        обществе "Научно-
        производственное
        предприятие
        "Рубин",
        г. Пенза

 182.   Техническое           379,9                         25,9      70        80         60        72        72     2010 -     996,3   производство систем
        перевооружение        -----                         ----      --        --         --        --        --      2015              радиочастотной
        производственно-       200                           23       35        40         30        36        36                        идентификации <**>
        технологической,       <*>
        контрольно-
        испытательной базы
        в открытом
        акционерном
        обществе
        "Инженерно-
        маркетинговый центр
        ОАО "Концерн
        радиостроения
        "Вега",
        г. Москва

 183.   Техническое            1000                                             240       300        230      230     2012 -     3030    обеспечение
        перевооружение и       ----                                             ---       ---        ---      ---      2015      <***>   производства
        реконструкция          500                                              120       150        115      115                        микропроцессорных
        мощностей для          <*>                                                                                                       систем управления и
        производства                                                                                                                     контроля гибридных
        микропроцессорных                                                                                                                двигательных
        систем управления и                                                                                                              установок различного
        контроля гибридных                                                                                                               класса в объеме до
        двигательных                                                                                                                     1000 шт. в месяц
        установок                                                                                                                        <**>
        различного класса в
        открытом
        акционерном
        обществе
        "Конструкторское
        бюро "Луч",
        г. Рыбинск,
        Ярославская область

 184.   Реконструкция и        1720                                             500       480        370      370     2012 -     5200    изготовление
        техническое            ----                                             ---       ---        ---      ---      2015      <***>   прецизионных
        перевооружение в       860                                              250       240        185      185                        лазерных и
        целях создания         <*>                                                                                                       пьезокерамических
        специализированного                                                                                                              гироскопов для
        производства                                                                                                                     перспективных
        прецизионных                                                                                                                     летательных
        лазерных и пьезо-                                                                                                                аппаратов <**>
        керамических
        гироскопов в
        открытом
        акционерном
        обществе "Ижевский
        электромеханический
        завод "Купол",
        г. Ижевск,
        Удмуртская
        Республика

 185.   Техническое            1220                                             380       360        240      240     2012 -    3560     изготовление
        перевооружение и      -----                                             ---       ---        ---      ---      2015     <***>    унифицированных
        реконструкция          610                                              190       180        120      120                        твердотельных
        специализированного    <*>                                                                                                       низкочастотных
        производства                                                                                                                     типовых элементов
        унифицированных                                                                                                                  замены для
        низкочастотных                                                                                                                   информационных
        типовых элементов                                                                                                                средств и модулей
        замены и модулей                                                                                                                 активных
        активных                                                                                                                         фазированных
        фазированных                                                                                                                     антенных решеток для
        антенных решеток в                                                                                                               локационных систем
        открытом                                                                                                                         различного
        акционерном                                                                                                                      применения,
        обществе "Марийский                                                                                                              перспективных
        машиностроительный                                                                                                               средств связи и
        завод", г. Йошкар-                                                                                                               управления воздушным
        Ола, Республика                                                                                                                  движением <**>
        Марий Эл

 186.   Реконструкция и        720                                    140       260       200        60        60     2011 -     9582    организация
        техническое            ---                                    ---       ---       ---        --        --      2015              производства и
        перевооружение         360                                    70        130       100        30        30                        внедрение
        производства           <*>                                                                                                       современной
        унифицированных                                                                                                                  технологии с
        электронных модулей                                                                                                              соответствующим
        межвидового                                                                                                                      переоснащением
        применения на                                                                                                                    высокопроизводительным
        открытом                                                                                                                         оборудованием,
        акционерном                                                                                                                      увеличение объема
        обществе                                                                                                                         ежегодного
        "Федеральный                                                                                                                     производства
        научно-                                                                                                                          продукции с
        производственный                                                                                                                 2370 млн. рублей в
        центр                                                                                                                            2007 году до 5028
        "Нижегородский                                                                                                                   млн. рублей в 2015
        научно-                                                                                                                          году <**>
        исследовательский
        институт
        радиотехники",
        г. Нижний Новгород

 187.   Техническое            970                                    240     277,62      240      106,19    106,19   2011 -    8442,7   увеличение объемов
        перевооружение         ---                                    ---     ------      ---      ------    ------    2015              производства,
        специализированного    485                                    120     138,81      120      53,095    53,095                      повышение качества и
        производства           <*>                                                                                                       надежности
        твердотельных                                                                                                                    твердотельных
        передающих и                                                                                                                     передающих и
        приемных систем,                                                                                                                 приемных систем,
        приемо-передающих                                                                                                                приемо-передающих
        модулей активных                                                                                                                 модулей активных
        фазированных                                                                                                                     фазированных
        антенных решеток в                                                                                                               антенных решеток L-
        открытом                                                                                                                         диапазона для
        акционерном                                                                                                                      перспективных
        обществе                                                                                                                         средств связи и
        "Научно-                                                                                                                         управления воздушным
        производственное                                                                                                                 движением <**>
        объединение
        "Правдинский
        радиозавод",
        г. Балахна,
        Нижегородская
        область

 188.   Техническое            1230                                             360       330        270      270     2012 -     4000    увеличение объемов
        перевооружение и       ----                                             ---       ---        ---      ---      2015      <***>   производства,
        реконструкция          615                                              180       165        135      135                        повышение качества и
        специализированного    <*>                                                                                                       надежности
        производства                                                                                                                     твердотельных
        твердотельных                                                                                                                    передающих и
        передающих и                                                                                                                     приемных систем,
        приемных систем,                                                                                                                 приемо-передающих
        приемо-передающих                                                                                                                модулей активных
        модулей активных                                                                                                                 фазированных
        фазированных                                                                                                                     антенных решеток C-
        антенных решеток                                                                                                                 и S-диапазонов волн
        в открытом                                                                                                                       для перспективных
        акционерном                                                                                                                      средств связи и
        обществе                                                                                                                         управления воздушным
        "Научно-                                                                                                                         движением <**>
        производственное
        объединение
        "Лианозовский
        электромеханический
        завод",
        г. Москва

 189.   Техническое            800                                              240       200        180      180     2012 -     2425    изготовление
        перевооружение и       ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   унифицированных
        реконструкция          400                                              120       100        90        90                        твердотельных
        специализированного    <*>                                                                                                       высокочастотных
        производства                                                                                                                     типовых элементов
        унифицированных                                                                                                                  замены для
        высокочастотных                                                                                                                  локационных систем
        типовых элементов                                                                                                                различного
        замены в открытом                                                                                                                применения,
        акционерном                                                                                                                      перспективных
        обществе "Рязанский                                                                                                              средств связи и
        завод "Красное                                                                                                                   управления воздушным
        Знамя", г. Рязань                                                                                                                движением,
                                                                                                                                         увеличение объема
                                                                                                                                         производства типовых
                                                                                                                                         элементов замены в
                                                                                                                                         1,5 раза <**>

 190.   Техническое            960                                              260       240        230      230     2012 -     3300    увеличение выпуска
        перевооружение и       ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   унифицированных
        реконструкция          480                                              130       120        115      115                        автоматизированных
        специализированного    <*>                                                                                                       рабочих мест
        производства                                                                                                                     операторов
        унифицированных                                                                                                                  информационных и
        рабочих мест                                                                                                                     специального
        операторов                                                                                                                       назначения
        информационных                                                                                                                   управляющих систем в
        систем в открытом                                                                                                                1,7 раза <**>
        акционерном
        обществе "Уральское
        производственное
        предприятие
        "Вектор",
        г. Екатеринбург

 191.   Реконструкция и        960                                              300       240        210      210     2012 -     2800    внедрение
        техническое            ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   современных
        перевооружение для     480                                              150       120        105      105                        технологий с
        создания               <*>                                                                                                       соответствующим
        регионального                                                                                                                    переоснащением
        контрактного                                                                                                                     высокопроизводи-
        производства                                                                                                                     тельным
        унифицированных                                                                                                                  оборудованием для
        электронных модулей                                                                                                              организации
        в открытом                                                                                                                       контрактного
        акционерном                                                                                                                      производства <**>
        обществе "Концерн
        "Созвездие",
        г. Воронеж

 192.   Создание               2060                                             640       560        430      430     2012 -     6000    создание
        лабораторной,          ----                                             ---       ---        ---      ---      2015      <***>   конкурентоспособной
        технологической и      1030                                             320       280        215      215                        продукции мирового
        производственной       <*>                                                                                                       уровня, освоение
        базы для                                                                                                                         технологий двойного
        обеспечения                                                                                                                      назначения,
        разработки,                                                                                                                      увеличение объема
        производства и                                                                                                                   выпуска изделий
        испытаний нового                                                                                                                 до 2 - 2,5 млрд.
        поколения                                                                                                                        рублей в год <**>
        телекоммуникационных
        систем и
        комплексов в
        открытом
        акционерном
        обществе "Концерн
        "Созвездие",
        г. Воронеж

 193.   Реконструкция и       194,6                                            194,6                                   2012      620     создание мощностей
        техническое           -----                                            -----                                             <***>   по изготовлению
        перевооружение         97,3                                            97,3                                                      спецтехники нового
        производственно-       <*>                                                                                                       поколения,
        технологической и                                                                                                                обеспечивающей
        лабораторно-                                                                                                                     защиту специальной
        испытательной базы                                                                                                               информации в
        на федеральном                                                                                                                   информационно-
        государственном                                                                                                                  коммуникационных
        унитарном                                                                                                                        системах <**>
        предприятии
        "Калужский
        электромеханический
        завод", г. Калуга

 194.   Техническое            570                                    110       380        80                         2011 -     3156    увеличение объема
        перевооружение         ---                                    ---       ---        --                          2013              выпуска продукции в
        производства           285                                    55        190        40                                            1,3 - 1,5 раза,
        перспективных          <*>                                                                                                       повышение качества и
        коротковолновых                                                                                                                  конкурентоспособ-
        радиостанций в                                                                                                                   ности продукции <**>
        открытом
        акционерном
        обществе
        "Тамбовский завод
        "Октябрь",
        г. Тамбов

 195.   Реконструкция и        350                                              90         80        90        90     2012 -     1200    модернизация
        техническое            ---                                              --         --        --        --      2015      <***>   производства и
        перевооружение         175                                              45         40        45        45                        внедрение
        производства           <*>                                                                                                       современной
        наземной аппаратуры                                                                                                              технологии с
        подвижной связи в                                                                                                                соответствующим
        открытом                                                                                                                         переоснащением
        акционерном                                                                                                                      высокопроизводи-
        обществе                                                                                                                         тельного
        "Тамбовский завод                                                                                                                оборудования <**>
        "Революционный
        труд", г. Тамбов

 196.   Техническое            600                                    200       120       120        80        80     2011 -    2332,2   ускорение и
        перевооружение         ---                                    ---       ---       ---        --        --      2015              повышение качества
        производственно-       300                                    100       60         60        40        40                        разработки
        технологической и      <*>                                                                                                       мультисервисных
        лабораторно-                                                                                                                     сетей ведомственной
        испытательной базы                                                                                                               и профессиональной
        в открытом                                                                                                                       связи, ожидаемый
        акционерном                                                                                                                      экономический эффект
        обществе                                                                                                                         3 млрд. рублей <**>
        "Воронежский
        научно-
        исследовательский
        институт "Вега",
        г. Воронеж

 197.   Техническое            220                                    220                                              2011      7500    ускорение и
        перевооружение         ---                                    ---                                                                повышение качества
        лабораторной и         110                                    110                                                                разработки
        производственно-       <*>                                                                                                       перспективных
        технологической                                                                                                                  программно
        базы нового                                                                                                                      реализуемых сетей
        поколения узлов                                                                                                                  радиосвязи и серии
        связи в открытом                                                                                                                 унифицированных
        акционерном                                                                                                                      электронных модулей
        обществе                                                                                                                         для построения
        "Тамбовский научно-                                                                                                              указанных сетей <**>
        исследовательский
        институт
        радиотехники
        "Эфир", г. Тамбов

 198.   Техническое           915,4                                             400       360       77,7      77,7    2012 -     2700    серийное
        перевооружение        -----                                             ---       ---       -----    -----     2015      <***>   производство
        производства          457,7                                             200       180       38,85    38,85                       перспективной
        открытого              <*>                                                                                                       номенклатуры
        акционерного                                                                                                                     резисторов, в том
        общества                                                                                                                         числе чип-резисторов
        "Российская                                                                                                                      в объеме 350 - 400
        электроника",                                                                                                                    млн. руб. в год <**>
        г. Москва

 199.   Реконструкция и        720                                              400       320                         2012 -     2300    серийное
        техническое            ---                                              ---       ---                          2013      <***>   производство
        перевооружение для     360                                              200       160                                            инфракрасных
        создания серийного     <*>                                                                                                       оптоэлектронных
        производства                                                                                                                     компонентов и
        инфракрасных                                                                                                                     комплекса
        оптоэлектронных                                                                                                                  электронных средств
        компонентов в                                                                                                                    для обеспечения
        открытом                                                                                                                         безопасности
        акционерном                                                                                                                      промышленных
        обществе                                                                                                                         объектов <**>
        "РЭ Комплексные
        системы",
        г. Санкт-Петербург

 200.   Техническое           161,5                91,5      70                                                       2009 -     2786    увеличение объемов
        перевооружение с      -----                ----      --                                                        2010              производства
        целью создания        136,5                76,5      60                                                                          в 1,5 раза <**>
        производства новых     <*>                                                                                                       мощностью 4327 шт. в
        электровакуумных                                                                                                                 год
        приборов на
        открытом
        акционерном
        обществе "Научно-
        производственное
        предприятие
        "Контакт",
        г. Саратов

 201.   Техническое          178,375    50,200    70,675    57,5                                                      2008 -     2015    обеспечение
        перевооружение и      ------    ------    ------    ----                                                       2010              увеличения объема
        реконструкция          150        50        50       50                                                                          выпуска продукции до
        производства по        <*>                                                                                                       0,8 - 1,2 млрд.
        выпуску                                                                                                                          рублей в год,
        электровакуумных                                                                                                                 увеличения ресурса
        приборов                                                                                                                         изделий, создания
        сверхвысокочастот-                                                                                                               новых приборов
        ного диапазона и                                                                                                                 мощностью 706 шт. в
        специального                                                                                                                     год <**>
        технологического
        оборудования в
        открытом
        акционерном
        обществе
        "Владыкинский
        механический
        завод", г. Москва

 202.   Техническое            800                                              500       200        50        50     2012 -     2750    создание сборочного
        перевооружение для     ---                                              ---       ---        --        --      2015      <***>   производства с
        создания сборочного    400                                              250       100        25        25                        использованием
        производства           <*>                                                                                                       микроминиатюрной
        электронных модулей                                                                                                              элементной базы,
        с использованием                                                                                                                 в том числе
        новейшей                                                                                                                         микропроцессоров
        электронной базы                                                                                                                 и матриц BGA <**>
        на федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Электромехани-
        ческий завод
        "Звезда",
        г. Сергиев Посад,
        Московская
        область

 203.   Реконструкция и        420                                              140       100        90        90     2012 -     1450    увеличение объема
        техническое            ---                                              ---       ---        --        --      2015      <***>   выпуска продукции до
        перевооружение с       210                                              70         50        45        45                        520 млн. рублей в
        целью создания         <*>                                                                                                       год <**>
        контрактного
        производства
        электронных модулей
        на федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Калужский завод
        телеграфной
        аппаратуры",
        г. Калуга

 204.   Техническое            302                                              80         70        76        76     2012 -      940    внедрение
        перевооружение и       ---                                              --         --        --        --      2015       <***>  современных
        реконструкция          151                                              40         35        38        38                        технологий, создание
        производства и         <*>                                                                                                       комплекса для
        приборно-                                                                                                                        проведения контроля
        измерительной базы                                                                                                               технологических
        на федеральном                                                                                                                   параметров и
        государственном                                                                                                                  испытаний.
        унитарном                                                                                                                        Увеличение объема
        предприятии                                                                                                                      выпуска продукции в
        "Таганрогский                                                                                                                    1,5 раза <**>
        научно-
        исследовательский
        институт связи",
        г. Таганрог

 205.   Техническое            480                                              160       140        90        90     2012 -     1550    производство
        перевооружение и       ---                                              ---       ---        --        --      2015      <***>   наногетеро-
        реконструкция          240                                              80         70        45        45                        структурных
        пилотной               <*>                                                                                                       сверхвысокочастотных
        технологической                                                                                                                  транзисторов и
        линии по                                                                                                                         монолитных
        изготовлению                                                                                                                     интегральных схем
        наногетеро-                                                                                                                      для систем связи,
        структурных                                                                                                                      измерительной
        сверхвысоко-                                                                                                                     техники,
        частотных                                                                                                                        радиолокации и
        транзисторов и                                                                                                                   сверхвысокочастотной
        монолитных                                                                                                                       радиометрии <**>
        интегральных схем
        для систем связи,
        измерительной
        техники,
        радиолокации и
        сверхвысоко-
        частотной
        радиометрии в
        Учреждении
        Российской академии
        наук Институт
        сверхвысоко-
        частотной
        полупроводниковой
        электроники РАН,
        г. Москва

 206.   Техническое            300                                              80         70        75        75     2012 -      910    производство полного
        перевооружение и       ---                                              --         --       ----      ----     2015       <***>  функционального ряда
        реконструкция          150                                              40         35       37,5      37,5                       массовых
        производства           <*>                                                                                                       отечественных
        испытательной базы                                                                                                               микроминиатюрных
        нового поколения                                                                                                                 пьезоэлектрических
        пьезоэлектрических                                                                                                               генераторов,
        генераторов,                                                                                                                     фильтров,
        фильтров,                                                                                                                        резонаторов.
        резонаторов в                                                                                                                    Увеличение объема
        открытом                                                                                                                         выпуска продукции
        акционерном                                                                                                                      до 230 - 250 млн.
        обществе "Завод                                                                                                                  рублей в год <**>
        "Метеор",
        г. Волжский,
        Волгоградская
        область

 207.   Реконструкция и        400                                              120       120        80        80     2012 -      720    расширение
        техническое            ---                                              ---       ---        --        --      2015       <***>  производственных
        перевооружение         200                                              60         60        40        40                        площадей выпуска
        научно-                <*>                                                                                                       приемо-передающих
        производственной и                                                                                                               модулей на
        лабораторной базы                                                                                                                720 кв. м <**>
        в открытом
        акционерном
        обществе "Ордена
        Трудового Красного
        Знамени федеральный
        научно-
        производственный
        центр по
        радиоэлектронным
        системам и
        информационным
        технологиям имени
        В.И. Шимко",
        г. Казань,
        Республика
        Татарстан

 208.   Техническое            400                                              120       120        80        80     2012 -     1540    организация
        перевооружение         ---                                              ---       ---        --        --      2015      <***>   контрактной сборки
        с целью создания       200                                              60         60        40        40                        массовой продукции,
        контрактного           <*>                                                                                                       увеличение объема
        производства                                                                                                                     производства
        унифицированных                                                                                                                  контрактной
        электронных модулей                                                                                                              продукции в 1,8 раза
        на федеральном                                                                                                                   <**>
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Нижегородский
        завод имени
        М.В. Фрунзе",
        г. Нижний
        Новгород

 209.   Техническое          214,453      79     135,453                                                              2008 -     2300    организация
        перевооружение       -------      --     -------                                                               2009              контрактной сборки
        с целью создания       150        60        90                                                                                   массовой продукции,
        контрактного           <*>                                                                                                       увеличение объема
        производства                                                                                                                     производства
        унифицированных                                                                                                                  контрактной
        электронных модулей                                                                                                              продукции в 2,5 раза
        на федеральном                                                                                                                   <**>
        государственном
        унитарном
        предприятии "Омское
        производственное
        объединение
        "Иртыш",
        г. Омск

 210.   Техническое            300                                              80         70        75        75     2012 -     1070    организация
        перевооружение         ----                                             --         --       ----      ----     2015      <***>   контрактной сборки
        с целью создания       150                                              40         35       37,5      37,5                       массовой продукции,
        контрактного           <*>                                                                                                       увеличение объема
        производства                                                                                                                     производства
        унифицированных                                                                                                                  контрактной
        электронных модулей                                                                                                              продукции в
        в открытом                                                                                                                       1,5 раза <**>
        акционерном
        обществе
        "Авангард",
        г. Санкт-Петербург

 211.   Техническое            1000                                           380,52      280      169,74    169,74   2012 -     3300    обеспечение
        перевооружение         ----                                           ------      ---      ------    ------    2015      <***>   изготовления
        с целью создания       500                                            190,26      140       84,87    84,87                       печатных плат с
        контрактного           <*>                                                                                                       новыми финишными
        производства по                                                                                                                  покрытиями до
        изготовлению                                                                                                                     20 000 кв. м в год;
        печатных плат выше                                                                                                               обеспечение
        5-го класса                                                                                                                      изготовления
        точности и                                                                                                                       унифицированных
        унифицированных                                                                                                                  электронных модулей
        электронных модулей                                                                                                              на печатных платах в
        на федеральном                                                                                                                   количестве до 400
        государственном                                                                                                                  тыс. шт. в год <**>
        унитарном
        предприятии
        "Пензенское
        производственное
        объединение
        "Электроприбор",
        г. Пенза

 212.   Техническое            600                                              200       160        120      120     2012 -     1750    внедрение
        перевооружение         ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   современной
        и реконструкция        300                                              100        80        60        60                        технологии с
        производства           <*>                                                                                                       соответствующим
        электронных                                                                                                                      переоснащением
        сверхвысокочас-                                                                                                                  высокопроизводительным
        тотных модулей на                                                                                                                оборудованием.
        федеральном                                                                                                                      Увеличение объема
        государственном                                                                                                                  выпуска продукции в
        унитарном                                                                                                                        1,5 раза <**>
        предприятии
        "Нижегородский
        научно-
        исследовательский
        приборостроительный
        институт "Кварц",
        г. Нижний Новгород

 213.   Техническое            510                                              210       160        70        70     2012 -     1645    обеспечение
        перевооружение         ---                                              ---       ---        --        --      2015      <***>   разработки,
        и реконструкция        255                                              105        80        35        35                        производства и
        производства           <*>                                                                                                       аттестации средств
        систем, комплексов                                                                                                               комплексов и систем
        и средств, защиты                                                                                                                защиты информации.
        информации на                                                                                                                    Увеличение объема
        федеральном                                                                                                                      выпуска продукции до
        государственном                                                                                                                  0,8 - 1,2 млрд.
        унитарном                                                                                                                        рублей <**>
        предприятии
        "Научно-
        исследовательский
        институт
        автоматики",
        г. Москва

 214.   Техническое            300                                              80         70        75        75     2012 -     935     обеспечение
        перевооружение         ---                                              --         --       ----      ----     2015      <***>   потребности
        и реконструкция        150                                              40         35       37,5      37,5                       организаций в
        регионального          <*>                                                                                                       базовых несущих
        производства                                                                                                                     конструкциях для
        базовых несущих                                                                                                                  всех видов
        конструкций (БНК)                                                                                                                радиоэлектронной
        на федеральном                                                                                                                   аппаратуры.
        государственном                                                                                                                  Увеличение объема
        унитарном                                                                                                                        выпуска продукции в
        предприятии                                                                                                                      2 раза <**>
        "Всероссийский
        научно-
        исследовательский
        институт
        "Градиент",
        г. Ростов-на-Дону

 215.   Реконструкция          360                                              90         90        90        90     2012 -     1060    обеспечение
        и техническое          ---                                              --         --        --        --      2015      <***>   разработки,
        перевооружение         180                                              45         45        45        45                        производства и
        производственно-       <*>                                                                                                       аттестации
        технологической и                                                                                                                комплексов средств
        лабораторно-                                                                                                                     автоматизации
        испытательной базы                                                                                                               информационно-
        для создания                                                                                                                     управляющих систем.
        комплексов средств                                                                                                               Увеличение объема
        автоматизации                                                                                                                    выпуска продукции до
        информационно-                                                                                                                   0,52 млрд. рублей
        управляющих систем                                                                                                               <**>
        на федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии "Ордена
        Трудового Красного
        Знамени научно-
        исследовательский
        институт
        автоматической
        аппаратуры
        им. академика
        В.С. Семенихина",
        г. Москва

 216.   Техническое            300                                              80         70        75        75     2012 -     1250    организация
        перевооружение         ---                                              --         --       ----      ----     2015      <***>   контрактной сборки
        с целью создания       150                                              40         35       37,5      37,5                       массовой продукции,
        контрактного           <*>                                                                                                       увеличение объема
        производства                                                                                                                     производства
        унифицированных                                                                                                                  контрактной
        электронных модулей                                                                                                              продукции в 1,8 раза
        на федеральном                                                                                                                   <**>
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Калугаприбор",
        г. Калуга

 217.   Техническое            300                                              80         70        75        75     2012 -     1100    организация
        перевооружение         ---                                              ---        --       ----      ----     2015      <***>   контрактной сборки
        с целью создания       150                                              40         35       37,5      37,5                       массовой продукции,
        контрактного           <*>                                                                                                       увеличение объема
        производства                                                                                                                     производства
        унифицированных                                                                                                                  контрактной
        электронных модулей                                                                                                              продукции в 1,7 раза
        на федеральном                                                                                                                   <**>
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Ростовский-на-Дону
        научно-
        исследовательский
        институт
        радиосвязи",
        г. Ростов-на-Дону

 218.   Техническое            300                                              80         70        75        75     2012 -     1060    организация
        перевооружение         ---                                              --         --       ----      ----     2015      <***>   контрактной сборки
        с целью создания       150                                              40         35       37,5      37,5                       массовой продукции,
        контрактного           <*>                                                                                                       увеличение объема
        производства                                                                                                                     производства
        унифицированных                                                                                                                  контрактной
        электронных модулей                                                                                                              продукции в 2,5 раза
        на федеральном                                                                                                                   <**>
        государственном
        унитарном
        предприятии "Ордена
        Трудового Красного
        Знамени научно-
        исследовательский
        институт
        автоматической
        аппаратуры
        им. академика
        В.С. Семенихина",
        г. Москва

 219.   Техническое            300                                              70         90        70        70     2012 -     970     организация
        перевооружение         ---                                              --         --        --        --      2015      <***>   контрактной сборки
        с целью создания       150                                              35         45        35        35                        массовой продукции,
        контрактного           <*>                                                                                                       увеличение объема
        производства                                                                                                                     производства
        унифицированных                                                                                                                  контрактной
        электронных модулей                                                                                                              продукции в 2,5 раза
        в открытом                                                                                                                       <**>
        акционерном
        обществе "Курский
        завод "Маяк",
        г. Курск

 220.   Техническое            400                                              100       200        50        50     2012 -     1600    организация
        перевооружение         ---                                              ---       ---        --        --      2015      <***>   контрактной сборки
        с целью создания       200                                              50        100        25        25                        массовой продукции,
        контрактного           <*>                                                                                                       увеличение объема
        производства                                                                                                                     производства
        унифицированных                                                                                                                  контрактной
        электронных модулей                                                                                                              продукции в 1,8 раза
        на федеральном                                                                                                                   <**>
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Научно-
        исследовательский
        институт "Полюс"
        имени
        М.Ф. Стельмаха,
        г. Москва

 221.   Техническое            300                                              100       100        50        50     2012 -     1210    организация
        перевооружение         ---                                              ---       ---        --        --      2015      <***>   контрактной сборки
        с целью создания       150                                              50         50        25        25                        массовой продукции,
        контрактного           <*>                                                                                                       увеличение объема
        производства                                                                                                                     производства
        унифицированных                                                                                                                  контрактной
        электронных модулей                                                                                                              продукции в
        на федеральном                                                                                                                   1,7 раза <**>
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Научно-
        исследовательский
        институт
        телевидения",
        г. Санкт-Петербург

 222.   Техническое            240                                              60         60        60        60     2012 -     1000    увеличение объема
        перевооружение         ---                                              --         --        --        --      2015      <***>   производства
        с целью создания       120                                              30         30        30        30                        в 1,5 раза <**>
        мощностей по           <*>
        выпуску источников
        вторичного
        электропитания в
        открытом
        акционерном
        обществе
        "Специальное
        конструкторско-
        технологическое
        бюро по релейной
        технике",
        г. Великий Новгород

 223.   Реконструкция и        400                                              100       140        80        80     2012 -     1210    увеличение объема
        техническое            ---                                              ---       ---        --        --      2015      <***>   производства
        перевооружение         200                                              50         70        40        40                        радиоэлектронных
        производства и         <*>                                                                                                       изделий на 170 млн.
        испытательной базы                                                                                                               рублей <**>
        широкополосных
        сверхвысоко-
        частотных устройств
        на федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Брянский
        электромеханический
        завод", г. Брянск

 224.   Техническое            100                                              100                                    2012      325     увеличение объема
        перевооружение и        --                                              ---                                              <***>   выпуска продукции на
        реконструкция           50                                              50                                                       100 млн. рублей,
        производственно-       <*>                                                                                                       освоение серийного
        испытательных                                                                                                                    производства изделий
        мощностей на                                                                                                                     "Орион-3М", "Орион-
        федеральном                                                                                                                      3СМ", "Анализ",
        государственном                                                                                                                  "Страж-ПМ" и других
        унитарном                                                                                                                        <**>
        предприятии
        "Государственное
        конструкторское
        бюро аппаратно-
        программных средств
        "Связь",
        г. Ростов-на-Дону

 225.   Техническое            800                                              200       240        180      180     2012 -     2285    увеличение объема
        перевооружение и       ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   выпуска продукции до
        реконструкция          400                                              100       120        90        90                        1,5 - 2 млрд. рублей
        научно-технического    <*>                                                                                                       в год, снижение
        и производственного                                                                                                              себестоимости
        комплексов по                                                                                                                    продукции <**>
        выпуску
        электровакуумных
        приборов
        сверхвысоко-
        частотного
        диапазона на
        федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Научно-
        производственное
        предприятие
        "Торий", г. Москва

 226.   Техническое           178,61     102,6    76,01                                                               2008 -     2010    увеличение объема
        перевооружение и      ------     -----    -----                                                                2009              выпуска продукции
        реконструкция         169,8       100      69,8                                                                                  в 2 раза <**>
        регионального          <*>
        производства
        базовых несущих
        конструкций на
        федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Научно-
        производственное
        предприятие
        "Полет",
        г. Нижний Новгород

 227.   Техническое            480                                              200       180        50        50     2012 -     1450    организация
        перевооружение и       ---                                              ---       ---        --        --      2015      <***>   производства
        реконструкция          240                                              100        90        25        25                        базисных материалов
        производства,          <*>                                                                                                       и элементов для
        метрологической и                                                                                                                разработки приборов
        стендовой базы для                                                                                                               и устройств контроля
        наноструктури-                                                                                                                   сверхмалых количеств
        рованных                                                                                                                         химических и
        материалов,                                                                                                                      биологических
        слоистых структур                                                                                                                веществ с
        и композитов на их                                                                                                               использованием
        основе в открытом                                                                                                                наноструктурированных
        акционерном                                                                                                                      материалов,
        обществе                                                                                                                         слоистых структур и
        "Центральный                                                                                                                     композитов на их
        научно-                                                                                                                          основе <**>
        исследовательский
        технологический
        институт
        "Техномаш",
        г. Москва

 228.   Реконструкция и        400                                              100       100        100      100     2012 -     1145    увеличение объема
        техническое            ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   производства изделий
        перевооружение         200                                              50         50        50        50                        до 1,9 млн. шт. и
        испытательного         <*>                                                                                                       650 млн. рублей <**>
        центра для
        обеспечения
        комплекса работ по
        корпусированию и
        испытаниям
        сложнофункцио-
        нальных
        интегральных схем
        в открытом
        акционерном
        обществе
        "Российский научно-
        исследовательский
        институт
        "Электронстандарт",
        г. Санкт-Петербург

 229.   Реконструкция и        700                                              180       160        180      180     2012 -     1890    увеличение объема
        техническое            ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   выпуска продукции на
        перевооружение         350                                              90         80        90        90                        2 млрд. рублей <**>
        технологической        <*>
        линии по
        производству
        прецизионных
        многослойных
        печатных плат в
        открытом
        акционерном
        обществе "Омский
        приборостроительный
        ордена Трудового
        Красного Знамени
        завод им.
        Н.Г. Козицкого",
        г. Омск

 230.   Реконструкция и       557,6      113,5    108,4    115,7      220                                             2008 -      879    создание
        техническое           -----      -----    -----    -----      ---                                              2011              конкурентоспособных
        перевооружение         403        110       88       95       110                                                                изделий мирового
        производственно-       <*>                                                                                                       уровня. Разработка
        технологической и                                                                                                                технологий двойного
        лабораторно-                                                                                                                     назначения.
        испытательной базы                                                                                                               Увеличение объема
        на федеральном                                                                                                                   производства в 1,5
        государственном                                                                                                                  раза <**>
        унитарном
        предприятии
        "Научно-
        исследовательский
        институт "Экран",
        г. Самара

 231.   Реконструкция и       714,7                         15,5     79,2       180       140        150      150     2010 -     3531    создание комплексов
        техническое           -----                         ----     -----      ---       ---        ---      ---      2015              конкурентоспособной
        перевооружение         360                          10,4     39,6       90         70        75        75                        аппаратуры
        производственно-       <*>                                                                                                       специальной
        технологической и                                                                                                                радиосвязи и
        лабораторной базы                                                                                                                управления.
        для комплексов                                                                                                                   Увеличение объема
        специальной                                                                                                                      выпуска продукции в
        радиосвязи и                                                                                                                     1,5 раза <**>
        управления на
        федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии "Омский
        научно-
        исследовательский
        институт
        приборостроения",
        г. Омск

 232.   Реконструкция и        280                                              70         70        70        70     2012 -      900    повышение
        техническое            ---                                              --         --        --        --      2015       <***>  конкурентоспособности,
        перевооружение         140                                              35         35        35        35                        снижение сроков
        моделирующего          <*>                                                                                                       разработки на 4 - 5
        центра в открытом                                                                                                                месяцев.
        акционерном                                                                                                                      Создание
        обществе "Научно-                                                                                                                поведенческих
        исследовательский                                                                                                                моделей систем
        институт                                                                                                                         реального времени,
        вычислительных                                                                                                                   использование систем
        комплексов                                                                                                                       поддержки принятия
        им. М.А. Карцева",                                                                                                               решений, проведение
        г. Москва                                                                                                                        и анализ
                                                                                                                                         полунатурных
                                                                                                                                         испытаний, отработка
                                                                                                                                         алгоритмов
                                                                                                                                         искусственного
                                                                                                                                         интеллекта.
                                                                                                                                         Сокращение сроков
                                                                                                                                         испытания
                                                                                                                                         в 1,5 - 2 раза.
                                                                                                                                         Применение CALS-
                                                                                                                                         технологий с целью
                                                                                                                                         сокращения затрат и
                                                                                                                                         поддержки жизненного
                                                                                                                                         цикла
                                                                                                                                         разрабатываемых
                                                                                                                                         систем <**>

 233.   Техническое            560                                              160       170        115      115     2012 -     1650    увеличение объема
        перевооружение и       ---                                              ---       ---       ----      ----     2015      <***>   выпуска продукции до
        реконструкция          280                                              80         85       57,5      57,5                       421,5 млн. рублей
        производственно-       <*>                                                                                                       <**>
        технологической и
        лабораторно-
        испытательной базы
        по созданию
        модернизированной
        системы
        идентификации на
        федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Пензенское
        производственное
        объединение
        электронной
        вычислительной
        техники",
        г. Пенза

 234.   Техническое            600                                              200       160        120      120     2012 -     1665    создание
        перевооружение         ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   метрологической,
        и реконструкция        300                                              100        80        60        60                        испытательной базы
        метрологической,       <*>                                                                                                       для разработки и
        испытательной базы                                                                                                               производства
        и производства                                                                                                                   контрольно-
        оптических изделий                                                                                                               измерительной
        на федеральном                                                                                                                   аппаратуры
        государственном                                                                                                                  миллиметрового
        унитарном                                                                                                                        диапазона длин волн.
        предприятии                                                                                                                      Увеличение объема
        "Нижегородский                                                                                                                   производства
        научно-                                                                                                                          квантовых рубидиевых
        исследовательский                                                                                                                стандартов частоты в
        приборостроительный                                                                                                              3 раза <**>
        институт "Кварц",
        г. Нижний
        Новгород

 235.   Техническое            190                                              100        90                         2012 -     633     создание
        перевооружение         ---                                              ---        --                          2013      <***>   сверхширокополосных
        и реконструкция         95                                              50         45                                            измерительных
        стендовой и            <*>                                                                                                       комплексов для
        испытательной базы                                                                                                               измерения параметров
        сложных                                                                                                                          одиночных антенн и
        радиоэлектронных                                                                                                                 линейных, плоских и
        систем и комплексов                                                                                                              объемных решеток
        в открытом                                                                                                                       систем навигации,
        акционерном                                                                                                                      посадки и
        обществе                                                                                                                         радиолокации в
        "Производственное                                                                                                                ближней и дальней
        объединение                                                                                                                      зонах (до 1000 м) и
        "Азимут",                                                                                                                        модернизация
        г. Махачкала,                                                                                                                    существующей в
        Республика                                                                                                                       организации
        Дагестан                                                                                                                         испытательной базы
                                                                                                                                         для проведения
                                                                                                                                         научно-
                                                                                                                                         исследовательских и
                                                                                                                                         опытно-
                                                                                                                                         конструкторских
                                                                                                                                         работ <**>

 236.   Техническое            570                                    70        140       120        120      120     2011 -     2000    увеличение объема
        перевооружение         ---                                    --        ---       ---        ---      ---      2015              выпуска продукции до
        производственно-       285                                    35        70         60        60        60                        3 - 3,5 млрд. рублей
        технологической и      <*>                                                                                                       в год <**>
        лабораторно-
        испытательной базы
        в открытом
        акционерном
        обществе "Научно-
        исследовательский
        институт
        полупроводниковых
        приборов", г. Томск

 237.   Техническое            1160                                  73,24      280       320      243,38    243,38   2011 -     1500    увеличение объема
        перевооружение         ----                                  -----      ---       ---      ------    ------    2015              производства
        и реконструкция        580                                   36,62      140       160      121,69    121,69                      монолитно-
        производства           <*>                                                                                                       интегральных и
        сверхвысоко-                                                                                                                     гибридно-монолитных
        частотной техники                                                                                                                приборов и
        на федеральном                                                                                                                   электронных
        государственном                                                                                                                  компонентов (в том
        унитарном                                                                                                                        числе
        предприятии                                                                                                                      импортозамещающих)
        "Научно-                                                                                                                         до 250 тыс. шт. в
        производственное                                                                                                                 год,
        предприятие                                                                                                                      электровакуумных и
        "Салют",                                                                                                                         вакуумно-
        г. Нижний Новгород                                                                                                               твердотельных
                                                                                                                                         модулей (в том числе
                                                                                                                                         на основе
                                                                                                                                         микроминиатюрных
                                                                                                                                         ламп бегущей волны)
                                                                                                                                         до 1 тыс. шт. в год,
                                                                                                                                         унифицированных
                                                                                                                                         приемо-передающих
                                                                                                                                         модулей (в диапазоне
                                                                                                                                         частот 20 - 150 ГГц)
                                                                                                                                         до 1,5 тыс. шт. в
                                                                                                                                         год <**>

 238.   Реконструкция          224                                              120       104                         2012 -     4590    увеличение объема
        и техническое          ---                                              ---       ---                          2013      <***>   выпуска продукции до
        перевооружение для     112                                              60         52                                            761,5 млн. рублей в
        выпуска                <*>                                                                                                       год. Серийный выпуск
        теплоотводящих                                                                                                                   электронных
        керамических                                                                                                                     компонентов,
        подложек для                                                                                                                     керамических
        твердотельных                                                                                                                    подложек,
        сверхвысоко-                                                                                                                     керамических
        частотных устройств                                                                                                              корпусов,
        и IGBT-модулей в                                                                                                                 обеспечивающих
        открытом                                                                                                                         увеличение объемов
        акционерном                                                                                                                      производства в
        обществе                                                                                                                         различных отраслях
        "Холдинговая                                                                                                                     промышленности,
        компания                                                                                                                         сверхвысокочастотной
        "Новосибирский                                                                                                                   техники и силовой
        электровакуумный                                                                                                                 полупроводниковой
        завод - Союз",                                                                                                                   электроники <**>
        г. Новосибирск

 239.   Техническое            640                                              200       200        120      120     2012 -     1940    реконструкция
        перевооружение         ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   опытного
        и реконструкция        320                                              100       100        60        60                        производства с
        опытного приборного    <*>                                                                                                       учетом реализации
        производства в                                                                                                                   новых технологий по
        открытом                                                                                                                         изготовлению
        акционерном                                                                                                                      интегральных сборок,
        обществе "Концерн                                                                                                                датчиков на
        "Океанприбор",                                                                                                                   пьезопленках и
        г. Санкт-Петербург                                                                                                               других <**>

 240.   Реконструкция          832                                              200       240        196      196     2012 -     2450    комплексное
        и техническое          ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   дооснащение базовых
        перевооружение         416                                              100       120        98        98                        технологий
        организации для        <*>                                                                                                       производства
        совершенствования                                                                                                                электронных средств
        судовой                                                                                                                          вычислительной
        электротехнической                                                                                                               техники с целью
        продукции в                                                                                                                      импортозамещения и
        Федеральном научно-                                                                                                              повышения
        производственном                                                                                                                 конкурентоспособности;
        центре открытом                                                                                                                  создание
        акционерном                                                                                                                      экспериментально-
        обществе "Научно-                                                                                                                лабораторного
        производственное                                                                                                                 комплекса для
        объединение "Марс",                                                                                                              проведения контроля
        г. Ульяновск                                                                                                                     технологических
                                                                                                                                         параметров и
                                                                                                                                         испытаний <**>

 241.   Реконструкция          240                                              80         60        50        50     2012 -     800     техническое
        и техническое          ---                                              --         --        --        --      2015      <***>   перевооружение
        перевооружение         120                                              40         30        25        25                        обеспечит:
        опытно-                <*>                                                                                                       внедрение
        экспериментального                                                                                                               современных
        производства                                                                                                                     технологий
        модулей                                                                                                                          производства модулей
        функциональной                                                                                                                   функциональной
        микроэлектроники                                                                                                                 микроэлектроники;
        в открытом                                                                                                                       рост объема
        акционерном                                                                                                                      производства
        обществе "Концерн                                                                                                                функциональных
        "Гранит -                                                                                                                        модулей в 2 - 2,5
        Электрон",                                                                                                                       раза;
        г. Санкт-Петербург                                                                                                               расширение
                                                                                                                                         номенклатуры без
                                                                                                                                         существенных затрат
                                                                                                                                         на подготовку
                                                                                                                                         производства;
                                                                                                                                         промышленное
                                                                                                                                         освоение технологий
                                                                                                                                         влагозащиты и
                                                                                                                                         электроизоляции
                                                                                                                                         модулей <**>

 242.   Создание               1100                                             280       270        275      275     2012 -     3250    создание участков по
        производственного      ----                                             ---       ---       -----    -----     2015      <***>   производству
        комплекса для          550                                              140       135       137,5    137,5                       кремниевых датчиков,
        массового              <*>                                                                                                       многослойных плат,
        производства                                                                                                                     сборке и
        компонентов                                                                                                                      корпусированию
        инерциальных                                                                                                                     инерциальных
        микромеханических                                                                                                                микромеханических
        датчиков двойного                                                                                                                изделий <**>
        назначения на
        федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Центральный
        научно-
        исследовательский
        институт
        "Электроприбор",
        г. Санкт-Петербург

 243.   Реконструкция          620                                              160       260        100      100     2012 -     2065    внедрение
        инженерно-             ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   современных базовых
        испытательного         310                                              80        130        50        50                        технологий
        корпуса в открытом     <*>                                                                                                       производства
        акционерном                                                                                                                      электронных модулей
        обществе                                                                                                                         цифровой и
        "Концерн "Гранит -                                                                                                               цифроаналоговой
        Электрон",                                                                                                                       вычислительной
        г. Санкт-Петербург                                                                                                               техники;
                                                                                                                                         обеспечение
                                                                                                                                         разработки и
                                                                                                                                         производства базовых
                                                                                                                                         унифицированных
                                                                                                                                         электронных модулей.
                                                                                                                                         Увеличение объема
                                                                                                                                         поставок до 10000
                                                                                                                                         шт. в год <**>

 244.   Техническое            460                                              80         70        155      155     2012 -     1705    создание новой
        перевооружение         ---                                              --         --       ----      ----     2015      <***>   оптической
        производственно-       230                                              40         35       77,5      77,5                       элементной базы
        технологического       <*>                                                                                                       перспективных
        комплекса по                                                                                                                     оптико-электронных
        созданию оптико-                                                                                                                 систем,
        электронной                                                                                                                      обеспечивающей
        компонентной базы                                                                                                                предельно возможные
        на открытом                                                                                                                      технические
        акционерном                                                                                                                      параметры систем, в
        обществе "Научно-                                                                                                                том числе
        производственное                                                                                                                 комплексированных и
        объединение                                                                                                                      многоспектральных
        "Государственный                                                                                                                 оптических каналов
        институт прикладной                                                                                                              <**>
        оптики", г. Казань,
        Республика
        Татарстан

 245.   Реконструкция          640                                              160       200        140      140     2012 -     2000    разработка,
        производственно-       ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   испытания, опытные
        испытательного         320                                              80        100        70        70                        поставки и серийное
        комплекса              <*>                                                                                                       производство новых
        федерального                                                                                                                     видов оптико-
        государственного                                                                                                                 электронных систем,
        унитарного                                                                                                                       обеспечивающих
        предприятия                                                                                                                      предельно возможные
        "Научно-                                                                                                                         технические
        производственная                                                                                                                 параметры изделий
        корпорация                                                                                                                       <**>
        "Государственный
        оптический институт
        имени
        С.И. Вавилова",
        г. Санкт-Петербург

 246.   Реконструкция          700                                              180       160        180      180     2012 -     2100    создание единого
        корпуса 2Ж для         ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   аналитического
        создания               350                                              90         80        90        90                        центра по
        лабораторно-           <*>                                                                                                       исследованиям и
        аналитического                                                                                                                   сертификации
        центра инфракрасной                                                                                                              важнейших материалов
        фото- и                                                                                                                          и компонентов
        оптоэлектроники                                                                                                                  инфракрасной
        на федеральном                                                                                                                   фотоэлектроники <**>
        государственном
        унитарном
        предприятии "НПО
        "Орион",
        г. Москва

 247.   Техническое            3720                                            1000       300       1210      1210    2012 -     12400   создание
        перевооружение         ----                                            ----       ---       ----      ----     2015      <***>   производственно-
        производственно-       1860                                             500       150        605      605                        технологического
        технологического       <*>                                                                                                       комплекса, который
        комплекса по                                                                                                                     обеспечит
        созданию                                                                                                                         промышленный выпуск
        оптоэлектронной                                                                                                                  изделий компонентной
        компонентной базы                                                                                                                базы 2-го и 3-го
        на федеральном                                                                                                                   поколений и оптико-
        государственном                                                                                                                  электронных систем
        унитарном                                                                                                                        на их основе с
        предприятии "НПО                                                                                                                 параметрами,
        "Орион", г. Москва                                                                                                               превышающими
                                                                                                                                         современный и
                                                                                                                                         прогнозируемый
                                                                                                                                         мировой уровень <**>

 248.   Техническое            600                                              160       140        150      150     2012 -     2500    создание
        перевооружение         ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   инфракрасных
        производственно-       300                                              80         70        75        75                        матричных
        технологической        <*>                                                                                                       фотоприемных
        базы в открытом                                                                                                                  устройств нового
        акционерном                                                                                                                      поколения и
        обществе                                                                                                                         организация на их
        "Московский завод                                                                                                                основе производства
        "Сапфир", г. Москва                                                                                                              тепловизионной
                                                                                                                                         аппаратуры широкого
                                                                                                                                         применения <**>

 249.   Техническое            420                                              70         60        145      145     2012 -     1500    обеспечение
        перевооружение         ---                                              --         --       ----      ----     2015      <***>   возможности
        стендово-              210                                              35         30       72,5      72,5                       проведения испытаний
        экспериментальной      <*>                                                                                                       опытных образцов
        базы на федеральном                                                                                                              источников
        государственном                                                                                                                  электроэнергии,
        унитарном                                                                                                                        статических
        предприятии                                                                                                                      преобразователей и
        "Научно-                                                                                                                         аппаратуры защиты и
        исследовательский                                                                                                                коммутации для
        институт                                                                                                                         проекта "полностью
        авиационного                                                                                                                     электрический
        оборудования",                                                                                                                   самолет" <**>
        г. Жуковский,
        Московская
        область

 250.   Техническое            520                                              140       120        130      130     2012 -     1900    изготовление
        перевооружение         ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   конкурентоспособных
        производственной       260                                              70         60        65        65                        изделий авиационной
        базы, освоение         <*>                                                                                                       техники,
        инновационных                                                                                                                    соответствующих
        технологий для                                                                                                                   современным и
        изготовления                                                                                                                     перспективным
        радиоэлектронных                                                                                                                 международным
        изделий авиационной                                                                                                              стандартам <**>
        техники с
        использованием
        новых уровней
        технологий на
        федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Научно-
        исследовательский
        институт
        авиационного
        оборудования",
        г. Жуковский,
        Московская
        область

 251.   Реконструкция и        376                                              70         60        123      123     2012 -     1175    создание
        техническое            ---                                              --         --       ----      ----     2015      <***>   производственных
        перевооружение         188                                              35         30       61,5      61,5                       мощностей по
        экспериментально-      <*>                                                                                                       производству
        технологической                                                                                                                  современной
        базы для                                                                                                                         микроэлектронной
        производства                                                                                                                     аппаратуры <**>
        микроэлектронных
        изделий в открытом
        акционерном
        обществе "Казанское
        приборостроительное
        конструкторское
        бюро", г. Казань,
        Республика
        Татарстан

 252.   Реконструкция          230                                              60         50        60        60     2012 -      695    производство
        и техническое          ---                                              --         --        --        --      2015       <***>  конкурентоспособной
        перевооружение цеха    115                                              30         25        30        30                        продукции,
        по производству        <*>                                                                                                       обладающей
        первичных                                                                                                                        современными
        преобразователей                                                                                                                 показателями по
        и вторичной                                                                                                                      надежности,
        аппаратуры в                                                                                                                     быстродействию и
        открытом                                                                                                                         массогабаритным
        акционерном                                                                                                                      характеристикам <**>
        обществе "Казанское
        приборостроительное
        конструкторское
        бюро", г. Казань,
        Республика
        Татарстан

 253.   Реконструкция          458                                              80         70        154      154     2012 -     1350    серийное
        и техническое          ---                                              --         --        ---      ---      2015      <***>   производство широкой
        перевооружение         229                                              40         35        77        77                        номенклатуры
        производства           <*>                                                                                                       статических
        электронных систем                                                                                                               преобразователей
        самолетного                                                                                                                      напряжения
        энергоснабжения в                                                                                                                авиационных
        открытом                                                                                                                         перспективных
        акционерном                                                                                                                      объектов (проект
        обществе                                                                                                                         "полностью
        "Агрегатное                                                                                                                      электрический
        конструкторское                                                                                                                  самолет",
        бюро "Якорь",                                                                                                                    истребитель 5-го
        г. Москва                                                                                                                        поколения, программа
                                                                                                                                         развития гражданской
                                                                                                                                         авиационной техники)
                                                                                                                                         <**>

 254.   Создание               1070                                             280       260        265      265     2012 -     4460    полигон позволит
        электронного           ----                                             ---       ---       -----    -----     2015      <***>   проводить работы с
        полигона по            535                                              140       130       132,5    132,5                       радиоэлектронной
        исследованиям,         <*>                                                                                                       аппаратурой в
        отработке и                                                                                                                      условиях реального
        сертификации                                                                                                                     полета с учетом
        бортового                                                                                                                        информационного
        авиационного                                                                                                                     взаимодействия с
        радиоэлектронного                                                                                                                наземными и
        оборудования на                                                                                                                  самолетными
        федеральном                                                                                                                      системами
        государственном                                                                                                                  обеспечения
        унитарном                                                                                                                        воздушного движения
        предприятии "Летно-                                                                                                              в реальных условиях
        исследовательский                                                                                                                естественных и
        институт имени                                                                                                                   промышленных помех
        М.М. Громова",                                                                                                                   <**>
        г. Жуковский,
        Московская
        область

 255.   Создание центра        400                                              100       100        100      100     2012 -     1300    создание новой
        сертификации           ---                                              ---       ---        ---      ---      2015      <***>   позиции для
        аппаратных средств     200                                              50         50        50        50                        проведения
        бортовой               <*>                                                                                                       сертификации
        вычислительной                                                                                                                   аппаратных модулей
        техники на                                                                                                                       бортовой
        федеральном                                                                                                                      вычислительной
        государственном                                                                                                                  техники, включающей:
        унитарном                                                                                                                        аппаратное и
        предприятии                                                                                                                      программное
        "Государственный                                                                                                                 оснащение центра
        научно-                                                                                                                          сертификации;
        исследовательский                                                                                                                создание и освоение
        институт                                                                                                                         базовых инженерных
        авиационных                                                                                                                      методик проведения
        систем", г. Москва                                                                                                               сертификации;
                                                                                                                                         акты ввода в
                                                                                                                                         эксплуатацию центра
                                                                                                                                         сертификации <**>

 256.   Создание               500                                              120       150        115      115     2012 -     1785    создание
        распределенной         ---                                              ---       ---       ----      ----     2015      <***>   распределенной
        отраслевой             250                                              60         75       57,5      57,5                       информационно-
        стендово-              <*>                                                                                                       связанной сети
        имитационной среды                                                                                                               стендов, на которой
        исследований,                                                                                                                    будут проводиться
        отработки                                                                                                                        исследования
        прикладного                                                                                                                      архитектур и
        математического                                                                                                                  информационных
        обеспечения,                                                                                                                     потоков,
        отладки и испытаний                                                                                                              соответствующих
        систем и комплексов                                                                                                              различным условиям
        авиационного                                                                                                                     полета, интерфейсов,
        бортового                                                                                                                        отработка системного
        радиоэлектронного                                                                                                                и функционального
        оборудования на                                                                                                                  математического
        федеральном                                                                                                                      обеспечения, отладка
        государственном                                                                                                                  прикладного
        унитарном                                                                                                                        математического
        предприятии                                                                                                                      обеспечения и
        "Государственный                                                                                                                 радиоэлектронной
        научно-                                                                                                                          бортовой аппаратуры,
        исследовательский                                                                                                                наземные
        институт                                                                                                                         сертификационные
        авиационных                                                                                                                      испытания
        систем", г. Москва                                                                                                               радиоэлектронных
                                                                                                                                         систем и комплексов
                                                                                                                                         <**>

 257.   Техническое            1040                                             260       240        270      270     2012 -     3850    освоение:
        перевооружение         ----                                             ---       ---        ---      ---      2015      <***>   базовой конструкции
        производства в         520                                              130       120        135      135                        фоточувствительных
        открытом               <*>                                                                                                       приборов с
        акционерном                                                                                                                      матричными
        обществе "Научно-                                                                                                                приемниками высокого
        производственный                                                                                                                 разрешения для
        комплекс                                                                                                                         видимого и ближнего
        "Технокомплекс",                                                                                                                 инфракрасного
        г. Раменское,                                                                                                                    диапазона на основе
        Московская                                                                                                                       применения
        область                                                                                                                          отечественной
                                                                                                                                         электронной
                                                                                                                                         компонентной базы;
                                                                                                                                         технологии создания
                                                                                                                                         фоточувствительных
                                                                                                                                         приборов с
                                                                                                                                         матричными
                                                                                                                                         приемниками высокого
                                                                                                                                         разрешения для
                                                                                                                                         видимого и ближнего
                                                                                                                                         инфракрасного
                                                                                                                                         диапазона на основе
                                                                                                                                         применения
                                                                                                                                         отечественной
                                                                                                                                         электронной
                                                                                                                                         компонентной базы
                                                                                                                                         <**>

 258.   Техническое            296                                              80         80        68        68     2012 -     1020    ввод в эксплуатацию
        перевооружение         ---                                              --         --        --        --      2015      <***>   производственных
        участков монтажа       148                                              40         40        34        34                        линий с высокой
        электронных систем     <*>                                                                                                       степенью
        и электронно-                                                                                                                    автоматизации
        оптических модулей                                                                                                               производства
        на федеральном                                                                                                                   современной
        государственном                                                                                                                  авиационной
        унитарном                                                                                                                        радиоэлектронной и
        предприятии "Санкт-                                                                                                              оптико-электронной
        Петербургское                                                                                                                    аппаратуры для
        опытно-                                                                                                                          коммерческой и
        конструкторское                                                                                                                  военной авиации
        бюро                                                                                                                             <**>
        "Электроавтоматика"
        имени
        П.А. Ефимова",
        г. Санкт-Петербург


                             2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

 259.   Техническое            100                                    100                                              2011      135,1   создание
        перевооружение        ------                                  ---                                                                межотраслевого
        федерального          50 <*>                                  50                                                                 базового центра
        государственного                                                                                                                 системного
        унитарного                                                                                                                       проектирования <**>
        предприятия
        "Научно-
        производственное
        предприятие
        "Пульсар",
        г. Москва, для
        создания
        межотраслевого
        базового центра
        системного
        проектирования

 260.   Реконструкция и      119,873    119,873                                                                        2008       1911   создание базового
        техническое          -------    -------                                                                                          центра системного
        перевооружение          60        60                                                                                             проектирования
        открытого                                                                                                                        производительностью
        акционерного                                                                                                                     40 аппаратно-
        общества                                                                                                                         программных
        "Информационные                                                                                                                  комплексов в год <**>
        телекоммуникацион-
        ные технологии",
        г. Санкт-Петербург,
        для создания
        базового центра
        полного цикла
        проектирования и
        производства
        аппаратно-
        программных
        комплексов

 261.   Техническое            120                                    120                                              2011       1324   обеспечение
        перевооружение для   -------                                  ---                                                                проектирования,
        создания базового     60 <*>                                  60                                                                 производства,
        центра системного                                                                                                                испытаний, контроля,
        проектирования                                                                                                                   тестирования и
        микроэлектронных                                                                                                                 сертификации
        модулей нового                                                                                                                   перспективных
        поколения на основе                                                                                                              изделий, включая
        технологии "систем                                                                                                               климатические,
        в модуле" двойного                                                                                                               механические,
        и специального                                                                                                                   надежностные и
        применения на                                                                                                                    другие
        открытом                                                                                                                         специализированные
        акционерном                                                                                                                      испытания, а также
        обществе "Научно-                                                                                                                сертификации
        исследовательский                                                                                                                выпускаемых изделий
        институт "Вектор",                                                                                                               по требованиям
        г. Санкт-Петербург                                                                                                               различных категорий
                                                                                                                                         заказчиков и
                                                                                                                                         производств <**>

 262.   Техническое             50                                    50                                               2011      422,8   создание базового
        перевооружение        ------                                  --                                                                 центра системного
        открытого             25 <*>                                  25                                                                 проектирования <**>
        акционерного
        общества
        "Всероссийский
        научно-
        исследовательский
        институт
        радиотехники",
        г. Москва, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 263.   Техническое            540                           80       460                                             2010 -     151,3   создание базового
        перевооружение       -------                         --       ---                                              2011              центра системного
        открытого            270 <*>                         40       230                                                                проектирования <**>
        акционерного
        общества "НИИ
        молекулярной
        электроники и завод
        "Микрон",
        г. Москва, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 264.   Реконструкция и       35,37               35,37                                                                2009       493    создание базового
        техническое           ------              -----                                                                                  центра системного
        перевооружение        30 <*>                30                                                                                   проектирования <**>
        федерального
        государственного
        унитарного
        предприятия
        "Научно-
        исследовательский
        институт
        автоматики",
        г. Москва, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 265.   Техническое            140                                    140                                              2011      599,85  создание базового
        перевооружение        -----                                   ---                                                                центра системного
        федерального          70 <*>                                  70                                                                 проектирования <**>
        государственного
        унитарного
        предприятия
        "Научно-
        производственное
        предприятие
        "Восток",
        г. Новосибирск, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 266.   Техническое           182,3                         62,3      120                                             2010 -      700    создание базового
        перевооружение       -------                        ----      ---                                              2011              центра системного
        открытого            100 <*>                         40       60                                                                 проектирования <**>
        акционерного
        общества "Концерн
        "Созвездие",
        г. Воронеж, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 267.   Техническое            130                          130                                                        2010       998    создание базового
        перевооружение       -------                        ---                                                                          центра системного
        открытого            100 <*>                        100                                                                          проектирования
        акционерного                                                                                                                     площадью 998 кв. м
        общества "Концерн                                                                                                                <**>
        радиостроения
        "Вега", г. Москва,
        для создания
        базового центра
        проектирования

 268.   Реконструкция и       120,6                        120,6                                                       2010       500    создание базового
        техническое           ------                       -----                                                                         центра системного
        перевооружение        60 <*>                         60                                                                          проектирования
        федерального                                                                                                                     площадью 500 кв. м
        государственного                                                                                                                 <**>
        унитарного
        предприятия
        "Ростовский-на-Дону
        научно-
        исследовательский
        институт
        радиосвязи",
        г. Ростов-на-Дону,
        для создания
        базового центра
        проектирования

 269.   Реконструкция и         17        17                                                                           2008       500    создание базового
        техническое           ------      --                                                                                             центра системного
        перевооружение        17 <*>      17                                                                                             проектирования
        федерального                                                                                                                     площадью 500 кв. м
        государственного                                                                                                                 <**>
        унитарного
        предприятия "Омский
        научно-
        исследовательский
        институт
        приборостроения",
        г. Омск
        (развитие базового
        центра системного
        проектирования
        СБИС)

 270.   Техническое            120                                    120                                              2011       490    создание базового
        перевооружение        ------                                  ---                                                                центра системного
        открытого             60 <*>                                  60                                                                 проектирования
        акционерного                                                                                                                     площадью 490 кв. м
        общества                                                                                                                         <**>
        "Российский
        институт
        радионавигации и
        времени", г. Санкт-
        Петербург, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 271.   Реконструкция и        232                                              120       112                         2012 -      800    создание базового
        техническое          -------                                            ---       ---                          2013              центра системного
        перевооружение       116 <*>                                            60         56                                            проектирования
        открытого                                                                                                                        площадью 800 кв. м
        акционерного                                                                                                                     <**>
        общества
        "Светлана",
        г. Санкт-Петербург,
        для создания
        базового центра
        проектирования

 272.   Реконструкция и          80                           80                                                       2010       800    создание базового
        техническое           ---------                    ---------                                                                     центра системного
        перевооружение        80 <****>                    80 <****>                                                                     проектирования
        открытого                                                                                                                        площадью 800 кв. м
        акционерного                                                                                                                     <**>
        общества
        "Центральный
        научно-
        исследовательский
        институт "Циклон",
        г. Москва, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 272.1. Техническое            200                                    200                                              2011       648    создание базового
        перевооружение         ---                                    ---                                                                центра системного
        федерального           100                                    100                                                                проектирования
        государственного                                                                                                                 площадью 648 кв. м
        унитарного                                                                                                                       <**> мощностью 360
        предприятия                                                                                                                      тыс. шт.
        "Государственный
        завод "Пульсар",
        г. Москва, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 273.   Реконструкция и        68,9      68,9                                                                          2008       532    создание базового
        техническое           ------     ----                                                                                            центра системного
        перевооружение        60 <*>      60                                                                                             проектирования <**>
        федерального
        государственного
        унитарного
        предприятия
        "Научно-
        исследовательский
        институт "Аргон",
        г. Москва, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 274.   Реконструкция и         30                                                                   15        15     2014 -      500    создание базового
        техническое           ------                                                                 ---      ---      2015              центра системного
        перевооружение        15 <*>                                                                 7,5      7,5                        проектирования
        федерального                                                                                                                     площадью 500 кв. м
        государственного                                                                                                                 <**>
        унитарного
        предприятия "НПО
        "Орион", г. Москва,
        для создания
        базового центра
        проектирования

 275.   Реконструкция и       83,62               83,62                                                                2009       500    создание базового
        техническое           ------              -----                                                                                  центра системного
        перевооружение        60 <*>                60                                                                                   проектирования
        федерального                                                                                                                     площадью 500 кв. м
        государственного                                                                                                                 <**>
        унитарного
        предприятия
        "Новосибирский
        завод
        полупроводниковых
        приборов с ОКБ",
        г. Новосибирск, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 276.   Реконструкция и       101,54    101,54                                                                         2008       600    создание базового
        техническое           ------     -----                                                                                           центра системного
        перевооружение        80 <*>      80                                                                                             проектирования
        федерального                                                                                                                     площадью 600 кв. м
        государственного                                                                                                                 <**>
        унитарного
        предприятия
        "Научно-
        исследовательский
        институт
        телевидения",
        г. Санкт-Петербург,
        для создания
        базового центра
        проектирования

 277.   Техническое            140                                    140                                              2011       600    создание базового
        перевооружение        ------                                  ---                                                                центра системного
        открытого             70 <*>                                  70                                                                 проектирования
        акционерного                                                                                                                     площадью 600 кв. м
        общества "Концерн                                                                                                                <**>
        "Океанприбор",
        г. Санкт-Петербург,
        для создания
        базового центра
        проектирования

 278.   Реконструкция и        75,4      75,4                                                                          2008      1097,8  создание базового
        техническое          --------    ----                                                                                            центра системного
        перевооружение       72,7 <*>    72,7                                                                                            проектирования <**>
        федерального
        государственного
        унитарного
        предприятия
        "Нижегородский
        научно-
        исследовательский
        приборостроительный
        институт "Кварц",
        г. Нижний Новгород,
        для создания
        базового центра
        проектирования

 279.   Техническое            104        104                                                                          2008       650    создание базового
        перевооружение и      ------      ---                                                                                            центра системного
        реконструкция         80 <*>      80                                                                                             проектирования
        открытого                                                                                                                        площадью 650 кв. м
        акционерного                                                                                                                     <**>
        общества
        "Корпорация
        "Тактическое
        ракетное
        вооружение",
        г. Королев,
        Московская область,
        для создания
        базового центра
        системного
        проектирования

 280.   Техническое            240                                    240                                              2011      1134,5  создание базового
        перевооружение       -------                                  ---                                                                центра системного
        федерального         120 <*>                                  120                                                                проектирования
        государственного                                                                                                                 площадью 1134,5 кв.
        унитарного                                                                                                                       м <**> мощностью 2000
        предприятия                                                                                                                      шт.
        "Научно-
        исследовательский
        институт "Экран",
        г. Самара, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 281.   Создание базового      500                                              130       160        105      105     2012 -     2000    создание базового
        центра               -------                                            ---       ---       ----      ----     2015      <***>   центра по
        проектирования на    250 <*>                                            65         80       52,5      52,5                       проектированию,
        базе федерального                                                                                                                моделированию,
        государственного                                                                                                                 изготовлению,
        унитарного                                                                                                                       тестированию и
        предприятия                                                                                                                      сертификации
        "Научно-                                                                                                                         перспективных
        производственная                                                                                                                 оптических систем и
        корпорация                                                                                                                       оптико-электронного
        "Государственный                                                                                                                 оборудования <**>
        оптический институт
        имени
        С.И. Вавилова",
        г. Санкт-Петербург

 282.   Реконструкция и        2200                                             590       520        545      545     2012 -     8800    повышение качества и
        техническое          --------                                           ---       ---       -----    -----     2015      <***>   надежности систем
        перевооружение       1100 <*>                                           295       260       272,5    272,5                       цифровой обработки,
        открытого                                                                                                                        систем твердотельных
        акционерного                                                                                                                     передающих и
        общества "Концерн                                                                                                                приемных систем,
        ПВО "Алмаз-Антей",                                                                                                               приемо-передающих
        г. Москва, для                                                                                                                   модулей активных
        создания базового                                                                                                                фазированных
        центра                                                                                                                           системных решеток C-
        проектирования                                                                                                                   диапазона для
        систем цифровой                                                                                                                  перспективных
        обработки,                                                                                                                       средств связи,
        твердотельных                                                                                                                    управления воздушным
        передающих и                                                                                                                     движением и
        приемных систем,                                                                                                                 формирования
        приемо-передающих                                                                                                                сигналов на
        модулей                                                                                                                          кристалле для
                                                                                                                                         радиолокационных
                                                                                                                                         станций различного
                                                                                                                                         применения <**>

 283.   Реконструкция и        500                                            192,38      120       93,81    93,81    2012 -     1925    создание базового
        техническое          -------                                          ------      ---      ------    ------    2015      <***>   центра
        перевооружение для   250 <*>                                           96,19       60      46,905    46,905                      проектирования
        создания базового                                                                                                                сложных
        центра                                                                                                                           функциональных
        проектирования в                                                                                                                 блоков и
        открытом                                                                                                                         сверхбольших
        акционерном                                                                                                                      интегральных схем
        обществе "Концерн                                                                                                                типа "система на
        "Созвездие",                                                                                                                     кристалле" для
        г. Воронеж                                                                                                                       нового поколения
                                                                                                                                         аппаратуры и
                                                                                                                                         мобильных
                                                                                                                                         телекоммуникационных
                                                                                                                                         систем;
                                                                                                                                         создание
                                                                                                                                         конкурентоспособных
                                                                                                                                         изделий для нового
                                                                                                                                         поколения мобильных
                                                                                                                                         телекоммуникационных
                                                                                                                                         систем гражданского
                                                                                                                                         и двойного
                                                                                                                                         назначения <**>

 284.   Техническое            440                                    440                                              2011       1852   обеспечение
        перевооружение для   -------                                  ---                                                                производства
        создания базового    220 <*>                                  220                                                                комплексных средств
        центра системного                                                                                                                автоматизации для
        проектирования                                                                                                                   управления
        (дизайн-центра)                                                                                                                  автомобильным и
        радиоэлектронных                                                                                                                 железнодорожным
        модулей и узлов                                                                                                                  транспортом,
        стационарных и                                                                                                                   объектами топливно-
        мобильных средств                                                                                                                энергетического
        автоматизации в                                                                                                                  комплекса <**>
        открытом
        акционерном
        обществе "Научно-
        производственное
        предприятие
        "Рубин", г. Пенза

 285.   Создание базового      200                           90       110                                             2010 -      790    обеспечение
        центра системного    -------                         --       ---                                              2011              возможности
        проектирования       100 <*>                         45       55                                                                 изготовления
        унифицированных                                                                                                                  разработанных
        электронных модулей                                                                                                              электронных модулей
        на основе                                                                                                                        по современным
        современной                                                                                                                      технологиям;
        электронной                                                                                                                      повышение надежности
        компонентной базы в                                                                                                              и качества и
        открытом                                                                                                                         ускорение разработки
        акционерном                                                                                                                      конкурентоспособных
        обществе                                                                                                                         изделий мирового
        "Челябинский                                                                                                                     уровня;
        радиозавод "Полет",                                                                                                              разработка
        г. Челябинск                                                                                                                     технологий двойного
                                                                                                                                         назначения <**>

 286.   Создание базового     119,7                        119,7                                                       2010       750    обеспечение
        центра системного    -------                       -----                                                                         возможности
        проектирования       100 <*>                        100                                                                          изготовления
        унифицированных                                                                                                                  разработанных
        электронных модулей                                                                                                              электронных модулей
        на основе                                                                                                                        по современным
        современной                                                                                                                      технологиям;
        электронной                                                                                                                      разработка
        компонентной базы в                                                                                                              технологий двойного
        открытом                                                                                                                         назначения <**>
        акционерном                                                                                                                      мощностью 5 модулей
        обществе "Рыбинский                                                                                                              в год
        завод
        приборостроения",
        г. Рыбинск,
        Ярославская область

 287.   Техническое            180                                    180                                              2011       640    обеспечение
        перевооружение для    ------                                  ---                                                                проектирования,
        создания базового     90 <*>                                  90                                                                 производства,
        центра системного                                                                                                                испытаний, контроля,
        проектирования                                                                                                                   тестирования и
        микроэлектронных                                                                                                                 сертификации
        модулей нового                                                                                                                   перспективных
        поколения на основе                                                                                                              изделий, включая
        технологии "систем                                                                                                               климатические,
        в модуле" двойного                                                                                                               механические,
        и специального                                                                                                                   надежностные и
        применения на                                                                                                                    другие
        открытом                                                                                                                         специализированные
        акционерном                                                                                                                      испытания, а также
        обществе "Калужский                                                                                                              сертификации
        научно-                                                                                                                          выпускаемых изделий
        исследовательский                                                                                                                по требованиям
        институт                                                                                                                         различных категорий
        телемеханических                                                                                                                 заказчиков и
        устройств",                                                                                                                      производств <**>
        г. Калуга

 288.   Создание базового        30                           30                                                       2010       260    обеспечение
        центра системного     ---------                    ---------                                                                     проектирования,
        проектирования        30 <****>                    30 <****>                                                                     производства,
        микроэлектронных                                                                                                                 испытаний, контроля,
        модулей нового                                                                                                                   тестирования и
        поколения на основе                                                                                                              сертификации
        технологии "систем                                                                                                               перспективных
        в модуле" двойного                                                                                                               изделий, включая
        и специального                                                                                                                   климатические,
        применения в                                                                                                                     механические,
        открытом                                                                                                                         надежностные и
        акционерном                                                                                                                      другие
        обществе                                                                                                                         специализированные
        "Московский научно-                                                                                                              испытания, а также
        исследовательский                                                                                                                сертификации
        институт связи",                                                                                                                 выпускаемых изделий
        г. Москва                                                                                                                        по требованиям
                                                                                                                                         различных категорий
                                                                                                                                         заказчиков и
                                                                                                                                         производств <**>

 289.   Расширение базового    320                                             141,4      100       39,3      39,3    2012 -     1330    расширение
        центра системного    -------                                           -----      ---       -----    -----     2015      <***>   возможностей и
        проектирования по    160 <*>                                           70,7        50       19,65    19,65                       объемов базового
        проектированию                                                                                                                   центра системного
        радиоэлектронной                                                                                                                 проектирования,
        аппаратуры на базе                                                                                                               перевод ключевых
        сверхбольших                                                                                                                     проектов,
        интегральных схем                                                                                                                выполняемых
        "система на                                                                                                                      концерном, на
        кристалле" в                                                                                                                     использование
        открытом                                                                                                                         технологии
        акционерном                                                                                                                      современного
        обществе "Концерн                                                                                                                системного
        радиостроения                                                                                                                    проектирования.
        "Вега", г. Москва                                                                                                                Ускорение процесса
                                                                                                                                         получения готовых
                                                                                                                                         проектов не менее
                                                                                                                                         чем в 2 раза <**>

 290.   Техническое            210                                    210                                              2011      773,5   обеспечение
        перевооружение для   -------                                  ---                                                                проектирования,
        создания базового    105 <*>                                  105                                                                производства
        центра системного                                                                                                                высокоплотных
        проектирования                                                                                                                   электронных узлов на
        высокоплотных                                                                                                                    основе технологии
        электронных узлов                                                                                                                многокристальных
        на основе                                                                                                                        модулей как ключевой
        технологии                                                                                                                       технологии
        многокристальных                                                                                                                 достижения высоких
        модулей в открытом                                                                                                               технических
        акционерном                                                                                                                      характеристик
        обществе "Научно-                                                                                                                разрабатываемых и
        исследовательский                                                                                                                производимых
        институт "Кулон",                                                                                                                изделий. Планируемый
        г. Москва                                                                                                                        объем выпуска
                                                                                                                                         многокристальных
                                                                                                                                         модулей до 3,5 тыс.
                                                                                                                                         шт. в год <**>

 291.   Создание базового     165,6                         45,6      120                                             2010 -      350    обеспечение
        центра системного    -------                        ----      ---                                              2011              проектирования,
        проектирования       105 <*>                         45       60                                                                 производства
        высокоплотных                                                                                                                    высокоплотных
        электронных узлов                                                                                                                электронных узлов на
        на основе                                                                                                                        основе технологии
        технологии                                                                                                                       многокристальных
        многокристальных                                                                                                                 модулей как ключевой
        модулей в открытом                                                                                                               технологии
        акционерном                                                                                                                      достижения высоких
        обществе                                                                                                                         технических
        "Конструкторское                                                                                                                 характеристик
        бюро "Луч",                                                                                                                      разрабатываемых и
        г. Рыбинск,                                                                                                                      производимых
        Ярославская область                                                                                                              изделий. Планируемый
                                                                                                                                         объем выпуска
                                                                                                                                         многокристальных
                                                                                                                                         модулей до 3,5 тыс.
                                                                                                                                         шт. <**>

 292.   Реконструкция и        500                                                                   250      250     2014 -     1600    создание базового
        техническое          -------                                                                 ---      ---      2015      <***>   центра
        перевооружение       250 <*>                                                                 125      125                        проектирования и
        федерального                                                                                                                     разработки
        государственного                                                                                                                 высокопроизводитель-
        унитарного                                                                                                                       ных сверхбольших
        предприятия                                                                                                                      интегральных схем и
        "Московский ордена                                                                                                               микропроцессорной
        Трудового Красного                                                                                                               техники, оснащенного
        Знамени научно-                                                                                                                  современными
        исследовательский                                                                                                                средствами
        радиотехнический                                                                                                                 проектирования,
        институт",                                                                                                                       разработки и отладки
        г. Москва, для                                                                                                                   сверхбольших
        создания базового                                                                                                                интегральных схем
        центра                                                                                                                           типа "система на
        проектирования                                                                                                                   кристалле", а также
        универсальных                                                                                                                    матричных корпусов
        цифровых устройств,                                                                                                              для сверхбольших
        комплексов и систем                                                                                                              интегральных схем с
        на базе современных                                                                                                              большим количеством
        лицензионных систем                                                                                                              выводов,
        автоматизированного                                                                                                              контроллеров
        проектирования и                                                                                                                 перспективных
        технических средств                                                                                                              периферийных
                                                                                                                                         интерфейсов для
                                                                                                                                         разработки на их
                                                                                                                                         базе перспективных
                                                                                                                                         сложнофункциональных
                                                                                                                                         блоков и
                                                                                                                                         радиоэлектронной
                                                                                                                                         аппаратуры для
                                                                                                                                         систем и средств
                                                                                                                                         связи двойного и
                                                                                                                                         гражданского
                                                                                                                                         применения <**>

 293.   Техническое            170                           80       90                                              2010 -      1530   создание базового
        перевооружение для   -------                       ------     --                                               2011              центра разработки
        создания базового    125 <*>                         80       45                                                                 высокопроизводитель-
        центра                                             <****>                                                                        ной микропроцессорной
        проектирования                                                                                                                   техники двойного
        универсальных                                                                                                                    назначения,
        микропроцессоров,                                                                                                                оснащенного
        систем на                                                                                                                        современной
        кристалле, цифровых                                                                                                              технологией
        приборов обработки                                                                                                               разработки
        сигналов и других                                                                                                                многоядерных систем
        цифровых устройств,                                                                                                              на кристалле,
        комплексов и систем                                                                                                              матричных корпусов
        на базе современных                                                                                                              для сверхбольших
        лицензионных систем                                                                                                              интегральных схем с
        автоматизированного                                                                                                              большим количеством
        проектирования и                                                                                                                 выводов,
        технических средств                                                                                                              контроллеров
        открытого                                                                                                                        перспективных
        акционерного                                                                                                                     периферийных
        общества "Институт                                                                                                               интерфейсов для
        электронных                                                                                                                      разработки на их
        управляющих машин                                                                                                                базе
        им. И.С. Брука",                                                                                                                 высокопроизводитель-
        г. Москва                                                                                                                        ных вычислительных
                                                                                                                                         систем широкого
                                                                                                                                         применения <**>

 294.   Техническое            840                                              220       300        160      160     2012 -     2545    ускорение
        перевооружение и     -------                                            ---       ---        ---      ---      2015      <***>   проектирования и
        реконструкция        420 <*>                                            110       150        80        80                        отработки технологии
        базового                                                                                                                         производства
        регионального                                                                                                                    перспективных
        научно-                                                                                                                          устройств
        технологического                                                                                                                 микросистемотехники
        центра по                                                                                                                        для комплектования
        микросистемотехнике                                                                                                              аппаратуры
        федерального                                                                                                                     управления, средств
        государственного                                                                                                                 телекоммуникации и
        унитарного                                                                                                                       связи, высокоточного
        предприятия "Омский                                                                                                              оружия,
        научно-                                                                                                                          робототехнических
        исследовательский                                                                                                                комплексов,
        институт                                                                                                                         мониторинга
        приборостроения",                                                                                                                окружающей среды,
        г. Омск                                                                                                                          зданий и сооружений,
                                                                                                                                         систем
                                                                                                                                         трубопроводов, водо-
                                                                                                                                         и газоснабжения,
                                                                                                                                         цифровых и
                                                                                                                                         аналоговых устройств
                                                                                                                                         средств контроля,
                                                                                                                                         учета и
                                                                                                                                         дистанционного
                                                                                                                                         управления подачей
                                                                                                                                         энергоресурсов
                                                                                                                                         Ожидаемый
                                                                                                                                         экономический эффект
                                                                                                                                         составит 1500 млн.
                                                                                                                                         рублей <**>

 295.   Реконструкция и        490                                              120       160        105      105     2012 -     1635    создание
        техническое          -------                                            ---       ---       ----      ----     2015      <***>   конкурентоспособных
        перевооружение       245 <*>                                            60         80       52,5      52,5                       изделий мирового
        центра системного                                                                                                                уровня двойного
        проектирования и                                                                                                                 назначения для
        производства                                                                                                                     комплексов
        радиоэлектронных                                                                                                                 аппаратуры
        средств спутниковой                                                                                                              спутниковой связи
        связи федерального                                                                                                               <**>
        государственного
        унитарного
        предприятия
        "Научно-
        производственный
        центр "Вигстар",
        г. Москва

 296.   Реконструкция и        1080                                             280       260        270      270     2012 -     2000    создание дизайн-
        техническое          -------                                            ---       ---        ---      ---      2015      <***>   центра площадью 2000
        перевооружение       540 <*>                                            140       130        135      135                        кв. м и увеличение
        федерального                                                                                                                     выпуска продукции на
        государственного                                                                                                                 500 млн. рублей в
        унитарного                                                                                                                       год <**>
        предприятия
        "Научно-
        производственное
        предприятие
        "Алмаз",
        г. Саратов, с целью
        создания дизайн-
        центра и
        производства
        сверхвысокочастот-
        ных и силовых
        устройств

 297.   Техническое            89,1      89,1                                                                          2008       189    создание
        перевооружение для    ------      ---                                                                                            конкурентоспособной
        создания центра       45 <*>      45                                                                                             технологии
        проектирования                                                                                                                   автоматизированного
        перспективной                                                                                                                    проектирования
        электронной                                                                                                                      кристаллов
        компонентной базы                                                                                                                сверхбольших
        на федеральном                                                                                                                   интегральных схем и
        государственном                                                                                                                  систем на кристалле
        унитарном                                                                                                                        с проектными нормами
        предприятии                                                                                                                      0,18 - 0,13 мкм и
        "Научно-                                                                                                                         степенью интеграции
        исследовательский                                                                                                                до 100 млн. вентилей
        институт                                                                                                                         на кристалле, что
        электронной                                                                                                                      позволит обеспечить
        техники",                                                                                                                        ускоренную
        г. Воронеж                                                                                                                       разработку
                                                                                                                                         сложнофункциональных
                                                                                                                                         блоков, сверхбольших
                                                                                                                                         интегральных схем и
                                                                                                                                         систем на кристалле,
                                                                                                                                         соответствующих по
                                                                                                                                         техническим
                                                                                                                                         характеристикам
                                                                                                                                         современным мировым
                                                                                                                                         образцам <**>

 298.   Создание               340                                              90        174        38        38     2012 -     1360    организация
        отраслевого центра   -------                                            --        ---        --        --      2015      <***>   современного центра
        системного уровня    170 <*>                                            45         87        19        19                        системного уровня
        проектирования                                                                                                                   проектирования на
        интеллектуальных                                                                                                                 основе отечественной
        датчиков различного                                                                                                              электронной
        назначения на                                                                                                                    компонентной базы:
        федеральном                                                                                                                      микромеханических
        государственном                                                                                                                  датчиков;
        унитарном                                                                                                                        датчиков
        предприятии                                                                                                                      акустического
        "Центральный                                                                                                                     давления;
        научно-                                                                                                                          датчиков угловых
        исследовательский                                                                                                                перемещений и других
        институт                                                                                                                         <**>
        "Электроприбор",
        г. Санкт-Петербург

 299.   Создание               360                                              90                   135      135     2012 -     1385    создание отраслевого
        отраслевого центра   -------                                            --                  ----      ----     2015      <***>   центра
        проектирования       180 <*>                                            45                  67,5      67,5                       проектирования
        сложных                                                                                                                          (дизайн-центра)
        функциональных                                                                                                                   сложных
        блоков и                                                                                                                         функциональных
        сверхбольших                                                                                                                     блоков и
        интегральных схем                                                                                                                сверхбольших
        типа "система на                                                                                                                 интегральных схем
        кристалле" в                                                                                                                     типа "система на
        открытом                                                                                                                         кристалле" для
        акционерном                                                                                                                      обеспечения новейшей
        обществе "Концерн                                                                                                                цифровой техникой
        "Моринформсистема-                                                                                                               приборостроительных
        Агат", г. Москва                                                                                                                 организаций
                                                                                                                                         судостроительной
                                                                                                                                         отрасли <**>

                              3. Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств)
                                 для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

 300.   Реконструкция и       724,95      156     404,55   164,4                                                      2008 -     375,5   создание
        техническое           ------      ---     ------    ----                                                       2010              межотраслевого
        перевооружение        590,75      78      352,75    160                                                                          центра
        открытого              <*>                                                                                                       проектирования,
        акционерного                                                                                                                     каталогизации и
        общества                                                                                                                         изготовления
        "Российская                                                                                                                      фотошаблонов с
        электроника",                                                                                                                    объемом производства
        г. Москва (включая                                                                                                               не менее 1200 шт. в
        приобретение                                                                                                                     год <**>
        программно-
        технических
        средств), с целью
        создания
        межотраслевого
        центра
        проектирования,
        каталогизации и
        изготовления
        фотошаблонов

        Итого по             70057,49   1618,71  1643,48   2125,3   5813,24  18026,52    15250    12790,12  12790,12
        Минпромторгу России  --------   -------  -------   ------   -------   -------    -----    --------  -------
                             36710,41   1267,7   1412,71    1695    2906,62   9013,26     7625     6395,06  6395,06

                                       ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ "РОСАТОМ" (ГОСКОРПОРАЦИЯ "РОСАТОМ")

                                    1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

 301.   Техническое            196                           40       48        48         60                         2010 -      267    создание
        перевооружение        ------                         --       --        --         --                          2013              технологического
        федерального          98 <*>                         20       24        24         30                                            комплекса для
        государственного                                                                                                                 производства
        унитарного                                                                                                                       сверхвысокочастотных
        предприятия                                                                                                                      монолитных
        "Федеральный                                                                                                                     интегральных схем на
        научно-                                                                                                                          широкозонных
        производственный                                                                                                                 полупроводниковых
        центр Научно-                                                                                                                    материалах <**>
        исследовательский
        институт
        измерительных
        систем имени
        Ю.Е. Седакова",
        г. Нижний Новгород

 302.   Техническое            440                                              60         80        150      150     2012 -     1900    создание
        перевооружение и     -------                                            --         --        ---      ---      2015      <***>   производственно-
        реконструкция с      220 <*>                                            30         40        75        75                        технологического
        целью производства                                                                                                               участка в
        структур "кремний                                                                                                                межведомственном
        на изоляторе" для                                                                                                                центре по разработке
        субмикронных                                                                                                                     и производству
        радиационно стойких                                                                                                              радиационно стойкой
        сверхбольших                                                                                                                     электронной
        интегральных схем                                                                                                                компонентной базы
        на федеральном                                                                                                                   <**>
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Федеральный
        научно-
        производственный
        центр Научно-
        исследовательский
        институт
        измерительных
        систем имени
        Ю.Е. Седакова",
        г. Нижний Новгород

 303.   Техническое            420                                              80        100        120      120     2012 -     1700    создание
        перевооружение и     -------                                            --        ---        ---      ---      2015      <***>   производственно-
        реконструкция с      210 <*>                                            40         50        60        60                        технологического
        целью производства                                                                                                               участка в
        фотошаблонов                                                                                                                     межведомственном
        субмикронных                                                                                                                     центре по разработке
        радиационно стойких                                                                                                              и производству
        сверхбольших                                                                                                                     радиационно стойкой
        интегральных схем                                                                                                                электронной
        на федеральном                                                                                                                   компонентной базы
        государственном                                                                                                                  <**>
        унитарном
        предприятии
        "Федеральный
        научно-
        производственный
        центр Научно-
        исследовательский
        институт
        измерительных
        систем имени
        Ю.Е. Седакова",
        г. Нижний Новгород

 304.   Техническое            380                                              80        100        100      100     2012 -     1650    создание
        перевооружение и     -------                                            --        ---        ---      ---      2015      <***>   производственно-
        реконструкция с      190 <*>                                            40         50        50        50                        технологического
        целью производства                                                                                                               участка в
        структур "кремний                                                                                                                межведомственном
        на сапфире" с                                                                                                                    центре по разработке
        ультратонким                                                                                                                     и производству
        приборным слоем для                                                                                                              радиационно стойкой
        субмикронных                                                                                                                     электронной
        радиационно стойких                                                                                                              компонентной базы
        сверхбольших                                                                                                                     <**>
        интегральных схем
        на федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Федеральный
        научно-
        производственный
        центр Научно-
        исследовательский
        институт
        измерительных
        систем имени
        Ю.Е. Седакова",
        г. Нижний Новгород

 305.   Техническое            400                                              100       100        100      100     2012 -     1850    создание
        перевооружение и     -------                                            ---       ---        ---      ---      2015      <***>   производственно-
        реконструкция с      200 <*>                                            50         50        50        50                        технологического
        целью производства                                                                                                               участка изготовления
        радиационно стойких                                                                                                              изделий
        изделий                                                                                                                          микроэлектроники для
        микроэлектроники с                                                                                                               систем автоматики
        применением методов                                                                                                              специзделий <**>
        нанотехнологий на
        федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Всероссийский
        научно-
        исследовательский
        институт
        автоматики",
        г. Москва

 306.   Техническое            952                                              200       160        266      326     2012 -     2500    создание
        перевооружение и     -------                                            ---       ---        ---      ---      2015      <***>   производственно-
        реконструкция с      476 <*>                                            100        80        133      163                        технологического
        целью производства                                                                                                               участка в
        быстродействующих                                                                                                                межведомственном
        радиационно стойких                                                                                                              центре по разработке
        монолитных                                                                                                                       и производству
        интегральных схем                                                                                                                радиационно стойкой
        на федеральном                                                                                                                   электронной
        государственном                                                                                                                  компонентной базы
        унитарном                                                                                                                        <**>
        предприятии
        "Федеральный
        научно-
        производственный
        центр Научно-
        исследовательский
        институт
        измерительных
        систем имени
        Ю.Е. Седакова",
        г. Нижний Новгород

 307.   Техническое            500                                              100       120        140      140     2012 -     500     создание
        перевооружение и     -------                                            ---       ---        ---      ---      2015      <***>   производственно-
        реконструкция с      250 <*>                                            50         60        70        70                        технологического
        целью производства                                                                                                               участка в
        радиационно стойких                                                                                                              межведомственном
        изделий                                                                                                                          центре по разработке
        оптоэлектроники на                                                                                                               и производству
        федеральном                                                                                                                      радиационно стойкой
        государственном                                                                                                                  электронной
        унитарном                                                                                                                        компонентной базы
        предприятии                                                                                                                      <**>
        "Федеральный
        научно-
        производственный
        центр Научно-
        исследовательский
        институт
        измерительных
        систем имени
        Ю.Е. Седакова",
        г. Нижний Новгород

 308.   Техническое            780                                              200       180        200      200     2012 -     800     создание
        перевооружение и     -------                                            ---       ---        ---      ---      2015      <***>   производственно-
        реконструкция с      390 <*>                                            100        90        100      100                        технологического
        целью производства                                                                                                               участка в
        радиационно стойких                                                                                                              межведомственном
        изделий                                                                                                                          центре по разработке
        микросистемотехники                                                                                                              и производству
        на федеральном                                                                                                                   радиационно стойкой
        государственном                                                                                                                  электронной
        унитарном                                                                                                                        компонентной базы
        предприятии                                                                                                                      <**>
        "Федеральный
        научно-
        производственный
        центр Научно-
        исследовательский
        институт
        измерительных
        систем имени
        Ю.Е. Седакова",
        г. Нижний Новгород

 309.   Техническое            820                                              192       180        224      224     2012 -     2544    реконструкция
        перевооружение и     -------                                            ---       ---        ---      ---      2015      <***>   производственно-
        реконструкция с      410 <*>                                            96         90        112      112                        технологических
        целью производства                                                                                                               участков по
        радиационно стойких                                                                                                              изготовлению
        изделий                                                                                                                          радиационно стойких
        микроэлектроники на                                                                                                              изделий
        федеральном                                                                                                                      микроэлектроники <**>
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Российский
        федеральный ядерный
        центр -
        Всероссийский
        научно-
        исследовательский
        институт
        экспериментальной
        физики", г. Саров,
        Нижегородская
        область

                             2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

 310.   Реконструкция          200        80        68                52                                              2008 -      2976   реконструкция
        дизайн-центра        -------      --        --                --                                               2011              дизайн-центра <**>
        радиационно-стойкой  100 <*>      40        34                26                                                                 мощностью 1 млн.
        электронной                                                                                                                      транзисторов в год
        компонентной базы
        на федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Федеральный
        научно-
        производственный
        центр Научно-
        исследовательский
        институт
        измерительных
        систем имени
        Ю.Е. Седакова",
        г. Нижний Новгород

 311.   Реконструкция           80                                              20         40        20               2012 -     115,7   реконструкция
        дизайн-центра         ------                                            --         --        --                2014      <***>   дизайн-центра <**>
        радиационно стойкой   40 <*>                                            10         20        10
        электронной
        компонентной базы
        на федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Всероссийский
        научно-
        исследовательский
        институт
        автоматики",
        г. Москва

 312.   Реконструкция           80                                              20         40        20               2012 -     330     реконструкция
        дизайн-центра         ------                                            --         --        --                2014      <***>   дизайн-центра <**>
        радиационно стойкой   40 <*>                                            10         20        10
        электронной
        компонентной базы
        на федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Российский
        федеральный ядерный
        центр -
        Всероссийский
        научно-
        исследовательский
        институт
        экспериментальной
        физики", г. Саров,
        Нижегородская
        область

 313.   Реконструкция          100                                              40         40        20               2012 -     300     реконструкция
        дизайн-центра         ------                                            --         --        --                2014      <***>   дизайн-центра <**>
        радиационно стойкой   50 <*>                                            20         20        10
        электронной
        компонентной базы
        на федеральном
        государственном
        унитарном
        предприятии
        "Российский
        федеральный ядерный
        центр -
        Всероссийский
        научно-
        исследовательский
        институт
        технической физики
        имени академика
        Е.И. Забабахина",
        г. Снежинск,
        Челябинская область

        Итого по               5348       80        68       40       100      1140       1200      1360      1360
        Госкорпорации          ----       --        --       --       ---      ----       ----      ----      ----
        "Росатом":             2674       40        34       20       50        570       600        680      680

                                                         ФЕДЕРАЛЬНОЕ КОСМИЧЕСКОЕ АГЕНТСТВО (РОСКОСМОС)

                                    1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

 314.   Реконструкция и        320                                                        110        105      105     2013 -     1230    переоснащенное
        техническое          -------                                                      ---       ----      ----     2015      <***>   производство
        перевооружение       160 <*>                                                       55       52,5      52,5                       многокристальных
        открытого                                                                                                                        систем в корпусе,
        акционерного                                                                                                                     микро- и
        общества                                                                                                                         радиоэлектронных
        "Российская                                                                                                                      модулей, в том числе
        корпорация ракетно-                                                                                                              на основе устройств
        космического                                                                                                                     микросистемной
        приборостроения и                                                                                                                техники;
        информационных                                                                                                                   оснащенное
        систем", г. Москва,                                                                                                              отраслевое
        с целью создания                                                                                                                 автоматизированное
        производства                                                                                                                     хранилище
        многокристальных                                                                                                                 производимых и
        систем в корпусе,                                                                                                                приобретаемых
        микро- и                                                                                                                         электронных
        радиоэлектронных                                                                                                                 компонентов со
        модулей, в том                                                                                                                   встроенной системой
        числе на основе                                                                                                                  мониторинга и
        устройств                                                                                                                        прогнозирования
        микросистемной                                                                                                                   состояния хранимой
        техники                                                                                                                          продукции <**>

 315.   Реконструкция и        320                                                        200        60        60     2013 -     1120    переоснащение
        техническое          -------                                                      ---        --        --      2015      <***>   производства по
        перевооружение       160 <*>                                                      100        30        30                        выпуску:
        открытого                                                                                                                        параметрического
        акционерного                                                                                                                     ряда модулей
        общества "Научно-                                                                                                                сверхвысокочастотных
        исследовательский                                                                                                                устройств;
        институт точных                                                                                                                  узлов и
        приборов",                                                                                                                       крупноблочных
        г. Москва, для                                                                                                                   радиоэлектронных
        создания                                                                                                                         функциональных
        производства                                                                                                                     модулей приемо-
        модулей                                                                                                                          передающей
        сверхвысокочастот-                                                                                                               аппаратуры.
        ных устройств для                                                                                                                Реализация указанных
        особо жестких                                                                                                                    мероприятий
        условий                                                                                                                          обеспечивает:
        эксплуатации                                                                                                                     сокращение сроков
                                                                                                                                         изготовления изделий
                                                                                                                                         радиолокационной
                                                                                                                                         техники и техники
                                                                                                                                         связи в 2 - 3 раза;
                                                                                                                                         расширение
                                                                                                                                         номенклатуры
                                                                                                                                         сверхвысокочастотных
                                                                                                                                         изделий в 1,5 раза
                                                                                                                                         <**>

 316.   Реконструкция и        160                                                         60        50        50     2013 -     590     переоснащение
        техническое           ------                                                       --        --        --      2015      <***>   производственной
        перевооружение        80 <*>                                                       30        25        25                        линии для выпуска
        открытого                                                                                                                        облегченных
        акционерного                                                                                                                     сверхвысокочастотных
        общества                                                                                                                         волноводов;
        "Информационные                                                                                                                  увеличение
        спутниковые                                                                                                                      производства
        системы" имени                                                                                                                   сверхвысокочастотных
        академика                                                                                                                        волноводов с низким
        М.Ф. Решетнева",                                                                                                                 уровнем потерь и
        г. Железногорск,                                                                                                                 улучшенными
        Красноярский край,                                                                                                               массовыми
        с целью создания                                                                                                                 характеристиками;
        производственной                                                                                                                 оснащение
        линии для                                                                                                                        отраслевого
        изготовления                                                                                                                     автоматизированного
        облегченных                                                                                                                      хранилища для
        сверхвысокочастот-                                                                                                               модулей
        ных волноводов                                                                                                                   радиоэлектронных и
        миллиметрового                                                                                                                   навигационных систем
        диапазона                                                                                                                        со встроенной
                                                                                                                                         системой мониторинга
                                                                                                                                         и прогнозирования
                                                                                                                                         состояния хранимой
                                                                                                                                         продукции <**>

 317.   Реконструкция и        200                                                         80        60        60     2013 -     665     дооснащение
        техническое          -------                                                       --        --        --      2015      <***>   производства
        перевооружение       100 <*>                                                       40        30        30                        электромеханических
        федерального                                                                                                                     и радиоэлектронных
        государственного                                                                                                                 компонентов для
        унитарного                                                                                                                       микромодульных
        предприятия                                                                                                                      средств автономного
        "Научно-                                                                                                                         управления и
        производственное                                                                                                                 контроля;
        объединение                                                                                                                      увеличение
        автоматики имени                                                                                                                 производства изделий
        академика                                                                                                                        бортовой и
        Н.А. Семихатова",                                                                                                                промышленной
        г. Екатеринбург,                                                                                                                 радиоэлектроники на
        для создания                                                                                                                     35 процентов и
        производства                                                                                                                     более;
        электромеханических                                                                                                              оснащение
        и радиоэлектронных                                                                                                               отраслевого
        компонентов                                                                                                                      автоматизированного
        микромодульных                                                                                                                   хранилища для
        средств автономного                                                                                                              радиоэлектронных
        управления и                                                                                                                     модулей со
        контроля                                                                                                                         встроенной системой
                                                                                                                                         мониторинга и
                                                                                                                                         прогнозирования
                                                                                                                                         состояния хранимой
                                                                                                                                         продукции <**>

 318.   Реконструкция и        580                                              500        80                         2012 -      600    переоснащение
        техническое          -------                                            ---        --                          2013              производства
        перевооружение       290 <*>                                            250        40                                            модульных лазерных
        открытого                                                                                                                        средств высокоточных
        акционерного                                                                                                                     измерений,
        общества "Научно-                                                                                                                дальнометрии и
        производственная                                                                                                                 передачи информации
        корпорация "Системы                                                                                                              в бортовых и
        прецизионного                                                                                                                    промышленных
        приборостроения",                                                                                                                системах различного
        г. Москва, для                                                                                                                   назначения <**>
        создания
        производства
        лазерных средств
        высокоточных
        измерений

 319.   Реконструкция и        200                                                         80        60        60     2013 -     690     создание
        техническое          -------                                                       --        --        --      2015      <***>   межотраслевой
        перевооружение       100 <*>                                                       40        30        30                        лаборатории контроля
        открытого                                                                                                                        стойкости
        акционерного                                                                                                                     электронной
        общества                                                                                                                         компонентной базы
        "Российская                                                                                                                      для специальной
        корпорация ракетно-                                                                                                              радиоэлектронной
        космического                                                                                                                     аппаратуры в
        приборостроения и                                                                                                                условиях
        информационных                                                                                                                   космического
        систем", г. Москва,                                                                                                              пространства, что
        для создания                                                                                                                     обеспечит:
        отраслевой                                                                                                                       внедрение
        лаборатории                                                                                                                      технологических
        контроля стойкости                                                                                                               процессов прямого (в
        электронной                                                                                                                      том числе
        компонентной базы                                                                                                                неразрушающего)
        радиоэлектронной                                                                                                                 контроля стойкости
        аппаратуры к                                                                                                                     электронной
        дестабилизирующим                                                                                                                компонентной базы и
        факторам                                                                                                                         экспериментально-
        космического                                                                                                                     аналитического
        пространства                                                                                                                     прогноза деградации
                                                                                                                                         характеристик
                                                                                                                                         электронной
                                                                                                                                         компонентной базы и
                                                                                                                                         радиоэлектронной
                                                                                                                                         аппаратуры;
                                                                                                                                         определение
                                                                                                                                         характеристик
                                                                                                                                         стойкости к условиям
                                                                                                                                         открытого
                                                                                                                                         космического
                                                                                                                                         пространства;
                                                                                                                                         увеличение сроков
                                                                                                                                         активного
                                                                                                                                         функционирования
                                                                                                                                         аппаратуры до
                                                                                                                                         20 лет <**>

 320.   Реконструкция и        200                                                         80        60        60     2013 -     800     перевооружение
        техническое          -------                                                       --        --        --      2015      <***>   производственных
        перевооружение       100 <*>                                                       40        30        30                        линий для
        открытого                                                                                                                        изготовления
        акционерного                                                                                                                     встроенных модульных
        общества "Научно-                                                                                                                пассивных
        производственный                                                                                                                 радиоэлементов для
        центр "Полюс"                                                                                                                    систем бортовой и
        г. Томск, для                                                                                                                    промышленной
        технического                                                                                                                     радиоэлектроники и
        перевооружения                                                                                                                   вторичных источников
        действующего                                                                                                                     питания с
        производства                                                                                                                     совмещенными линиями
                                                                                                                                         передачи данных и
                                                                                                                                         электропитания;
                                                                                                                                         расширение
                                                                                                                                         номенклатуры и
                                                                                                                                         увеличение
                                                                                                                                         производства
                                                                                                                                         встроенных вторичных
                                                                                                                                         источников питания с
                                                                                                                                         совмещенными линиями
                                                                                                                                         передачи данных и
                                                                                                                                         электропитания для
                                                                                                                                         средств бортовой и
                                                                                                                                         промышленной
                                                                                                                                         электроники на 70
                                                                                                                                         процентов и более
                                                                                                                                         <**>

 321.   Реконструкция и        200                                                         80        60        60     2013 -     770     переоснащение
        техническое          -------                                                       --        --        --      2015      <***>   производства
        перевооружение       100 <*>                                                       40        30        30                        матричных оптико-
        федерального                                                                                                                     электронных модулей
        государственного                                                                                                                 для работы в составе
        унитарного                                                                                                                       оптико-электронных
        предприятия                                                                                                                      преобразователей
        "Научно-                                                                                                                         высокого разрешения
        исследовательский                                                                                                                и матричных
        институт                                                                                                                         сверхвысокочастотных
        микроприборов - К",                                                                                                              приборов для модулей
        г. Москва, для                                                                                                                   фазированных
        создания матричных                                                                                                               антенных решеток,
        оптико-электронных                                                                                                               что позволит:
        модулей на основе                                                                                                                расширить
        кремниевых мембран                                                                                                               номенклатуру
        и гетеропереходов                                                                                                                выпускаемой
        на основе арсенида                                                                                                               мелкосерийной
        галлия и нитрида                                                                                                                 продукции в 2 раза;
        галлия                                                                                                                           увеличить объем
                                                                                                                                         выпускаемых
                                                                                                                                         дискретных и
                                                                                                                                         модульных элементов
                                                                                                                                         в 10 раз <**>

                             2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

 322.   Реконструкция и        726                                              486       240                         2012 -      500    создание базового
        техническое          -------                                            ---       ---                          2013              центра системного
        перевооружение       363 <*>                                            243       120                                            проектирования
        открытого                                                                                                                        площадью 3500 кв. м
        акционерного                                                                                                                     <**>
        общества
        "Российская
        корпорация ракетно-
        космического
        приборостроения и
        информационных
        систем", г. Москва,
        для создания
        базового центра
        проектирования

 323.   Реконструкция и        914        120      120       28       160       486                                   2008 -      500    создание отраслевого
        техническое          -------      ---      ---       --       ---       ---                                    2012              центра
        перевооружение для   461 <*>      60        60       18       80        243                                                      автоматизированного
        создания                                                                                                                         проектирования и
        отраслевого центра                                                                                                               функциональной
        автоматизированного                                                                                                              поддержки процессов
        проектирования на                                                                                                                изготовления и
        открытом                                                                                                                         эксплуатации
        акционерном                                                                                                                      параметрических
        обществе "Научно-                                                                                                                рядов
        исследовательский                                                                                                                сверхвысокочастотных
        институт точных                                                                                                                  модулей
        приборов",                                                                                                                       унифицированных
        г. Москва                                                                                                                        сверхвысокочастотных
                                                                                                                                         трактов, базовых
                                                                                                                                         несущих конструкций
                                                                                                                                         активных
                                                                                                                                         фазированных
                                                                                                                                         антенных решеток,
                                                                                                                                         радиолокационных и
                                                                                                                                         связных модульных
                                                                                                                                         приборов площадью
                                                                                                                                         500 кв. м <**>

 324.   Реконструкция и        280                                                        100        90        90     2013 -      380    создание центра
        техническое          -------                                                      ---        --        --      2015              проектирования
        перевооружение для   140 <*>                                                       50        45        45                        унифицированных
        создания центра                                                                                                                  микроэлектронных
        проектирования                                                                                                                   датчиков площадью
        унифицированных                                                                                                                  380 кв. м для
        микроэлектронных                                                                                                                 проектирования
        датчиков для работы                                                                                                              унифицированных
        в особо жестких                                                                                                                  полупроводниковых
        условиях                                                                                                                         микродатчиков и
        эксплуатации на                                                                                                                  преобразователей
        открытом                                                                                                                         физических величин в
        акционерном                                                                                                                      системах управления,
        обществе "Научно-                                                                                                                контроля и
        исследовательский                                                                                                                диагностики
        институт физических                                                                                                              динамических
        измерений",                                                                                                                      объектов <**>
        г. Пенза

 325.   Реконструкция и        200                                                         80        60        60     2013 -      350    создание базового
        техническое          -------                                                       --        --        --      2015              центра площадью
        перевооружение для   100 <*>                                                       40        30        30                        350 кв. м для
        создания базового                                                                                                                системного
        центра системного                                                                                                                проектирования с
        проектирования                                                                                                                   полным циклом
        интегральных                                                                                                                     проектирования и
        микроэлектронных                                                                                                                 производства
        датчиков и                                                                                                                       параметрического
        датчикопреобразую-                                                                                                               ряда интегральных
        щей аппаратуры на                                                                                                                микроэлектронных
        открытом                                                                                                                         датчиков и
        акционерном                                                                                                                      нанодатчиков для
        обществе "Научно-                                                                                                                контрольной
        производственное                                                                                                                 аппаратуры на основе
        объединение                                                                                                                      специализированных
        измерительной                                                                                                                    электронных узлов по
        техники",                                                                                                                        технологии "кремний
        г. Королев,                                                                                                                      на изоляторе" для
        Московская область                                                                                                               особо жестких
                                                                                                                                         условий
                                                                                                                                         эксплуатации <**>

 326.   Реконструкция и        160                                                                   80        80     2014 -      450    создание базового
        техническое           ------                                                                 --        --      2015              центра сквозного
        перевооружение для    80 <*>                                                                 40        40                        системного
        создания базового                                                                                                                проектирования и
        центра сквозного                                                                                                                 функциональной
        системного                                                                                                                       поддержки
        проектирования на                                                                                                                радиоэлектронных
        федеральном                                                                                                                      средств с улучшенной
        государственном                                                                                                                  электромагнитной
        унитарном                                                                                                                        совместимостью
        предприятии                                                                                                                      площадью 450 кв. м
        "Научно-                                                                                                                         (в том числе для
        производственное                                                                                                                 создания встроенных
        предприятие                                                                                                                      бесконтактных систем
        Всероссийский                                                                                                                    управления
        научно-                                                                                                                          электродвигателями и
        исследовательский                                                                                                                приводами,
        институт                                                                                                                         оптоэлектронных и
        электромеханики с                                                                                                                радиотехнических
        заводом имени                                                                                                                    приборов) <**>
        А.Г. Иосифьяна",
        г. Москва

 327.   Реконструкция и        180                                                        100        40        40     2013 -      340    создание центра
        техническое           ------                                                      ---        --        --      2015              проектирования
        перевооружение для    90 <*>                                                       50        20        20                        интегральных
        создания центра                                                                                                                  сверхвысокочастотных
        проектирования на                                                                                                                модулей специального
        федеральном                                                                                                                      и промышленного
        государственном                                                                                                                  применения для
        унитарном                                                                                                                        унифицированных
        предприятии                                                                                                                      приемо-передающих
        "Центральный                                                                                                                     радиоэлектронных
        научно-                                                                                                                          трактов площадью 340
        исследовательский                                                                                                                кв. м. (в том числе
        радиотехнический                                                                                                                 для создания
        институт имени                                                                                                                   испытательного
        академика                                                                                                                        центра
        А.И. Берга",                                                                                                                     радиоэлектронной
        г. Москва                                                                                                                        аппаратуры
                                                                                                                                         космического и
                                                                                                                                         промышленного
                                                                                                                                         назначения) <**>

 328.   Реконструкция и         80                                                                   40        40     2014 -      220    создание центра
        техническое           ------                                                                 --        --      2015              площадью 220 кв. м
        перевооружение для    40 <*>                                                                 20        20                        для системного
        создания центра                                                                                                                  проектирования
        проектирования                                                                                                                   матричных
        матричных                                                                                                                        преобразователей и
        преобразователей и                                                                                                               микроэлектронных
        микроэлектронных                                                                                                                 сигнальных
        сигнальных                                                                                                                       процессоров
        процессоров на                                                                                                                   высокоточных
        федеральном                                                                                                                      навигационных
        государственном                                                                                                                  приборов бортового и
        унитарном                                                                                                                        промышленного
        предприятии                                                                                                                      назначения <**>
        "Научно-
        производственный
        центр автоматики и
        приборостроения
        имени академика
        Н.А. Пилюгина",
        г. Москва

 329.   Реконструкция и        640                                              140       500                         2012 -      370    создание дизайн-
        техническое          -------                                            ---       ---                          2013              центра площадью
        перевооружение для   320 <*>                                            70        250                                            370 кв. м для
        создания центра                                                                                                                  системного
        проектирования                                                                                                                   проектирования
        особо стойкого                                                                                                                   радиационно стойкой,
        модульного ядра                                                                                                                  помехоустойчивой
        отказоустойчивой                                                                                                                 электронной
        радиоэлектронной                                                                                                                 компонентной базы, в
        аппаратуры с особо                                                                                                               том числе изделий
        жесткими условиями                                                                                                               "система на
        эксплуатации на                                                                                                                  кристалле" для
        федеральном                                                                                                                      построения особо
        государственном                                                                                                                  стойкого модульного
        унитарном                                                                                                                        ядра
        предприятии                                                                                                                      радиоэлектронной
        "Центральный                                                                                                                     аппаратуры с особо
        научно-                                                                                                                          жесткими условиями
        исследовательский                                                                                                                эксплуатации, в том
        институт "Комета",                                                                                                               числе для
        г. Москва                                                                                                                        космического,
                                                                                                                                         авиационного и
                                                                                                                                         промышленного
                                                                                                                                         применения <**>

 330.   Реконструкция и        148                                                         80        34        34     2013 -      300    создание базового
        техническое           ------                                                       --        --        --      2015              центра сквозного
        перевооружение для    74 <*>                                                       40        17        17                        системного
        создания базового                                                                                                                проектирования и
        центра системного                                                                                                                функциональной
        проектирования и                                                                                                                 поддержки в процессе
        технического                                                                                                                     эксплуатации
        перевооружения                                                                                                                   аппаратуры модульных
        действующего                                                                                                                     средств связи и
        производства на                                                                                                                  навигации для
        открытом                                                                                                                         бортовых и
        акционерном                                                                                                                      промышленных систем
        обществе                                                                                                                         площадью 300 кв. м
        "Информационные                                                                                                                  <**>
        спутниковые
        системы" имени
        академика
        М.Ф. Решетнева",
        г. Железногорск,
        Красноярский край

 331.   Реконструкция и        200                                                         80        60        60     2013 -      350    создание базового
        техническое          -------                                                       --        --        --      2015              центра сквозного
        перевооружение для   100 <*>                                                       40        30        30                        системного
        создания базового                                                                                                                проектирования и
        центра сквозного                                                                                                                 функциональной
        системного                                                                                                                       поддержки в процессе
        проектирования на                                                                                                                эксплуатации
        федеральном                                                                                                                      площадью 350 кв. м
        государственном                                                                                                                  (в том числе для
        унитарном                                                                                                                        радиоэлектронных
        предприятии                                                                                                                      функциональных
        "Научно-                                                                                                                         модулей
        производственное                                                                                                                 роботизированных
        объединение имени                                                                                                                транспортных средств
        С.А. Лавочкина",                                                                                                                 повышенной
        г. Химки,                                                                                                                        живучести) <**>
        Московская обл.

        Итого по Роскосмосу    5708       120      120       28       160      1612       1950       859      859
                               ----       ---      ---       --       ---      ----       ----      -----    -----
                               2858       60        60       18       80        806       975       429,5    429,5

                                          МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (МИНОБРНАУКИ РОССИИ)

                               Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

 332.   Техническое             78                  48       30                                                       2009 -     515,1   создание базового
        перевооружение        ------                --       --                                                        2010              центра системного
        государственного      54 <*>                24       30                                                                          проектирования
        образовательного                                                                                                                 площадью 515,1 кв. м
        учреждения высшего                                                                                                               <**>
        профессионального
        образования
        "Московский
        государственный
        институт
        электронной
        техники"
        (технический
        университет),
        г. Москва, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 333.   Реконструкция и         50        50                                                                           2008       500    создание базового
        техническое             --        --                                                                                             центра системного
        перевооружение          25        25                                                                                             проектирования
        государственного                                                                                                                 площадью 500 кв. м
        образовательного                                                                                                                 <**>
        учреждения высшего
        профессионального
        образования
        "Московский
        государственный
        институт
        радиотехники,
        электроники и
        автоматики"
        (технический
        университет),
        г. Москва, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 334.   Реконструкция и        200                                              200                                    2012       400    создание базового
        техническое          -------                                            ---                                                      центра системного
        перевооружение       100 <*>                                            100                                                      проектирования
        государственного                                                                                                                 площадью 400 кв. м
        образовательного                                                                                                                 <**>
        учреждения высшего
        профессионального
        образования
        "Томский
        государственный
        университет",
        г. Томск, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 335.   Реконструкция и        200                                                        200                          2013       400    создание базового
        техническое          -------                                                      ---                                            центра системного
        перевооружение       100 <*>                                                      100                                            проектирования
        государственного                                                                                                                 площадью 400 кв. м
        образовательного                                                                                                                 <**>
        учреждения высшего
        профессионального
        образования
        "Московский
        государственный
        технический
        университет имени
        Н.Э. Баумана",
        г. Москва, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 336.   Реконструкция и        200                                                        200                          2013       400    создание базового
        техническое          -------                                                      ---                                            центра системного
        перевооружение       100 <*>                                                      100                                            проектирования
        федерального                                                                                                                     площадью 400 кв. м
        государственного                                                                                                                 <**>
        автономного
        образовательного
        учреждения высшего
        профессионального
        образования "Южный
        федеральный
        университет",
        г. Ростов-на-Дону,
        для создания
        базового центра
        проектирования

 337.   Реконструкция и        200                                                                   100      100     2014 -      400    создание базового
        техническое          -------                                                                 ---      ---      2015              центра системного
        перевооружение       100 <*>                                                                 50        50                        проектирования
        государственного                                                                                                                 площадью 400 кв. м
        образовательного                                                                                                                 <**>
        учреждения высшего
        профессионального
        образования
        "Новосибирский
        государственный
        университет",
        г. Новосибирск, для
        создания базового
        центра
        проектирования

 338.   Реконструкция и        230                                                                   115      115     2014 -      600    создание базового
        техническое          -------                                                                ----      ----     2015              центра системного
        перевооружение       115 <*>                                                                57,5      57,5                       проектирования
        федерального                                                                                                                     площадью 600 кв. м
        государственного                                                                                                                 <**>
        образовательного
        учреждения высшего
        профессионального
        образования "Санкт-
        Петербургский
        государственный
        университет",
        г. Санкт-Петербург,
        для создания
        базового центра
        проектирования

        Итого по               1158       50        48       30                 200       400        215      215
        Минобрнауки России     ----       --        --       --                 ---       ---       -----    -----
                               594        25        24       30                 100       200       107,5    107,5

                                           ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ И ЭКСПОРТНОМУ КОНТРОЛЮ (ФСТЭК РОССИИ)

                                      Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

 339.   Техническое            200                                   66,76    133,24                                  2011 -      2000   создание новых
        перевооружение         ---                                   -----     -----                                   2012              производственных
        федерального           100                                   33,38     66,62                                                     мощностей по выпуску
        государственного                                                                                                                 оптоволоконных
        унитарного                                                                                                                       соединителей изделий
        предприятия                                                                                                                      микромеханики <**>
        "Производственное
        объединение
        "Октябрь",
        г. Каменск-
        Уральский,
        Свердловская
        область

        Итого по ФСТЭК         200                                   66,76    133,24
        России                 ---                                   -----    ------
                               100                                   33,38     66,62

        Итого по разделу II  82471,49   1868,71  1879,48   2223,3    6140    21111,76    18800    15224,12  15224,12
                             --------   -------  -------   ------    ----    --------    ------   --------  -------
                             42936,41   1392,7   1530,71    1763     3070    10555,88     9400     7612,06  7612,06
───────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────
--------------------------------
<*> Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.
<**> Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.
<***> Мощность объекта может быть уточнена на стадии разработки проекта.
<****> Объемы скорректированы и полностью возвращены в бюджет.
Примечание: 1. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их финансирования.
2. В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета.
Приложение N 3
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы
(в редакции Постановления
Правительства Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. N 763)
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ
ОБЪЕМОВ ФИНАНСИРОВАНИЯ ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО
БЮДЖЕТА ПО ГОСУДАРСТВЕННЫМ ЗАКАЗЧИКАМ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ
ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ
И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
──────────────────┬─────────┬─────────────────────────────────────────────────────────────────
                  │ 2008 -  │                          В том числе
                  │  2015   ├──────┬───────┬───────┬────────┬────────┬─────┬────────┬─────────
                  │  годы   │ 2008 │ 2009  │ 2010  │  2011  │  2012  │2013 │  2014  │  2015
                  │         │ год  │  год  │  год  │  год   │  год   │ год │  год   │  год
──────────────────┴─────────┴──────┴───────┴───────┴────────┴────────┴─────┴────────┴─────────
 Всего по          106844,71 5372,7 5772,01  5400    13000    25580   19420 16537,94 15762,06
 Программе

  из них:

  Министерство     91812,53  4757,7 5157,21 4952,62 11976,62 21733,26 15955 14005,06 13275,06
  промышленности
  и торговли
  Российской
  Федерации

  Федеральное        7008     290     320     168     430      2096   1815   939,5    949,5
  космическое
  агентство

  Государственная   6395,88   240    246,5  179,38    400    1424,12  1300  1325,88    1280
  корпорация по
  атомной энергии
  "Росатом"

  Министерство      1528,3     85    48,3     100     160      260     350   267,5    257,5
  образования и
  науки
  Российской
  Федерации

  Федеральная         100      -       -       -     33,38    66,62     -      -        -
  служба по
  техническому и
  экспортному
  контролю

 Капитальные       42936,41  1392,7 1530,71  1763     3070   10555,88 9400  7612,06  7612,06
 вложения - всего

  из них:

  Министерство     36710,41  1267,7 1412,71  1695   2906,62  9013,26  7625  6395,06  6395,06
  промышленности
  и торговли
  Российской
  Федерации

  Федеральное        2858      60     60      18       80      806     975   429,5    429,5
  космическое
  агентство

  Государственная    2674      40     34      20       50      570     600    680      680
  корпорация по
  атомной энергии
  "Росатом"

  Министерство        594      25     24      30       -       100     200   107,5    107,5
  образования и
  науки
  Российской
  Федерации

  Федеральная         100      -       -       -     33,38    66,62     -      -        -
  служба по
  техническому и
  экспортному
  контролю

 Научно-            63908,3   3980  4241,3   3637     9930   15024,12 10020 8925,88    8150
 исследовательские
 и опытно-
 конструкторские
 работы - всего

  из них:

  Министерство     55102,12   3490  3744,5  3257,62   9070    12720   8330    7610     6880
  промышленности
  и торговли
  Российской
  Федерации

  Федеральное        4150     230     260     150     350      1290    840    510      520
  космическое
  агентство

  Государственная   3721,88   200    212,5  159,38    350     854,12   700   645,88    600
  корпорация по
  атомной энергии
  "Росатом"

  Министерство       934,3     60    24,3     70      160      160     150    160      150
  образования и
  науки
  Российской
  Федерации
──────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────
Приложение N 4
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы
(в редакции Постановления
Правительства Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. N 763)
ОБЪЕМЫ ФИНАНСИРОВАНИЯ
ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ
КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ
ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО БЮДЖЕТА
И ВНЕБЮДЖЕТНЫХ ИСТОЧНИКОВ
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
──────────────────┬──────────┬────────────────────────────────────────────────────────────────────
                  │  2008 -  │                            В том числе
                  │ 2015 годы├────────┬────────┬────────┬─────┬────────┬───────┬────────┬─────────
                  │          │2008 год│2009 год│2010 год│2011 │2012 год│ 2013  │2014 год│2015 год
                  │          │        │        │        │ год │        │  год  │        │
──────────────────┴──────────┴────────┴────────┴────────┴─────┴────────┴───────┴────────┴─────────
 Всего по          179224,366 7903,837 8478,112 8267,417 21035 43629,41 33851,1 28632,37 27427,12
 Программе

  в том числе:

  федеральный      106844,71   5372,7  5772,01    5400   13000  25580    19420  16537,94 15762,06
  бюджет

  внебюджетные     72379,656  2531,137 2706,102 2867,42  8035  18049,41 14431,1 12094,43 11665,06
  средства

 Капитальные        82471,49  1868,71  1879,48   2223,3  6140  21111,76  18800  15224,12 15224,12
 вложения - всего

  в том числе:

  федеральный       42936,41   1392,7  1530,71    1763   3070  10555,88  9400   7612,06  7612,06
  бюджет

  внебюджетные      39535,08   476,01   348,77   460,3   3070  10555,88  9400   7612,06  7612,06
  средства

 Научно-           96752,876  6035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 15051,1 13408,25  12203
 исследовательские
 и опытно-
 конструкторские
 работы - всего

  в том числе:

  федеральный       63908,3     3980    4241,3    3637   9930  15024,12  10020  8925,88    8150
  бюджет

  внебюджетные     32844,576  2055,127 2357,332 2407,117 4965  7493,53  5031,1  4482,37    4053".
  средства
──────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────
7. В приложении N 5 к указанной Программе:
а) абзац одиннадцатый дополнить словами "и Федеральным законом "О страховых взносах в Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд социального страхования Российской Федерации, Федеральный фонд обязательного медицинского страхования и территориальные фонды обязательного медицинского страхования";
б) в абзаце пятнадцатом цифры "18700" заменить цифрами "179224,366", цифры "110000" заменить цифрами "106844,71", цифры "77000" заменить цифрами "72379,66", цифры "64374,4" заменить цифрами "64554,9", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640";
в) в абзаце шестнадцатом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4";
г) в абзаце семнадцатом цифры "8,1" заменить цифрами "7,9";
д) в абзаце восемнадцатом цифры "1,52" и "2,7" заменить соответственно цифрами "1,54" и "2,8";
е) таблицы 1 - 3 изложить в следующей редакции:
"Таблица 1
Исходные данные,
принятые для расчета коммерческой и бюджетной
эффективности реализации федеральной целевой программы
"Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы
(в ценах соответствующих лет, млн. рублей)
───────────────────┬────────┬────────┬────────┬──────┬────────┬───────┬────────┬────────┬──────┬──────┬───────────
     Показатели    │  2008  │  2009  │  2010  │ 2011 │  2012  │ 2013  │  2014  │  2015  │ 2016 │ 2017 │    За
                   │  год   │  год   │  год   │ год  │  год   │  год  │  год   │  год   │ год  │ год  │ расчетный
                   │        │        │        │      │        │       │        │        │      │      │  период
───────────────────┴────────┴────────┴────────┴──────┴────────┴───────┴────────┴────────┴──────┴──────┴───────────
 Условно-переменная    62       62       62      62      62      62       62       62      62     62       -
 часть текущих
 издержек
 производства
 (себестоимости),
 процентов

 Годовой объем       58000    70000    90000   110000  170000  210000   240000   270000  340000 420000     -
 реализуемой
 продукции отрасли
 (объем продаж)

 Инвестиции из всех 7903,837 8478,112 8267,417 21035  43629,41 33851,1 28632,37 27427,12   -      -    179224,366
 источников
 финансирования
 по Программе

  в том числе:

  средства           5372,7  5772,01    5400   13000   25580    19420  16537,94 15762,06   -      -    106844,71
  федерального
  бюджета на
  научно-
  исследовательс-
  кие и опытно-
  конструкторские
  работы,
  капитальные
  вложения и
  прочие нужды

   из них:

   капитальные       1392,7  1530,71    1763    3070  10555,88  9400   7612,06  7612,06    -      -     42936,41
   вложения

  внебюджетные      2531,137 2706,102 2867,42   8035  18049,41 14431,1 12094,43 11665,06   -      -     72379,66
  средства на
  научно-
  исследовательс-
  кие и опытно-
  конструкторские
  работы и
  капитальные
  вложения
  (собственные,
  заемные и др.)

  налогооблагаемая   33000    34500    36000   38000   41000    46000   54000    60000   61000  62000      -
  база налога на
  имущество
  (среднегодовая
  стоимость
  основных
  промышленно-
  производственных
  фондов отрасли
  по остаточной
  стоимости)

 Рентабельность        10       10       12      14      16      18       20       20      20     20       -
 реализованной
 продукции,
 процентов

 Амортизационные      3,5      3,8       4      4,5      5       5,5      6       6,5      7     7,5       -
 отчисления,
 процентов
 себестоимости

 Материалы,            50       50       50      50      50      50       50       50      50     50       -
 процентов
 себестоимости

 Фонд оплаты труда,    25       25       25      25      25      25       25       25      25     25       -
 процентов
 себестоимости

 Налог на              2        2        2       2       2        2       2        2       2      2        -
 имущество,
 процентов

 Налог на прибыль,     24       20       20      20      20      20       20       20      20     20       -
 процентов

 Подоходный налог,     13       13       13      13      13      13       13       13      13     13       -
 процентов

 Страховые взносы в    26       26       26      34      34      34       34       34      34     34       -
 Пенсионный фонд
 Российской
 Федерации, Фонд
 социального
 страхования
 Российской
 Федерации,
 Федеральный фонд
 обязательного
 медицинского
 страхования и
 территориальные
 фонды
 обязательного
 медицинского
 страхования,
 процентов

 Налог на              18       18       18      18      18      18       18       18      18     18       -
 добавленную
 стоимость,
 процентов

 Налог с продаж,       -        -        -       -       -        -       -        -       -      -        -
 процентов

 Норма дисконта        -        -        -       -       -        -       -        -       -      -       0,1
 (средняя за
 расчетный период),
 процентов
──────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────
Таблица 2
Расчет
коммерческой и бюджетной эффективности реализации
федеральной целевой программы "Развитие электронной
компонентной базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы
(в ценах соответствующих лет, млн. рублей)
──────────────────┬────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────┬───────────
   Наименование   │                                    Расчетный период                                    │    За
    показателей   ├───────┬───────┬───────┬───────┬────────┬──────────┬────────┬────────┬─────────┬────────┤ расчетный
                  │ 2008  │ 2009  │ 2010  │ 2011  │  2012  │   2013   │  2014  │  2015  │  2016   │  2017  │  период
                  ├───────┴───────┴───────┴───────┴────────┴──────────┴────────┴────────┴─────────┼────────┤
                  │                                номер шага (m)                                 │        │
                  ├───────┬───────┬───────┬───────┬────────┬──────────┬────────┬────────┬─────────┼────────┤
                  │   0   │   1   │   2   │   3   │   4    │    5     │   6    │   7    │    8    │   9    │
──────────────────┴───────┴───────┴───────┴───────┴────────┴──────────┴────────┴────────┴─────────┴────────┴───────────
                        Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)

 Годовой объем      58000   70000   90000  110000   170000    210000    240000   270000   340000    420000      -
 реализованной
 продукции отрасли
 без налога на
 добавленную
 стоимость

 Себестоимость      52727   63636   80357   96491   146552    177966    200000   225000   283333    350000      -
 годового объема
 реализованной
 продукции отрасли

 Прибыль от         5273    6364    9643    13509   23448     32034     40000    45000     56667    70000       -
 реализации
 продукции

 Налогооблагаемая   33000   34500   36000   38000   41000     46000     54000    60000     61000    62000       -
 база налога на
 имущество
 (среднегодовая
 стоимость
 основных
 промышленно-
 производственных
 фондов отрасли по
 остаточной
 стоимости)

 Налог на            660     690     720     760     820       920       1080     1200     1220      1240       -
 имущество

 Налогооблагаемая  4587,3  5727,3  8967,9  12833,3 22744,8   31072,9    38800    43650    54966,7   67900       -
 прибыль

 Налог на прибыль  1100,9  1145,5  1793,6  2566,7    4549     6214,6     7760     8730    10993,3   13580       -

 Чистая прибыль    3486,3  4581,8  7174,3  10266,7 18195,9   24858,3    31040    34920    43973,3   54320       -

 Амортизационные   1845,5  2418,2  3214,3  4342,1   7327,6    9788,1    12000    14625    19833,3   26250       -
 отчисления в
 структуре
 себестоимости

 Материальные      26363,6 31818,2 40178,6 48245,6 73275,9   88983,1    100000   112500  141666,7   175000      -
 затраты в
 структуре
 себестоимости

 Фонд оплаты труда 13181,8 15909,1 20089,3 24122,8 36637,9   44491,5    50000    56250    70833,3   87500       -
 в структуре
 себестоимости

 Налог на          4745,5  5727,3  7232,1  8684,2  13189,7   16016,9    18000    20250     25500    31500       -
 добавленную
 стоимость

 Налог с продаж       -       -       -       -       -         -         -        -         -        -         -

 Подоходный налог  1713,6  2068,2  2611,6   3136    4762,9    5783,9     6500    7312,5   9208,3    11375       -

 Страховые взносы  3427,3  4136,4  5223,2  8201,8  12456,9   15127,1    170000   19125    24083,3   29750       -
 в ПФ, ФСС, ФФОМС
 и ТФОМС

 Налоги,           10546,4 12631,8  15787  20781,9 31229,5    37848     42580   47887,5   60011,7   73865    353158,7
 поступающие в
 бюджет и
 внебюджетные
 фонды (приток в
 бюджет)

 Сальдо от         5331,8   7000   10388,6 14608,8 25523,4   34646,4    43040    49545    63806,7   80570       -
 операционной
 деятельности.
 Чистый доход
 организаций
 (чистая прибыль и
 амортизационные
 отчисления)

 Коэффициент          1     0,909   0,826   0,751   0,683     0,621     0,564    0,513     0,467    0,424       -
 дисконтирования
 (норма дисконта E
 = 0,10)

 Сальдо от         5331,8  6363,6  8585,6  10975,8 17432,9   21512,7    24295   25424,4   29766,3  34169,5   183857,6
 операционной
 деятельности с
 учетом
 дисконтирования.
 Чистый доход
 организаций с
 учетом
 дисконтирования

 Величина          7903,8  8478,1  8267,4   21035  43629,4   33851,1   28632,4  27427,1      -        -     179224,366
 инвестиций из
 всех источников
 финансирования
 (оттоки)

 Сальдо суммарного -2572,1 -1478,1 2121,2  -6426,2  -18106    795,3    14407,6  22117,9   63806,7   80570       -
 потока от
 инвестиционной и
 операционной
 деятельности без
 дисконтирования

 Величина          7903,8  7707,4  6832,6  15803,9 29799,5   21018,9   16162,2  14074,4      -        -      119302,7
 инвестиций из
 всех источников
 финансирования
 (оттоки) с учетом
 дисконтирования

 Сальдо суммарного -2572,1 -1343,7  1753   -4828,1 -12366,6   493,8     8132,7   11350    29766,3  34169,5   64554,9
 потока от
 инвестиционной и
 операционной
 деятельности с
 учетом
 дисконтирования

 Сальдо               -       -       -       -       -         -         -        -         -        -         -
 накопленного
 суммарного потока
 от инвестиционной
 и операционной
 деятельности с
 учетом
 дисконтирования
 (нарастающим
 итогом)

 Чистый            -2572,1 -3915,8 -2162,8 -6990,9 -19357,5  -18863,7  -10730,9   619     30385,3  64554,9      -
 дисконтированный
 доход

 Срок окупаемости     -       -       -       -       -         -         -        -         -        -        7,9
 инвестиций
 (период
 возврата), лет

 Индекс доходности    -       -       -       -       -         -         -        -         -        -        1,54
 (рентабельность
 инвестиций)

                           Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)

 Средства          5372,7  5772,01  5400    13000   25580     19420    16537,94 15762,06     -        -     106844,71
 федерального
 бюджета на
 научно-
 исследовательские
 и опытно-
 конструкторские
 работы,
 капитальные
 вложения и прочие
 нужды (отток из
 бюджета)

 Налоги,           10546,4 12621,8  15787  20781,9 31229,5    37848     42580   47887,5   60011,7   73865    353158,7
 поступающие в
 бюджет и
 внебюджетные
 фонды

 Налоги,           10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 21330,2   23500,6   24035,3  24573,9   27995,9   31326    203443,4
 поступающие в
 бюджет и
 внебюджетные
 фонды с учетом
 дисконтирования

 Отток бюджетных   5372,7   5772    5400    13000   25580     19420    16537,9  15762,1      -        -         -
 средств

 Отток бюджетных   5372,7  5247,3  4462,8  9767,1  17471,5   12058,3    9335,2   8088,4      -        -      71803,33
 средств с учетом
 дисконтирования

 Сальдо суммарного 5173,7  6227,1  8584,3  5846,7   3858,7   11442,3   14700,1  16485,4   27995,9   31326     131640
 потока от
 финансирования и
 операционной
 деятельности с
 учетом
 дисконтирования

 Чистый            5173,7  11400,8  19985  25831,7 29640,4   41132,7   55832,8  72318,2  100314,1   131640      -
 дисконтированный
 доход
 государства или
 бюджетный эффект

 Индекс доходности    2      2,2     2,9     1,6     1,2       1,9       2,6       3         -        -        2,8
 бюджетных средств

 Налоги,           10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 21330,2   23500,6   24035,3  24573,9   27995,9   31226    203443,4
 поступающие в
 бюджет и
 внебюджетные
 фонды с учетом
 дисконтирования

 Удельный вес       0,68    0,68    0,65    0,62     0,59      0,57      0,58     0,57       -        -        0,6
 средств
 федерального
 бюджета в общем
 объеме
 финансирования
 (степень участия
 государства)

 Период возврата      -       -       -       -       -         -         -        -         -        -       1 год
 бюджетных
 средств, лет

 Уровень            0,79    0,79    0,76    0,73     0,7       0,68      0,66     0,66     0,66      0,66      0,68
 безубыточности
───────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────────
Таблица 3
Итоговые показатели
эффективности реализации федеральной целевой программы
"Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы
(млн. рублей)
────────────────────────────────────────────────────────────┬──────────────
                  Наименование показателей                  │ 2008 - 2017
                                                            │    годы
────────────────────────────────────────────────────────────┴──────────────
 Всего инвестиций                                             179224,366
 (в ценах соответствующих лет)

   в том числе:

   средства федерального бюджета                               106844,71

   внебюджетные средства                                       72379,656

                   Показатели коммерческой эффективности

 Чистый дисконтированный доход в 2017 году                      64554,9

 Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли организации,       7,9
 лет

 Индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистой         1,54
 прибыли

 Уровень безубыточности                                          0,68

                    Показатели бюджетной эффективности

 Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом    203443,4
 дисконтирования

 Бюджетный эффект                                               131640

 Индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований        2,8
 по налоговым поступлениям

 Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме         0,6
 финансирования (степень участия государства)

 Срок окупаемости бюджетных ассигнований по налоговым            1 год".
 поступлениям, лет
───────────────────────────────────────────────────────────────────────────
8. В приложении N 6 к указанной Программе:
а) в разделе "Показатели коммерческой эффективности":
в абзаце двадцать третьем слова "13 процентов" заменить словами "8 процентов" и слова "15 процентов" заменить словами "10 процентов";
абзац двадцать четвертый исключить;
б) абзац четырнадцатый раздела "Показатели бюджетной эффективности" изложить в следующей редакции:
"страховые взносы в Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд социального страхования Российской Федерации, Федеральный фонд обязательного медицинского страхования и территориальные фонды обязательного медицинского страхования в размере 34 процентов фонда оплаты труда.".